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New method realize ohmic contacts in n-type MoS₂ transistors at cryogenic temperatures
半导体过渡金属二硫化物 (TMD) 是一类具有独特光电特性的层状材料,可用于开发晶体管、传感器和其他纳米电子器件。尽管它们具有诸多优势,但在低温下创建将晶体管中的金属电极连接到半导体 TMD 的坚固欧姆接触仍然具有挑战性。