直流最大电流 873A 763A 654A 545A 436A 327A 218A 109A 交流电压 400Vac (3P3W) 交流电流 720A 630A 540A 450A 360A 270A 180A 90A 交流最大电流 792A 693A 594A 495A 396A 297A 198A 99A 标称功率 500kVA 437.5kVA 375kVA 312.5kVA 250kVA 187.5kVA 125kVA 62.5kVA 交流最大功率 550kVA 481.2kVA 412.5kVA 343.8kVA 275kVA 205.2kVA 137.5kVA 68.7kVA 交流频率50/60Hz(±2.5Hz) THDi ≤3%
SolaGrid ESS 系列 SolaGRID ESS 10 SolaGrid ESS 20 可用能量存储容量 @ 50% DOD 10.92 kWh @ C10 12.23 kWh @ C20 18.53 kWh @ C10 20.97 kWh @ C20 电池容量 705 Ah @ C100 1190 Ah @ C100 电池型号 6 PVV 660 8 PVV 1200 电池化学成分 阀控铅酸凝胶(防溢) 电池排列 24 x 2 V 电池串联 系统电压 48 VDC 额定循环寿命 2950 @ 50% DOD 连续交流功率(25°C 时的标称值) 4.6/5/6 kW – 独立版本 5 kW – 电网耦合版本 额定交流频率 50 Hz(45 – 65 Hz)额定交流电压 230 V (172.5 – 264.5 V) 最大交流输入功率 12 kW – 独立版本 5.7 kW – 电网耦合版本 工作温度范围 -20°C – 45°C(风扇通风)
最近,在各种单层和多层材料中观察到非易失性切换。除了内存应用外,由于与其他新兴技术相比,该区域的缩放比例很高,因此电阻开关对于模拟RF开关也有望[1]。我们的RF开关是金属 - 绝缘子 - 金属结构,该结构由由2D材料隔开的金属电极制成的垂直连接组成。先前的研究表明,此RF开关适用于5/6G应用[1-2]。设备嵌入了共面波导中以进行RF测量。直流测量结果表明,直到施加设置电压(MOS 2设备为〜2V),该开关处于高电阻状态,这将设备置于低电阻状态。该状态一直存在,直到应用负偏差将切换重置为其高电阻状态为止。我们使用涵盖频率范围0.25-320GHz的S参数表征来提取设备的小型电路。从s-参数中,我们推导了RF开关的两个主要功能:插入损失(由于设备带有开关状态为ON状态的设备引起的功率损失)和隔离(在OFF状态下跨开关跨开关的功率衰减)。该设备是非挥发性的,状态保留量超过3个月[2]。在这项工作中,我们专注于HBN和MOS 2制造的RF开关的非线性研究。作为IV表征显示的,RF开关在足够高的偏置上是非线性的。测得的IIP3值与基于简单非线性电阻模型的模拟获得的IIP3值一致。为了量化这种非线性性,我们通过设备应用了一个具有2个音调(F 1 = 2.365GHz和F 2 = 2.415GHz)的信号,我们在F 1和F 2处测量输出功率,我们还测量了交流频率下的功率(此处f int = 2f 2 -f 2 -f 1)。从测量的数据中,我们可以追踪每个频率与输入功率的功率,并提取输入三阶截距点(IIP3),HBN设备超过46dBm,MOS 2设备为20DBM。