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20 世纪 50 年代的材料大规模卷土重来，改变了现代计算
研究人员正在研究硅上压缩应变锗的空穴迁移率，以提高下一代电子产品的性能。华威大学和加拿大国家研究委员会的科学家创造并测量了在采用标准硅技术的材料中观察到的最高“空穴迁移率”，创造了新纪录。 [...]
来源:SciTech日报研究人员正在研究硅上压缩应变锗的空穴迁移率，以提高下一代电子产品的性能。
来自华威大学和加拿大国家研究委员会的科学家创造并测量了在采用标准硅技术的材料中观察到的最高“空穴迁移率”，创造了新纪录。
华威大学当今的半导体器件通常由硅 (Si) 制成。随着这些组件变得越来越紧凑和紧密封装，它们会产生更多热量并开始接近基本性能极限。锗 (Ge) 出现在 20 世纪 50 年代最早的一些晶体管中，它正在重新受到关注，因为研究人员正在寻找利用其更强的电子性能的方法，同时仍然依赖于硅的成熟制造方法。
根据《今日材料》(Materials Today) 发表的一项新研究，由华威大学 Maksym Myronov 博士领导的研究小组向未来电子系统迈出了重要一步。该团队开发了一种纳米薄的锗层，该层在硅上受到压缩应变和生长，从而形成一种材料，可以让电荷比以往更快地传输，同时保持与当前芯片生产工艺完全兼容。
今日材料华威大学物理系半导体研究小组副教授兼组长 Maksym Myronov 表示：“砷化镓 (GaAs) 等传统高迁移率半导体非常昂贵，无法与主流硅制造集成。我们的新型压缩应变硅基锗 (cs-GoS) 量子材料将世界领先的迁移率与工业可扩展性结合在一起，这是迈向实用量子和经典大规模集成电路的关键一步。”
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