过电流循环是指对超导磁带/设备施加重复过电的过程,以表征其临界电流的降低。表征了稀土钡氧化铜(Rebco)磁带的过电流循环行为是高温超导(HTS)设备设计过程中的关键步骤。在HTS设备操作过程中,多起过电流事件可以显着降低总临界电流,从而导致潜在的淬火和故障。数据驱动的模型,以估计Rebco磁带的关键电流降解率(CCDR)在当前情况下。但是,在关键电流减少的估计中,这些方法在8%至11%的范围内表现出明显的误差。本文提出了基于人工智能(AI)技术的方法,该技术针对CCDR估计的常规方法的挑战。提出,测试了不同的基于AI的技术,并进行了比较,以显示提出的智能方法的有效性,包括支持向量回归(SVR),决策树(DT),径向基函数(RBF)和模糊推理系统(FIS)。对经过多个磁带的关键电流值进行了多个磁带的临界电流值,对当前周期进行了重复和重复性。结果表明,SVR方法的平均相对误差(MRE)为23%,对于DT模型约为0.61%,FIS模型的MRE远高于0.06%,RBF方法的MRE值约为1.1×10-6%。此外,提出的AI模型提供了快速测试时间,范围从1到11毫秒。这些发现强调了使用AI技术来增强与过电流事件相关的风险的估计准确性的潜力。
Quasiperiodicity最近提出了增强超导性及其接近效应。同时,在制造准碘结构(包括降低的尺寸)方面已经有显着的实验进步。以这些发展的启发,我们使用微观的紧密结合理论通过弹道纤维纤维链链附着于两个超导导线来研究DC Josephson效应。斐波那契链是准晶体中最知名的示例之一,具有丰富的多型频谱,其中包含具有不同绕组数字的拓扑间隙。我们研究了Andreev结合的状态(ABS),电流相关关系和临界电流如何取决于从短到长连接的准二体自由度。虽然电流相关关系显示传统的2π弦或锯齿状示例,但我们发现ABS会产生准二旋转振荡,并且质量改变了Andreev的反射,从而导致准二氧化型振荡,从而导致对接口长度的关键电流中的准静脉振荡。令人惊讶的是,尽管与晶体连接相比,较早提出了准二氧化性增强超导性的提议,但通常,我们并没有发现它会增强临界电流。但是,由于修改了Andreevev的反射,我们发现了降低界面透明度的显着电流增强。此外,通过改变化学电位,例如,通过施加的栅极电压,我们发现了超导体正常金属 - 螺旋体(SNS)和超导体 - 导管器 - 绝缘体 - 抑制剂 - perppercconductor(SIS)行为之间的分形振荡。最后,我们表明,子段状态的绕组导致临界电流中的等效绕组,因此可以确定绕组数,从而确定拓扑不变性。
我们考虑在外部磁场下与旋转轨道耦合的相位偏置的约瑟夫森连接,并研究了在Majorana结合状态的存在下Josephson二极管效应的出现。我们表明,具有沿旋转轨道轴具有Zeeman场的中间区域的连接形成了低能量的Andreev频谱,与超导相位差异φ=π相对于超导相位差不对称,这在拓扑相中受到Majorana Bound态在拓扑相的强烈影响。这种不对称的Andreev频谱产生了异常的电流曲线和临界电流,这些曲线和临界电流在正和负超潮流中不同,因此信号表明了约瑟夫森二极管效应的出现。即使在微不足道的阶段也存在这种效果,但由于主要结合状态的空间非局部性,它在拓扑阶段得到了增强。因此,我们的论文建立了拓扑超导的利用来增强约瑟夫森二极管的功能。
背部动作是指在系统上恢复行动以根据外部刺激来量身定制其性质的响应。这种效果是许多电子设备(例如放大器,振荡器和传感器)的核心。在这里,我们证明可以利用反作用来实现超导电路中的非转录运输。在我们的设备中,无耗散电流向一个方向流动,而耗散运输则朝相反的方向出现。超电流二极管依靠磁元素或涡流来介导电荷传输或外部磁场以打破时间反转对称性。反作用仅将传统的倒数超导链连接转动,而当前偏置方向之间没有不对称的弱环节变成整流器,其中临界电流振幅取决于偏置符号。超流动的自我交流源于金属和半导体系统中临界电流的栅极可调性,该系统促进了具有可选极性的几乎理想的无磁场整流。
