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Chaebin Kim 的简历
◦ 使用 Sunny.jl 分析磁中子散射数据，ORNL（2024） ◦ 使用（线性）自旋波理论分析中子谱数据，ORNL（2023） ◦ 使用中子散射建模和拟合晶体场，ORNL，Virtual（2022） ◦ 第 11 届 PAL 暑期学校，韩国浦项 (2019) ◦ 第 7 届粉末晶体学教程，韩国浦项 (2019) ◦ 第 4 届中子和 μ 子学校 & MIRAI 博士学校 2019，J-PARC，日本 (2019) ◦ 第 9 届凝聚态物理暑期学校，韩国 (2018)
重新分析 95-98 Mo 的温度相关中子俘获率和恒星 β 衰变率
摘要：在统计程序TALYS v1.96和质子中子准粒子随机相近似（pn-QRPA）模型框架内，研究了Mo同位素的中子俘获率和随温度变化的恒星β衰变率。在统计程序TA-LYS v1.96框架内，基于现象学核能级密度模型和γ强度函数，分析了Mo（n，γ）Mo辐射俘获过程的麦克斯韦平均截面（MACS）和中子俘获率。基于模型的MACS计算与现有测量数据相当。在pn-QRPA模型框架内，研究了恒星弱相互作用率对不同密度和温度的敏感性。特别关注了衰变核（Mo）中热填充激发态对电子发射和正电子俘获率的影响。此外，我们比较了中子俘获率和恒星β衰变率，发现无论在低温还是高温下，中子俘获率都高于恒星β衰变率。
研究 - at-the-psfc ..
开发锂“毯子”，该锂围绕等离子体血管并捕获融合反应发出的中子。-Blanket屏蔽融合电磁体免受中子损害，从而延长了它们的寿命。- 将能量作为热量，可用于为标准蒸汽轮机供电。- 锂与中子反应，以产生用于融合燃料的tri。
用超子约束状态的中子星程...
异国情调的自由度，例如超子，暗物质和脱糊状的夸克物质，在紧凑型物体（如中子恒星）的理论模型中引起了显着的关注，如中子恒星，这些恒星具有极高的密集核心。我们的目标是在高密度环境中探索这些颗粒的形成，同时保持中子恒星的稳定性并满足中子恒星的观察性约束。我们采用相对论密度的功能方法，用于辐射阶段，并结合了超子和玻色子暗物质，通过相过渡到非本地nambu - jona-lasinio模型与颜色超导性描述。我们评估了模型与观察数据的兼容性，并使用贝叶斯分析来限制其参数。
Tohoku University金属材料研究所Oarai-Alpha联合研究小组Tohoku University金属材料研究所Oarai-Alpha联合研究小组
tohoku大学中子辐射硬化和在核反应器压力容器钢的硬化层中的层次和低激活的铁质钢，并阐明在低温中子中的辐射层中，观察到过度辐照机制的过度辐射层的层压层和反应型均质的层次不足[ ation铁素钢和在低温中子二进制合金中观察到的过度辐射硬化的机制
欧洲核子研究中心 CLEAR 加速器上 200MeV 电子在目标上产生的辐射场分析
摘要 — 高能电子与物质相互作用产生的辐射簇射包括能量分布峰值为 MeV 级的中子，这些中子是通过光核反应产生的，可以测量电子设备中中子诱导的单粒子效应 (SEE)。在这项工作中，我们研究了一种装置，其中欧洲核子研究中心 [Centre Européen pour la Recherche Nucléaire (CERN)] 的 CLEAR 加速器的 200 MeV 电子束被引导到铝靶上以产生具有大中子分量的辐射场。通过测量特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 中的单粒子翻转 (SEU) 和闩锁率以及被动式无线电光致发光 (RPL) 剂量计中的总电离剂量 (TID)，并将结果与 FLUKA 模拟的预测进行比较，对由此产生的环境进行了分析。我们发现，用铅制成的横向屏蔽可保护 SRAM 免受过高的 TID 率影响，从而为 SEU 测量提供最佳配置，尤其是在对 MeV 级中子高度敏感的 SRAM 中。相对于基于散裂靶或放射源的标准中子设施，此设置提供了一种有趣的补充中子源。
