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Ultram-在质量生产的阈值 div>
专家，对新技术的市场成功不信心，回想起Optane内存的失败，这使英特尔耗资100亿美元
来源:OSP网站大数据新闻英国存储芯片开发商 Quinas Technology 和先进半导体材料供应商 IQE 宣布成功完成一个联合项目，旨在创建一种可扩展的通用存储器生产方法 - UltraRAM。该存储器基于量子共振隧道效应，将 DRAM 的速度和耐用性与 NAND 闪存的非易失性结合在一起。这项新技术是由英国兰卡斯特大学开发的。
Quinas 表示，每个 UltraRAM 模块可以承受 1000 万次编程/擦除周期，而 NAND 闪存则需要 1 万次重写周期，之后单元将失去保留内容的能力。该公司表示，这是通过基于量子共振隧道效应的低电压编程/擦除过程实现的，具有超低功耗（每次重写低于 1 飞焦耳）。
新型存储器的电压为 2.6 V，明显低于 NAND 所需的 20 V。这将显着降低能源成本并延长数据存储系统的使用寿命。据公开数据显示，UltraRAM的能耗比NAND低1000倍，实验室测试表明其使用寿命达到1000年。
UltraRAM 存储器是使用由元素周期表第 III 族和 V 族元素组成的半导体材料创建的，这些材料具有独特的性能，可用于晶体管、LED 和太阳能电池等电子设备，开发人员解释道。
作为联合项目的一部分，IQE 已成功将兰卡斯特大学开发的化合物半导体层的生产扩大到工业规模。这是 UltraRAM 芯片商业化的第一步。