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拓扑缺陷可引发 Mott 材料从绝缘到导电行为的转变
意大利天主教大学布雷西亚校区的研究人员发现，某些材料从绝缘到导电行为的转变是由结构中的拓扑缺陷驱动的。
来源:英国物理学家网首页意大利天主教大学布雷西亚校区的研究人员发现，某些材料从绝缘到导电行为的转变是由结构中的拓扑缺陷驱动的。
具体而言，《自然通讯》上发表的一项研究表明，所谓的“莫特材料”——一种与传统绝缘体根本不同的绝缘体，能够从绝缘状态切换到导电状态（这一过程称为“电阻切换”）——可以精确地由于其晶体结构中的拓扑缺陷而改变状态。这项专门针对特定氧化钒（V₂O₃）进行的研究表明，这些缺陷会引发这种转变。
已发布 《自然通讯》 拓扑缺陷该研究由该大学数学与物理系高级材料物理跨学科实验室主任 Claudio Giannetti 教授协调。该研究与 IMDEA Nanociencia、鲁汶天主教大学、SISSA 和 Diamond Light Source 合作进行。
氧化钒 V₂O₃ 是一种研究材料，因为它能够在温度或电场的影响下快速改变其电学和光学特性，这种现象被称为“莫特相变”。
光学特性 电场它主要用于智能窗户，以控制透明度和调节阳光；用于高速存储设备和开关的先进电子设备和电阻存储器；对光和热作出反应的光学设备，如镜头和滤光片。氧化钒在电力电子、节能技术和神经形态计算设备中具有广阔的应用前景。
光学设备 自然通讯 过渡金属氧化物 施加电压 100,000 名订阅者 2 3