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三星提出了开发人工智能存储技术的战略计划
3D 架构必须解决内存性能、密度和功耗方面的限制。
来源:OSP网站大数据新闻在八月初举行的内存和存储的未来会议上，三星电子推出了下一代内存技术，旨在消除人工智能基础设施中的性能、功耗和存储容量限制。
此次发布的技术亮点是V10代三维闪存的架构解决方案，其中存储单元阵列和外围逻辑在不同的晶圆上制造，然后相互连接（晶圆键合）——BV-NAND（Bonding V-NAND）。据该公司称，该技术允许创建超过 400 层的 NAND 设备，与当前的 V9 一代相比，数据存储密度提高了约 58%。
这种架构提高了读、写和 I/O 性能，同时降低了功耗，使其更适合 AI 服务器，现代 AI 工作负载使 SSD 成为 GPU 和 TPU 数据管道的关键组件。
三星还提出了两种有前途的内存概念，可以从根本上改变人工智能系统的架构。第一个称为 zHBM，涉及将 HBM 内存直接放置在 AI 加速器上方，而不是像今天那样放置在处理器旁边。
三星表示，这种布局缩短了处理器和内存之间的数据传输距离，可以显着提高吞吐量，同时降低功耗和散热。该公司估计，将该架构与晶圆键合技术相结合，最终可提供比 HBM5 高十倍以上的存储密度、三倍以上的能源效率以及一半以上的热阻降低。