摘要:提出了基于单孔纤维(SHF)的超高灵敏度检测磁液表面等离子体共振(SPR)传感器,以检测弱磁场。传感器是用单孔纤维构造的,其中覆层中的独家气孔带有金属线,并用磁性流体(MF)填充以增强磁场灵敏度。研究和优化了结构参数,嵌入式金属和芯层之间对磁场灵敏度和峰值损耗之间的折射率差异的影响。系统地分析了传感器的灵敏度,分辨率,功绩(FOM)和其他特征。数值结果揭示了451,000 pm/mt的最大磁场灵敏度,FOM的最大磁场灵敏度为15.03 mt -1。超高磁场灵敏度使传感器能够首次在PT水平上检测弱磁场,此外检测范围从3.5吨到17吨。SHF-SPR磁场传感器具有高精度,简单结构和易于填充的速度,在诸如矿产资源探索以及地质和环境评估之类的应用中具有巨大的潜力。
摘要 — 量子计算机有望显著加快解决传统计算机无法解决的问题的速度,但尽管最近取得了进展,但在扩展和可用性方面仍然有限。因此,量子软件和硬件的开发严重依赖于在传统计算机上运行的模拟。大多数此类方法都执行强模拟,因为它们明确计算量子态的振幅。然而,这些信息不能直接从物理量子计算机中观察到,因为量子测量会从由这些振幅定义的概率分布中产生随机样本。在这项工作中,我们专注于弱模拟,旨在产生与无错误量子计算机统计上无法区分的输出。我们开发了基于决策图的量子态表示的弱模拟算法。我们将它们与使用状态向量数组和对前缀和进行二分搜索进行采样进行比较。经验验证首次表明,这能够模拟大规模的物理量子计算机。索引术语 — 量子计算、模拟、弱模拟、采样 I. 引言
利用弱测量及相应的可逆操作,从理论上研究了量子纠缠态的可逆过程,基于单光子反转理论,提出二体反转操作协议,并将其扩展到量子通信信道中。理论结果表明,该协议在传输路径上经过弱测量和可逆测量及后续过程后,不会中断信息传输,可以将扰动后的纠缠强度演化反转回原始状态。在不同弱测量强度下,该协议都能完美地反转扰动后的量子纠缠系统,在此过程中通过弱测量操作可以从量子系统获得用信息增益所描述的经典信息。另一方面,为了实现完全可逆性,量子纠缠系统的经典信息在反转过程中必须遵循本文提出的有限范围。
教区新闻:Cathnews New Zealand:本周主教会议启动了新的Cathnews New Zealand项目。该部支持天主教徒和对教会感兴趣的人,以获取新闻和其他感兴趣的内容。它从已经发表的材料中汲取并包括原始内容。接收新西兰Cath News的最佳方法是签署新闻通讯,该通讯是在星期二和星期五早上发送的。访问Cathnews新西兰网站,并在https:// cathnewsnz.com
中风后言语和语言障碍(失语症)严重影响患者的生活质量。许多症状轻微的患者仍未得到诊断,而且由于医疗费用和/或服务不足,大多数人没有接受建议的强化治疗。自动语音识别 (ASR) 可以通过提高诊断率和在定制治疗期间提供反馈来帮助克服这些困难。然而,由于言语错误的高度可变性和训练数据集的稀缺,其性能通常不令人满意。本研究评估了最近发布的端到端模型 Whisper 在中风后失语症 (PWA) 患者中的表现。我们调整了它的超参数以实现失语症语音的最低字错误率 (WER)。与年龄匹配的对照组相比,PWA 中的 WER 显着更高(10.3% vs 38.5%,p < 0.001)。我们证明,通过表达性(外显命名和自发性言语生成)和接受性(书面和口头理解)语言评估,更严重的失语症与更严重的 WER 相关。中风病变大小不会影响 Whisper 的性能。考虑人口统计学因素、治疗持续时间和中风后时间的线性混合模型证实,左半球额叶病变患者的 Whisper 性能更差。我们讨论了这些发现对于如何在 PWA 中改进未来 ASR 的意义。
摘要椭圆曲线密码学(ECC)的强度取决于曲线的选择。这项工作分析了标准化曲线中的弱键,即辅助组Z *𝑝小组中的私钥。我们量化了跨标准化曲线的弱键患病率,揭示了由于辅助组订单中众多小除数而引起的潜在脆弱性。为了解决这个问题,我们利用了隐式婴儿步骤巨型步骤算法,该算法将复杂的椭圆曲线离散对数问题转换为z *𝑝中更简单的问题。这可以有效地检测小键亚组中的弱键。我们的发现强调了使用标准化ECC在应用中进行严格密钥测试的重要性。虽然不太可能随机弱键,但恶意演员可以通过操纵关键发电库来利用这一点。为此,我们展示了用户如何通过消除弱密钥来评估其私钥漏洞并减轻风险。因此,这项工作通过积极主动的关键管理实践有助于改善ECC安全性。
