XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System价带
单层硫化物硫化物卤化物具有高迁移率转运各向异性和高效的光收集
摘要：具有较高载流子迁移率的二维半导体的发现和设计对于高速电子和光电设备至关重要。在此基于高通量计算的基础上，我们确定了一组半导体，硫磺halide halides irsx'（x'= f，cl，br，i），具有较高的载流量（〜10 3 cm 2 v-1 s-1）和高效的光收获（〜34％）。此外，这些材料表现出各向异性的平面运输行为，这是通过铁弹性开关进行切换的，从而提供了单层IRSX的巨大潜力，可用于在方向控制的高速电子和Optoelectronic设备中应用。高载体迁移率和各向异性转运是源自在矩形晶格中的传导带最小值（CBM）和价带最大值（VBM）的IR原子3D轨道的各向异性分布。ML IRSX's（X'= F，Cl，Br）显示出良好的动力学和热稳定性，并且根据相图计算在热力学上稳定，因此未来值得实验实现。
氧化元素纳米颗粒的结构，光学和光催化特性
抽象球样二氧化葡萄纳米颗粒是通过热液法合成的。使用各种技术研究了所得的样品，包括X射线粉末衍射光谱（XRD），高分辨率扫描电子显微镜（HRSEM），能量分散X射线光谱（EDX），电子显微镜（TEM）和Ultraviolet可见吸收光谱（UVIS）。通过X射线衍射分析确定，立方荧光岩的晶体结构及其平均粒径范围在10-20 nm之间。使用高分辨率扫描电子显微镜测定二氧化岩纳米颗粒的直径。透射电子显微镜显示，二氧化岩纳米颗粒是球形的，直径约为15.3 nm。能量分散性X射线光谱显示出高度纯的二氧化岩纳米结构。通过紫外可见的吸收光谱估计二氧化岩岩的带隙能量为3.34 eV。此外，通过价带孔的作用，实现了刚果红色染料的最大光催化活性和最大光降解效率。
控制双层石墨烯Moiré超级晶格中的umklapp散射
摘要：我们提出了有关电子 - 电子散射的实验发现，其中具有可调的费米波载体，相互晶格矢量和带隙。我们在双层石墨烯（BLG）和HBN的高弹性对齐异质结构中实现这一目标。在半满点附近，对这些设备的电阻的主要贡献是由Umklapp Electron-电子（UEE）散射产生的，这使得石墨烯/HBN Moire ́设备的电阻明显大于非对齐的设备的电阻（在此处禁止UEE）。我们发现，UEE散射的强度遵循Fermi能量的通用缩放，并且在非单声道上取决于超晶格时期。UEE散射可以用电场调节，并受BLG层极化的影响。它具有强粒子 - 孔不对称；当化学电位在传导带中的电阻明显低于在价带中的电阻，这使得电子方案在潜在应用中更实用。关键字：Umklapp散射，双层石墨烯，Moire ́超晶格，层极化，棕色 - Zak振荡
从头算研究MGTIO3钙钛矿材料的结构，电子和光学特性
摘要。这项研究研究了MGTIO 3钙钛矿材料的电子，光学和结构特性，无论是纯还是掺杂氮（N）和磷（P）等元素。调查利用了WIER2K代码中实现的GGA-MBJ近似值的密度功能理论（DFT）。结果表明，在具有y（n和p）的氧气位置，掺杂mgtio 3的带隙能显着低于纯MGTIO 3的带隙能量，其带隙为2.933 eV。，特别是在n和p的情况下，频带间隙降至1.74和0.65 eV，此外，费米能（EF）水平在P型半导体（SC）中向价带（VB）移动。此外，我们已经分析了这些系统的光学特性，包括它们的介电函数（εଵ和εଶ），光导率（𝜎），吸收系数（α）和折射率（n）。此外，用n和p掺杂会增加可见光光谱中的吸收，这在光照下会提高光催化活性，因为掺杂的材料的价和传导带更容易地产生氢。上面的发现表明，这些材料具有广泛的应用，包括光电设备的创建。
d-d库仑相关性在磁化铁磁铁中的至关重要作用GD6（MN1 – XMX）23（M = Fe，Co）
众所周知，在元素金属中，过渡金属（TM）d-电子u dd的现场库仑能量明显小于f-electron稀有（re）金属的u f f f f f f f f f。因此，在RE-TM金属合金中通常会忽略U DD。与U F F相比，U DD的值低，但我们量化和阐明了U DD在RE -TM合金的部分填充D频带中的重要作用。我们研究了典型的RE-TM铁磁系列GD 6（Mn 1-X M X）23（M = Fe，Co; x =0。0，0。3），显示出有前途的磁性特性。使用恒定的光发射和恒定的初始状态光谱法用于识别价带中的Mn 3 d，fe 3 d和Co 3 D d d状态的部分密度（PDOS）。光子能量依赖性光谱演化使我们能够将MN，FE和CO 3 D pDOS中的下部哈伯德带和两孔相关卫星分开。使用cini-sawatzky方法，我们确定平均u dd = 2。1±0。4 eV，2。2±0。4 eV和2。9±0。4 eV。与Fe 3 D状态相比，CO相对较大的U DD在费米水平（E F）的连贯特征（E F）的DOS较低，而下Hubbard频带中的DOS较高，远离GD 6中的E F（Mn 0。7 CO 0。 3）23与GD 6（Mn 0。）相比 7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 CO 0。3）23与GD 6（Mn 0。7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 Fe 0。3）23。结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。75 eV，对应于u dd = 1。为了了解库仑相关性在电子结构和磁性特性上的作用，使用密度功能理论与现场库仑相关性（DFT + u）进行了电子结构计算（DFT + U）。65 EV和J DD = 0。9 ev。此外，使用计算出的GD和MN PDOS以及已知的光电离截面，模拟的GD 6 MN 23频谱与实验价带谱相当一致。结果表明D-D相关性在存在大型F-F相关性的情况下的关键作用，以调整RE-TM金属层的电子结构和磁性。
