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World File Search System位错环
主题索引 - ASTM International
缺陷簇，78 变形，401 扩散辐射增强，516 扩散对，516 凹陷，3，15 位错，419，579 位错环，78，727，741 位移率，429 剂量-损伤相关性，221,727 剂量测定，605 dpa，221,429，446，479，553,727 落锤重量，208 延性断裂，15 延性-脆性转变温度，123，138，311,565
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 按照与美国能源部 (DOE) 签订的合同 DE-AC05-00OR22725 撰写。美国政府
虽然人们已经充分了解了 Al-Cu 合金在拉伸状态下的沉淀物-位错相互作用，但对蠕变行为的研究却少得多。新型热稳定 Al-Cu 合金具有 θ′ (Al 2 Cu) 作为强化沉淀物，在高达 300°C（约 60% 的熔化温度）及更高的温度下仍保持稳定，此时蠕变对机械行为至关重要。本研究使用原位中子衍射和扫描透射电子显微镜确定了此类 Al-Cu 合金中的沉淀物-位错相互作用。发生了向 θ′ 沉淀物的显著负载转移，这可归因于 θ′ 和 Al 基体界面上的位错环。因此，Orowan 环被确定为沉淀物-位错相互作用的主要活动。由于 Orowan 环和负载转移与显著的应变硬化有关，这些结果解释了这种合金中表现出的出色抗蠕变性，并为设计具有卓越蠕变性能的沉淀强化合金提供了见解。
这项工作是在
*通讯作者，电子邮件：cyprian.mieszczynski@ncbj.gov.pl摘要摘要McChasy Code的主要目标是，通过模拟在Cryselline结构和crysefters cryselline cropters cryselline cropters和collesters的过程中，在通道（RBS/c）中记录了Rutherford反向散射光谱实验实验，该光谱实验是在频道/c/c中复制了。该代码的2.0版本提供了模拟大型频道的可能性（Ca.10 8原子）基于晶体学数据或分子动态（MD）计算而创建的任意结构。在这项工作中，我们介绍了代码的当前状态以及最近对镍（Ni）单晶形成的扩展结构缺陷（边缘位错和位错环）的研究结果。描述了两种建模扩展缺陷的方法：一种使用McChasy Code（PEIERLS-NABARRO方法）开发的，另一种是通过MD（LAMMPS代码）对Ni结构进行修改和热化获得的另一种。由局部弹丸 - 通量密度分布在缺陷周围进行了定性和定量研究。1。在过去的几十年中，许多组对不同材料的辐射缺陷进行了广泛的研究。许多作者[1-4]将卢瑟福的反向散射光谱（RBS/C）技术用作分析离子植入单晶的结构特性的标准方法[1-4]。不幸的是，缺乏适当的RBS/C光谱分析和过度简化方法的工具，通常会引起误导性结果。因此，开发一个适当的工具，可以分别针对在研究晶体中形成的各种缺陷进行详细的定量分析。McChasy V.1.0是在八十年代末在国家核研究中心开发的[5,6]。该代码的第一个版本的主要原理是通过模拟He-ions在内部旅行