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单一 Al2O3 或 HfO2 单一介电层及其纳米层系统的比较
纳米层压膜是由不同材料交替层组成的复合膜 [1]。这些多层纳米结构因能够调整其机械或物理性质以用于各种特定应用而备受关注。例如，在微电子领域，人们考虑将其用作介电绝缘体 [2,3]。事实上，人们现正致力于制备具有高介电常数和良好化学/热稳定性的多组分体系。特别是 Al 2 O 3 -HfO 2 纳米层压膜似乎是最有前途的体系，可用于硅基微电子器件 [4-9] 以及下一代电力电子器件 [10-15]。能够充分利用 Al 2 O 3 和 HfO 2 单一材料的最合适性质，促使人们研究将它们组合成层压体系。实际上，众所周知，Al 2 O 3 具有极其优异的化学稳定性和热稳定性、大的带隙（约 9 eV）、与不同半导体衬底的带偏移大，但其生长会形成高的氧化物陷阱电荷密度，但其介电常数值并不高（约 9）[16]。对于 HfO 2 介电氧化物，虽然可以实现相当高的介电常数值（约 25），但由于其在相对较低的温度（约 500°C）下从非晶态转变为单斜晶态，因此可靠性较低，并且由于其带隙很小（5.5 eV）所以漏电流密度高[16]。在这种情况下，由两种 Al 2 O 3 -HfO 2 高 k 氧化物组成的纳米层状结构是提高热稳定性和维持高介电常数值的有前途的解决方案。
用于微波微流体电路和天线的流体和聚合物的介电谱
引言：液体电介质和绝缘聚合物是柔性电子器件的组成部分[1]–[4]。此外，微流体与微电子技术的集成为高频电子系统开辟了新的研究和开发领域。例如，过去十年来，许多研究都展示了通过流体调节天线输出频率、辐射方向图和极化的方法[5]–[14]。人们还利用流体研究了微波元件的频率调谐，包括滤波器[15]，[16]、移相器[17]，[18]、功率分配器[19]，[20]和振荡器[21]。尽管前文提到流体电子学方面的研究成果日益增多，但关于用于实现这些系统的各种电介质流体和聚合物化合物的介电常数的公开数据却非常有限。在缺乏此类数据的情况下，研究人员通常依靠在某一频率下收集的介电常数数据来近似其设备在其他频率下的响应。直到最近，才开始出现关于感兴趣的介电流体宽带响应的介电光谱研究[22]。在本文中，我们报告了宽带复介电常数
在介电和电子应用中合成化学修饰的纳米材料的最新发展
抽象聚合物纳米复合材料（PNC）由于其在储能，电子，生物传感，药物输送，化妆品和包装行业中的应用而吸引了巨大的科学和技术兴趣。纳米材料（血小板，纤维，球体，晶须，杆）构成了这种PNC。聚合物基质中无机纳米材料的分散程度以及纳米材料的结构化排列是纳米复合材料总体性能的一些关键因素。为此，纳米材料的表面功能化决定了其在聚合物基质中的分散状态。用于储能和电子产品，这些纳米材料通常用于其介电特性以增强设备应用的性能。尽管已经报道了有关纳米材料表面修饰的几次评论，但目前缺乏与聚合物介质有关的纳米材料表面功能化的综述。本综述总结了重要的金属氧化物介电纳米材料的表面修饰的最新发展，包括二氧化硅（SIO 2），二氧化钛（TIO 2），钛盐（Batio 3）（Batio 3）（Batio 3）和氧化铝（Al 2 O 3）（Al 2 O 3），例如化学药品，例如silanes，silanes，silanes，silanic，phosphonic，phosphonic，phosphonic and phosphicam and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphonic。我们报告了纳米材料的化学修饰对纳米复合材料的介电性能（介电常数，分解强度和能量密度）的影响。除了使新手和专家在聚合物介电纳米复合材料的领域加快速度外，此综述还将作为选择适当化学剂的智力资源，用于将纳米材料功能化，以在特定聚合物矩阵中使用，从而潜在地调整了纳米复合材料的精细性能。
用于电子应用的新型气相沉积介电聚合物薄膜