二维磁性半导体中的准一维电子传输
功能。[1–6] 然而，迄今为止研究的大多数二维磁体的半导体特性都受到其导带和价带极窄宽度的强烈影响，通常为几十 meV 或更小。[7–13] 如此窄的带宽会导致电子局域化并阻碍低温电导率测量，这就是为什么探测二维半导体磁性的传输实验迄今为止仅限于研究穿过原子级薄多层势垒的隧穿。[14–21] CrSBr [22]（见图 1a）——一种最近推出的二维磁性半导体——似乎是个例外。[23,24] 第一性原理计算（如图 1b 所示）预测其导带宽度约为 1.5 eV。 [24,25] 因此，可以成功进行低温平面磁阻测量（见图 1c、d），并通过分析确定磁相图。[23] 这种材料的独特磁性能通过范德华 (vdW) 界面实验得到进一步展示，其中发现 CrSBr 在相邻的石墨烯层中留下了巨大的交换相互作用，比早期在类似异质结构研究中报道的要强得多。[26]
1 -x} {\ rm pd} - pubdb
cerhsn带有CE原子，在六边形平面中形成了准晶格，最近在磁性挫败感驱动的量子临界性的背景下进行了讨论。此外，据报道，PD连续取代RH会导致磁性。在这里，我们研究了替代序列中4 F职业的变化CERH 1 -x pd X sn，用于x = 0、0.1、0.1、0.3、0.5、0.75，使用硬X射线（HAXPES）的光电光谱法（haxpes）。与组合完整的多重组和配置相互作用分析对核心水平光谱的定量分析显示，由于有效的4 F结合能ε4F的增加以及有效杂交V EFF的降低，4 F 0贡献的平稳降低，X的上升效果上升。我们将价带数据与计算的状态部分密度进行比较，并发现PD 4 d状态距离费米能量的CE 4 F状态比RH 4 d状态远离CE 4 F状态。实际上，在核心水平光谱的配置相互作用分析中，有效的结合能ε4F降低了相同的量。
金属有机框架的光催化潜力...
MOF由于其可调带间隙而成为光催化的有前途的材料，这使它们能够吸收光并产生用于光催化反应所需的电子孔对。带隙，价带（VB）和传导带（CB）之间的能量差，确定了MOF可以吸收的光的波长。通过仔细设计MOF中的有机配体和金属节点，研究人员可以调整带隙以匹配可见光或紫外线的能量。这种可调节性允许MOF有效利用轻能，从而促进反应性物种的产生，例如羟基自由基和超氧化物离子，这对于降解污染物至关重要。在用于光催化应用的各种类型的MOF中，有几种值得注意的MOF，具有适当的带隙用于光催化目的（图1）。首先，UIO型MOF的特征在于它们的稳健性和较大的孔径，在光催化反应中表现出了出色的性能，这是由于它们的高表面积和恶劣条件下的稳定性。mil-type MoF，具有开放金属位点和量身定制的孔结构，也具有增强的光吸收和电荷分离特性，使它们成为各种转化的有效光催化剂。
铅主导的超精细相互作用影响卤化物钙钛矿中的载流子自旋动力学
其在光伏应用领域的研究引起了人们的兴趣，因为它们的量子效率已经达到了 25.5% [1]，而且还扩展到辐射传感 [2,3] 和各种光电设备。[4–7] 达到高质量 MAPbI 3 、FAPbI 3 和 CsPbI 3 单晶的极限，与 MA、FA 和铯 (Cs) 阳离子混合物的组合结构成为最先进的钙钛矿材料，提高了量子效率并将结构稳定性从几天延长到几个月。[2,8–10] 由于基本物理性质接近其母结构，因此所提出的 FA 0.9 Cs 0.1 PbI 2.8 Br 0.2 可作为铅卤化物钙钛矿类的有效模型系统。与传统的 III-V 和 II-VI 半导体相比，钙钛矿在某种意义上具有反转的能带结构：价带 (VB) 态由 s 轨道形成，而导带 (CB) 态由 p 轨道贡献。强自旋轨道耦合，特别是 Rashba 效应 [11–14] 也会交换电子和空穴的自旋特性。[15,16] 因此，与晶格核的超精细相互作用由空穴而不是电子主导。钙钛矿能带结构为光学跃迁提供了清晰的极化选择规则，因此结合
半导体行业发展
根本性设计变革半导体通常是通过深度扩散工艺制成的，该工艺将掺杂剂（元素杂质）引入硅晶片的晶格中。掺杂剂将晶片转变为能够有效导电的器件。掺杂剂类型决定了每个半导体区域的导电特性：N 型掺杂剂（如磷）产生负电荷载流子区域，而 P 型掺杂剂（如硼）产生正电荷载流子区域。DSRD 还包含轻掺杂的本征区域。这个高温区域夹在 N 型半导体和 P 型半导体之间，半导体中的电传导主要由价带和导带之间的激发电子决定。控制掺杂剂的分布和每个半导体层的厚度对于确保最终器件的最佳性能至关重要。然而，多年来用于生产第一代 DSRD 的扩散工艺繁琐、耗时且成本高昂，使得很难根据需求调整制造时间表。 “掺杂剂扩散是一种标准的半导体制造工艺，但就 DSRD 而言，该工艺既无法得到很好的控制，也无法大规模生产，”MED 工程师、外延 DSRD 团队成员 Sara Harrison 说道。掺杂剂深入硅中所需的扩散过程可能长达一周以上，整个过程