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科学家深入了解导致量子计算错误的材料缺陷
由艾姆斯国家实验室的科学家 Lin Zhou 领导的一组研究人员在理解表面氧化物在提高量子计算电路性能方面的作用方面取得了重要进展。表面氧化物是量子电路中退相干或量子特性丧失的主要原因。
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