摘要。从电缆绝缘到先进电子设备，介电材料在众多应用中都备受关注。设备小型化的新趋势使得对能够精确生产纳米级介电薄膜的需求不断增加。此外，通常还需要特殊的机械性能，例如在柔性有机电子领域。聚合物是此目的的首选材料。然而，通过湿化学方法生产具有低缺陷密度且不含残留溶剂等的精确纳米级薄膜极其困难。引发化学气相沉积 (iCVD) 是一种无溶剂聚合物薄膜沉积工艺，可用于生产具有纳米级控制的高质量介电薄膜，从而避免了这些问题。这项工作通过一些新的 iCVD 应用示例展示了 iCVD 工艺在电气应用领域的多功能性。例如，通过在柱状氧化锌 (ZnO:Fe) 气体传感结构上添加疏水性有机硅氧烷薄膜，乙醇到氢气的选择性发生了变化，并且在高湿度水平下的性能也得到了改善。因此，改进后的传感器可用于潮湿环境，尤其是用于呼吸测试，这可以通过尖端的非侵入性方法诊断某些疾病。
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
通过介电油中的水滴进行电滴来将基因递送到哺乳动物细胞中的机理研究div>
，我们基于通过介电油中的水滴进行了短路，开发了一种新的方法，用于传递可渗透细胞的分子。将细胞悬架液滴放在具有强烈直流电场的一对电极之间，液滴弹跳和液滴变形，这会导致瞬时短路，这取决于电场强度。我们已经证明了使用短路成功地转移了各种哺乳动物细胞。但是，分子机械主义仍有待阐明。在这项研究中，用Jurkat细胞进行流式细胞仪测定。用液滴弹跳或短路处理含有jurkat细胞的水滴和带有荧光蛋白的质粒。短路可导致24小时孵育后足够的细胞活力和荧光蛋白表达。在很重要的情况下，液滴弹跳并未导致成功转染基因转染。通过摄取可耐细胞荧光染料yo-pro-1和钙离子的涌入来研究瞬态膜孔的形成。结果，短路增加了Yo-Pro-1氟-1荧光强度和细胞内钙离子浓度，但液滴弹跳没有。我们还研究了内吞作用对转染的贡献。用内吞作用抑制剂对细胞的预处理以依赖性的方式降低了基因转染的效率。此外，使用pH敏感的染料偶联物表明在短路后内体中形成了酸性环境。内吞作用是细胞内递送外源性DNA的可能机制。
可构想的介电启用结构化mems和2.5D / 3D键合系统< / div>
Materials • Substrate: 200mm Silicon • Adhesion Promoter: AP9000C • Dielectric: CYCLOTENE TM 6505 Dielectric (positive tone) Bonding Evaluation 1) Priming with AP9000C: 200mm Wafer Track • 2000rpm spin coat, 150˚C/60sec 2) Spin Coat: 200 mm Wafer Track • 1250 rpm/45 sec targeting 5.5 um after development • 90˚C/90秒3）曝光工具：掩模对准器•ABCD面膜平方柱（1-300 UM功能）•20 UM接近差距4）曝光后延迟延迟：〜15分钟5）开发：200mm Wafer Track
doi：10.29026/oea.2024.230126基于准连续纳米丝带的宽带高效介电金属
受益于子波长厚度内的突然变化，跨波长已被广泛应用于轻质和紧凑的光学系统。同时宽带和高效特征对跨境的实际实施极大地吸引。然而，当前的元表设备主要采用离散的微/纳米结构，这些结构很少同时认识两者。在本文中，提出了由准连续纳米带组成的介电元面积来克服这一限制。通过准连续的纳米弹簧跨表面，正常的聚焦金属和超级振荡镜头克服了衍射极限，并通过实验证明了衍射极限。准连续的MetadeVices可以在450 nm至1000 nm的宽带波长中运行，并保持高功率效率。与先前报道的具有相同厚度的金属镜相比，制造金属的平均效率达到54.24％，显示出很大的提高。可以轻松地扩展所提出的方法，以设计其他MetadeVices，具有宽带和高效率在实践光学系统中的优势。
回音壁模式促进穿孔介电微球中光学回流增强
介电微球内的光能流通常与光波矢量同向。同时，如果微球中的光场与高质量空间本征模式（回音壁模式 - WGM）之一共振，则阴影半球中会出现反向能量流区域。由于增加了光学捕获潜力，该区域具有相当大的实际意义。在本文中，我们考虑了一个沿粒子直径制造的带有充气单针孔的穿孔微球，并对纳米结构微球中 WGM 激发的特性进行了数值分析。针孔隔离了共振模式的能量回流区域，并将穿孔微球变成了高效的光镊。据我们所知，这是第一次揭示 WGM 共振时针孔中回流强度的多次增强，并讨论了其操纵方式。