Charavel, R. 等人。下一代深沟槽隔离,适用于具有 120 V 高压设备的智能电源技术。微电子可靠性 50,1758–1762(2010 年)。Voldman, SH 新型接触式多晶硅填充深沟槽 (DT) 偏置结构及其电压偏置状态对 CMOS 闩锁的影响。2006 年 IEEE 国际可靠性物理研讨会论文集 151–158(2006 年)。doi:10.1109/RELPHY.2006.251208。
资金 - 不适用。利益冲突/竞争利益 - 不适用。数据和材料的可用性 - 不适用。代码可用性 - MATLAB的许可版本已用于生成图。作者的贡献 - 可选(不适用)。摘要:触摸模式电容压力传感器(TMCP)非常适合工业应用,在这种应用中,由于其线性,机械鲁棒性的性质和避免严格的工业条件,因此需要压力传感。这项工作提出了在凹面基材中引入凹口,以进一步提高传感器的灵敏度。小挠度模式用于对设计的设计的数学分析,并且将MATLAB用于所有软件模拟。与其他具有平坦底物的模型相比,所提出的模型的灵敏度非常高。分析和模拟在接触模式下的灵敏度显着提高。电容值饱和的压力也远高于文献中所述的设计。凹入底物双触摸模式电容压力传感器(DTMCP)的分析将有助于设计新的传感器以提高性能并评估其行为。