摘要 - 使用2次生成高温超导体(2G HTS)磁带的电阻型超导故障电流限制器(R-SFCL)的设计。一方面,当淬火发生在整个导体上(即限制机制)时,它应该承受最高的电场以降低其长度并使其具有成本效益。另一方面,它还必须应对热点制度。临界电流范围内的故障电流可以导致沿导体长度的局部耗散,从而在显示最低值值的部分上。来自低正常区域传播速度的2G HTS磁带的电流几乎没有限制会导致这些区域的温度升高,从而极大地威胁了它们的完整性。总而言之,导体体系结构适应了高电场,并获得了热点制度中最高温度的无损值。但是,导致这种最后提及的制度的𝑰𝑰变化取决于沿胶带的位置。本文旨在鉴定可变导体长度对𝑰𝑰变化的影响,并因此对热点制度的影响。我们首先研究长度对𝑰𝑰变化的影响。当导体长度增加时,最小临界电流往往会减小。这种行为可以通过Weibull分布来建模,假设最小临界电流与无限导体长度不同。为了评估对热点制度的这种影响,我们使用2G HTS导体的确定性1D建模来开发一种概率方法,该模型沿其长度考虑了𝑰𝑰𝑰𝒄不均匀性,以模拟R-SFCL行为。看来,导体越长,热点状态中的最高温度就越高。此外,两个相对长度相对长度的测量值在热点状态下呈现不同的最高温度的事实导致了一种方法,可以设计出所需长度的大规模制造导体,可稳健,以在任何𝑰𝒄的变化中生存在热点方案中。
pn 结中的二极管效应在现代微电子学中起着重要作用。由于电子(n)和空穴(p)掺杂区之间的反演对称性破缺,电子传输是非互易的,即电流只能朝一个方向流动。这种非互易性质已广泛应用于晶体管、发光二极管、太阳能电池等电子设备中。最近,类似的二极管效应在超导系统中引起了极大的兴趣 [1-66]。与 pn 结中的二极管效应一样,超导二极管效应 (SDE),或者具体来说是约瑟夫森结 (JJ) 中的约瑟夫森二极管效应 (JDE),有望找到重要应用,如无源片上回转器和循环器 [66]。这类设备在量子计算应用中将特别有影响力。此外,SDE/JDE 可用作研究新型超导特性(如有限动量库珀对)的替代方法 [2, 10]。在典型的 JJ 或超导量子干涉装置(SQUID)中,IV 曲线在装置处于正常状态的高电流范围内呈线性,如图 1(d)所示。电压 V DC 在所谓的再捕获电流 I + r(对于电流向下扫描)处突然降至零,并在很大的电流范围内保持在零,直到达到开关电流 − I − c。本文中,我们将该开关电流视为 JJ 的临界电流(I c ),并在本文中始终使用临界电流这一术语。超过 − I − c 后,IV 曲线变为线性,装置再次进入正常状态。对于电流向上扫描曲线,可以观察到 IV 曲线的类似形状,并标记出相应的 − I − r 和 I + c 的位置。一般而言,只要存在时间反演对称性 (TRS) 或反演对称性,I + c = I − c 就与电流扫描方向无关。然而,当两种对称性都被破坏时,临界电流会根据电流扫描的方向显示不同的值,这种现象称为 JDE [ 1 , 2 ]。在非中心对称超导系统或非对称 SQUID 等器件结构中,反演对称性会被破坏
纳米粒子:量子限制及其对纳米粒子性质的影响,合成方法 - 球磨和物理气相沉积;纳米粒子的性质(光学、电气、机械、磁性);纳米技术的应用:电子(GMR效应及其在硬盘读写头中的应用)、汽车、环境与能源、医疗领域(靶向药物输送)。超导性:电阻率的温度依赖性、临界磁场、临界电流、迈斯纳效应和完全抗磁性;I型和II型超导体,临界磁场的数值问题;库珀对的形成,直流和交流约瑟夫森效应,SQUID:工作原理和应用;工程应用:电子学、磁悬浮列车原理。
摘要 - 评估了四个Rebco CC的物理和电气特性:1)theva; 2)上海超越。技术; 3)日本法拉第工厂; 4)藤库拉。为了估算其物理特性,通过删除粘贴在胶带上的聚酰亚胺色带并在预锡后切割胶带来检查每个胶带的分层强度。还通过我们的金属悬挂过程研究了其厚度的均匀性和厚度的均匀性。用于评估其电气性能,在垂直于AB平面的各种外部磁场下在4.2 K下测量其临界电流。在自田77 K的液体氮浴中制造每条胶带的关节样品。在本文中为四个磁带描述了结果。
我们研究电压偏置的单渠道连接处的电荷传输,涉及有限的库珀对动量的螺旋超导体。对于约瑟夫森结,平衡电流相关的关系显示出超级传导二极管效应:临界电流取决于传播方向。我们为电压偏置的约瑟夫森二极管制定了一种散射理论,并表明多个安德烈的反射过程在DC电流 - 电压曲线中导致在低温和小电压下,由于光谱间隙的多普勒移位而导致的小电压。在当前偏向的情况下,二极管效率具有最大的矩效率η0≈0。4对于此模型。在电压偏置的情况下,拟合效率可以达到理想值η=1。我们还讨论了正常金属和螺旋超导体之间正常驾驶连接的电荷传输,并对具有自旋轨道相互作用和磁性Zeeman Fileds的相关模型发表评论。