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受大脑启发的纳米技术有望开启电子新时代
想象一下未来，您的手机、电脑甚至微型可穿戴设备都可以像人脑一样思考和学习——处理信息更快、更智能、能耗更低。弗林德斯大学和悉尼新南威尔士大学开发的一项突破性方法通过电“扭曲”单个纳米级铁电畴壁，使这一愿景更接近现实。
来源:Scimex想象一下未来，你的手机、电脑甚至是微型可穿戴设备都能像人脑一样思考和学习——更快、更智能地处理信息，同时消耗更少的能源。弗林德斯大学和悉尼新南威尔士大学开发出一种突破性的方法，通过电“扭曲”单个纳米级铁电畴壁，使这一愿景更接近现实。
突破性方法期刊/会议：ACS Applied Materials & Interfaces
期刊/会议：研究：
研究： 论文组织：弗林德斯大学、新南威尔士大学、ARC 未来低能耗电子技术卓越中心 (FLEET)、坎特伯雷大学
组织：媒体发布
来自：弗林德斯大学
想象一下未来，您的手机、电脑甚至微型可穿戴设备都可以像人脑一样思考和学习 - 更快、更智能地处理信息并且消耗更少的能量。
弗林德斯大学和悉尼新南威尔士大学开发出一种突破性方法，通过电“扭曲”单个纳米级铁电畴壁，使这一愿景更接近现实。
突破性方法畴壁几乎是看不见的，是极小的（1-10 纳米）边界，它们自然产生，甚至可以在称为铁电体的特殊绝缘晶体内注入或擦除。这些晶体内的畴壁将具有不同结合电荷方向的区域分隔开来。
更重要的是，这些微小的边界尽管嵌入绝缘晶体中，但可以充当调节电子流的通道，因此能够像人脑一样存储和处理信息，弗林德斯大学物理学高级讲师、新美国化学学会 (ACS) 文章的主要作者兼通讯作者 Pankaj Sharma 博士说。
物理学高级讲师 Pankaj Sharma 博士“这种受控运动导致壁的电子特性发生变化，从而释放其在不同级别存储和处理数据的能力。”
铁电畴壁扭曲忆阻器 致谢：