ITER 磁体无机绝缘材料的辐照损伤：综述
1.-2.4.7 射线造成的损伤：理论 34 1.2.5.中子和 7 射线损伤的实验比较 ..38 1.2.6.离子造成的损伤：理论 44 1.2.7.中子和离子损伤的实验比较 ... 50
MAUD Rietveld 细化软件用于单相和双相材料的中子衍射纹理研究
摘要 本文详细介绍了如何使用 Rietveld 细化软件 MAUD 评估单相和双相材料的晶体学织构，并将其应用于洛斯阿拉莫斯国家实验室 (LANL) 获得的高压择优取向 (HIPPO) 中子衍射数据和增材制造生产的 Ti-6Al-4V 的电子背散射衍射 (EBSD) 极图。本文解决了 Rietveld 细化和软件操作中固有的许多隐藏挑战，以改善用户使用 MAUD 时的体验。本文对 MAUD 细化过程中的每个步骤进行了系统评估，重点是为任何版本的 MAUD 和任何材料系统设计一致的细化过程，同时也指出了以前开发的流程所需的更新。本文记录并解释了用户可能遇到的许多问题，并进行了多层次评估，以验证任何数据集的 MAUD 细化过程何时完成。还简要讨论了适当的样本对称性，以强调从 MAUD 中提取的纹理数据可能过于简单。本研究的附录中包含了两个应用所述过程的系统演练。这些演练的文件可在以下数据存储库中找到：https://doi.org/10.18434/mds2-2400。
欧洲核子研究中心 n_TOF 散裂源近场站的中子电子辐照
摘要 — 我们通过蒙特卡罗模拟、特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 和射电光致发光 (RPL) 剂量计研究了 CERN 中子飞行时间 (n_TOF) 设施 NEAR 站的中子场，目的是为电子辐照提供中子。模拟了 NEAR 几个测试位置的电子测试相关粒子通量和典型量，并将其与 CERN 高能加速器混合场设施 (CHARM) 的粒子通量和典型量进行比较，突出了相似点和不同点。在参考位置测试了基于单粒子翻转 (SEU) 和单粒子闩锁 (SEL) 计数的 SRAM 探测器（每个探测器具有不同的能量响应）和 RPL 剂量计，并将结果与 FLUKA 模拟进行了对比。最后，将 NEAR 的中子谱与最著名的散裂源和典型的感兴趣环境（用于加速器和大气应用）的中子谱进行比较，显示了该设施用于电子辐照的潜力。
适用于多群中子扩散方程的混合有限元离散化的笛卡尔网格的自适应网格改进
自适应网状修复基于基本要素：后验估计。在中子中，后验错误控制是一个正在进行的研究主题。AMR。在[16，第3.3节]中，作者解决了A后验估计中使用的规律性假设的问题。在[21，22，25]中，A后验估计值基于双重加权残差方法，其中保证的估计器涉及确切的伴随溶液。在[17]中，他们设计了一个可靠的估计，该估计依赖于双重问题的定义，并突出了由于这个双重问题缺乏稳定性而缺乏效率。严格的估计值不需要过剩的规律性以及适应性网格重新确定策略，以解决运输方程式上的源问题[9]。在这项工作之后，[10]中已经解决了有关特征值问题的理论方面。在这些论文中，作者设计了一种数值策略，该策略依赖于精确控制的操作员评估，例如在[9]中用于解决源问题。在反应堆核心尺度上，使用简化的模型在核工业中很常见。准确地说，简化的模型可以是中子分歧模型或简化的传输模型。在[7]中，我们对中子差异方程的混合有限元离散量进行了严格的后验误差估计，并提出了一种自适应网格重新填充策略，以保留Carte-sian结构。在[13]中执行了这种方法对临界问题的第一个应用，尽管具有次级估计器。关于工业环境和特定的数字模拟，我们的方法是在Apollo3®代码[23]中开发混合有限元求解器[4]的一部分。