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使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
摘要 — 采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下的可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺在极低温度下制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从同一器件的测量中收集的实际实验数据进行了比较。关键词-FD-SOI CMOS、硅量子点、量子计算、3D TCAD 模拟、低温
使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的极低温行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从具有相同几何形状的设备测量中收集的实验数据进行了比较。2. 简介量子计算机使用量子位 (qubit) 作为其构建块，有望利用量子力学在各种传统技术上提供颠覆性优势。硅中的量子点为实现物理量子位提供了一种有前途的方法。在这种架构中，量子信息被编码到量子点内单个电子或空穴的自旋中[1, 2]。