深层地下中微子实验 (DUNE) 的远探测器 (FD) 将配备液氩时间投影室 (LArTPC),其中闪烁光将由适合低温应用的硅光电倍增管探测。在 DarkSide 实验的要求推动下,FBK 开发了一种用于低温应用的 SiPM 技术 (NUV-HD-Cryo SiPM),该技术的特点是在低温下具有极低的暗噪声,约为几 mHz/mm2,后脉冲概率低,并且淬灭电阻随温度的变化有限。在 DUNE 合作框架内,NUV-HD-Cryo 技术得到了进一步开发,通过增加深沟槽隔离 (DTI) 的数量来获得具有高增益但串扰有限的设备,目的是为 DUNE 读出模块提供更好的信噪比。大型物理实验通常需要具有最高性能的设备,并在短时间内以低到中等的产量完成紧张的实验计划。在 FBK,我们开发了一个小型供应链,其中包括一家使用 FBK 技术制造 SiPM 的外部代工厂和一家外部封装公司,能够提供中等批量的封装硅探测器。在这项工作中,我们将从 SiPM 的击穿电压、暗电流和正向电阻的均匀性以及 SiPM 板封装的质量评估方面报告 NUV-HD-Cryo 技术的性能和 DUNE 实验的 FBK SiPM 生产状态。
考虑到参与初期收到的大量反馈,区域计划草案预计将于 2024 年底完成。预计 2025 年初将就区域计划草案开展法定参与和协商。将开展参与活动,以支持社区和利益相关者的广泛参与,并提供面对面和在线反馈的机会。这些参与活动的细节将在区域计划草案的制定过程中制定。
半导体设备在电子行业中起着至关重要的作用。这些设备包括从领先的硅技术到复合半导体方法的各种类型。尤其是IIII-V复合半导体激光器在几十年中变得越来越重要,在各种领域(例如微电子,光电子学和光学电信)中找到了应用。半导体的多功能性允许对其属性进行自定义修改,以满足特定应用程序的需求。在设计光学元件时,半导体激光器的远场是至关重要的参数,因为许多半导体激光应用需要与单模光纤建立足够的连接。使用单模激光器设备,可以将更多功率传递到光纤。此外,从光学的角度来看,单模式激光器更好,因为光线更容易对齐。因此,使用单模半导体激光比构建复杂的光学系统要容易得多。在本文中,基于GAAS的630 nm区域半导体激光器的远场是与Modulight Corporation合作的优化。目标是了解制造步骤和选定的设备几何形状如何影响这些激光器的远场模式,从而改善对设备过程和过程产量的控制。远场高度依赖于激光设备的尺寸,因此,将两种不同的底物(638 nm和633 nm)与不同的尺寸一起使用以进行比较。除了远场外,还分析了光电压和光谱测量值。此外,为了更好地了解脊指导的光学特性和几何形状之间的依赖性,使用扫描电子显微镜测量了脊的尺寸。本论文中使用的激光条是通过光刻的步骤和等离子体蚀刻来捏造的。否则两个底物的处理都是相同的,但是633 nm底物的蚀刻时间更长,从而产生了更深的蚀刻深度。两个设备都使用了五个不同的脊宽度和三个不同的空腔长度。将实现的脊尺寸和调间模式行为与630 nm区域半导体激光结构的这些参数的建模结果进行了比较。脊的尺寸的表征结果显示了两个过程的各向异性和平滑档案。633 nm设备的蚀刻时间较长,导致脊比638 nm设备深507 nm,这是预期的。与638 nm设备相比,具有更深山脊的633 nm设备具有更深的山脊的阈值电流和输出功率变化较小。这项工作的目的是实现具有单模空间操作的激光器,该激光器是用633 nm激光器获得的。最佳尺寸为1000 µm的腔长为1.8 µm和3.4 µm的脊宽度,腔长为1500 µm,脊宽为2.2 µm。对于较浅的山脊深度,即638 nm激光器,所有选定的脊宽度和长度均显示多模具操作。此外,模拟结果很好地支持了实验结果。