New theory clarifies why tunnel magnetoresistance oscillates with barrier thickness
研究人员已经开发了一种新理论，该理论解释了为什么在磁性记忆和其他技术中使用的隧道磁磁性（TMR）会随着磁性隧道连接（MTJ）内绝缘屏障的厚度的变化而振荡。当NIMS最近记录了世界上最高的TMR比时，明确观察到了这种振荡。理解这种现象背后的机制有望显着有助于进一步提高TMR比率。
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