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zqtian@xmu.edu.cn表面增强的拉曼光谱(SERS)的领域是在1970年代中期开始的,并于1990年代中期恢复。在1974年,依赖于电化学潜力的第一表面拉曼光谱是从Fleischmann,Hendra和McQuillan [1]的吡啶分子中观察到的。这一成就源于他们在拉曼光谱法应用于电化学方面的开创性工作。实际上,这是第一个SERS测量,尽管当时还没有被认为。van Duyne和Jeanmaire很快就仔细地设计了一种测量表面增强因子的程序,因此发现增强因子的阶段为10 5 -10 6。在旷日持久的审查过程之后,这大概是由于审稿人不愿相信表面增强的非正统概念,他们的论文最终于1977年发表[2]。独立地,克雷顿和阿尔布雷希特在同年发表了有关SERS的论文[3]。在1978年,Moskovits首先解释了表面等离子体对粗糙银电极对SERS增强的影响,并预测在覆盖有吸附剂的Ag和Cu胶体可能会发生相同的效果[4]。Creighton等人使用AG和AU胶体对该预测进行了实验验证,并且该效果被Van Duyne在1979年被列为表面增强的拉曼散射(SERS)[5]。在过去的50年中,SERS经过了曲折的途径,发展为强大的诊断技术[5,6]。我们可以从1970年代发现SER的伟大先驱和故事中学到什么?物理。我的演讲将主要通过讨论以下问题来提供历史但前瞻性的主题。为什么要挑战教科书以开设新的科学领域?1990年代,纳米科学(纳米驱动的SER)的sers研究是如何提高的?Will AI会在SERS的研究和应用中迎来一个新时代,并突破2020年代[7]的SERS(AI-DRIENS SERS)的开发瓶颈?参考文献[1] Fleischmann M,Hendra PJ,McQuillan AJ,吡啶的拉曼光谱吸附在银电极,化学。Lett。 (1974); 26,163-166 [2] Jeanmaire DL,Van Duyne RP,Surface Raman SpectroelectroChemistry:Part I Part I.杂环,芳香和脂肪族胺上吸附在阳极氧化银电极上,J。Electroanal。 化学。 (1977); 84,1-20 [3] Albrecht MG,Creighton JA,在银电极处吡啶的反常强烈的拉曼光谱,J。 am。 化学。 Soc。 (1977); 99,5215-5217 [4] Moskovits M,表面粗糙度和被吸附在金属上的分子的拉曼散射强度增强,J。Chem。 物理。 (1978); 69,4159-4161 [5] Ding Sy,Yi J,Li JF,Ren B,Wu Dy,Panneerselvam R,Tian ZQ,基于纳米结构的基于纳米结构的增强拉曼的拉曼光谱,用于材料的表面分析。 nat。 修订版 mater。 (2016); 1,16021-16037 [6] Panneerselvam R,Liu GK,Wang YH,Ding Sy,Li JF,Wu Dy,Tian ZQ,表面增强的拉曼光谱:瓶颈和未来的方向。 化学。 社区。 (2018); 54,10-25 [7] Yi J,You Em,Hu R,Graham D,Tian ZQ,ET。 al。 Soc。Lett。(1974); 26,163-166 [2] Jeanmaire DL,Van Duyne RP,Surface Raman SpectroelectroChemistry:Part I Part I.杂环,芳香和脂肪族胺上吸附在阳极氧化银电极上,J。Electroanal。化学。(1977); 84,1-20 [3] Albrecht MG,Creighton JA,在银电极处吡啶的反常强烈的拉曼光谱,J。am。化学。Soc。(1977); 99,5215-5217 [4] Moskovits M,表面粗糙度和被吸附在金属上的分子的拉曼散射强度增强,J。Chem。物理。(1978); 69,4159-4161 [5] Ding Sy,Yi J,Li JF,Ren B,Wu Dy,Panneerselvam R,Tian ZQ,基于纳米结构的基于纳米结构的增强拉曼的拉曼光谱,用于材料的表面分析。nat。修订版mater。(2016); 1,16021-16037 [6] Panneerselvam R,Liu GK,Wang YH,Ding Sy,Li JF,Wu Dy,Tian ZQ,表面增强的拉曼光谱:瓶颈和未来的方向。化学。社区。(2018); 54,10-25 [7] Yi J,You Em,Hu R,Graham D,Tian ZQ,ET。al。Soc。,半个世纪的表面增强拉曼光谱:回顾和透视,化学。Rev。 (2024);要出版。Rev。(2024);要出版。
b'show电子特性,从半导体到超导。[4]分层TMDC的整体结构由堆叠的X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X93X三明治组成,这些三明治通过van der waals相互作用将其固定在一起。[5,6]由于与内部的共价键相比,层间相互作用的弱点,因此单个X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X平板(也称为单层或单层)可以在相关的方式中隔离。主多型型为1T,2H和3R,其中字母数字代码指示X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X三明治每单位单元单元格以及结构对称性(H = H = Hexagonal,T = Totragonal,R = Totragonal,R = Rhombohed)。[5] MOS 2是层状TMDC低毒性的典型示例。[7] 2H(或单层特定情况下的1H)和1T是MOS 2的最探索类型。2H MOS 2具有三角骨结构,在热力学上是稳定的,可以在自然界中作为钼矿物矿物质。[8]当散装2H MOS 2缩小到1H单层时,它会从'