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World File Search System低噪声
起源空间望远镜的冷冻技术
摘要。起源太空望远镜（起源）对先前红外任务的科学能力的显着改善是基于其冷望远镜（4.5 K）与低噪声FAR-FAR-FAR-FAR-FAR-FAR-FER-FER-FER-FECTORS和超级IR探测器相结合的。少数新技术将使起源能够接近自然天然背景施加的基本灵敏度限制并提供开创性的科学。本文介绍了一个强大的计划，以使起源任务成熟，从而使Cryocooler技术从当前的最新技术（SOA）到技术准备水平（TRL）5到2025年，并通过Mission Preliminal Desirdiniary Design Review到TRL 6。与今天的SOA相对应的输入TRL为4或5，具体取决于所讨论的技术。©作者。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分配或复制这项工作需要完全归因于包括其doi在内的原始出版物。[doi：10.1117/1.jatis.7.1.011008]
2024 JINST 19 P04029
摘要：使用飞秒激光研究了为 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目生产的第二个单片硅像素原型的时间分辨率。ASIC 包含一个间距为 100 μ m 的六边形像素矩阵，由低噪声和非常快速的 SiGe HBT 前端电子设备读出。使用厚度为 50 μ m 的外延层、电阻率为 350 Ω cm 的硅晶片来生产完全耗尽的传感器。在测试的最高前端功率密度 2.7 W/cm 2 下，发现飞秒激光脉冲的时间分辨率对于由 1200 个电子产生的信号为 45 ps，对于 11k 个电子则为 3 ps，这大约相当于最小电离粒子产生的电荷最可能值的 0.4 倍和 3.5 倍。将结果与使用同一原型获取的测试光束数据进行比较，以评估电荷收集波动产生的时间抖动。
使用 Er/Yb：玻璃频率梳进行 10-18 级光学和微波计量
光学频率梳是精密计量实验必不可少的工具，其应用范围从痕量气体的远程光谱传感到光学原子钟的表征和比较，以实现精密计时，以及探索标准模型以外的物理现象。本文介绍了基于自由空间激光器和 Er/Yb 共掺杂玻璃增益介质的电信波段自锁模频率梳的架构和完整特性。该激光器为基于 Er：光纤激光器的频率梳提供了一种强大且经济高效的替代方案，同时提供与 Ti：蓝宝石激光系统类似的稳定性和噪声性能。最后，使用两个超稳定的 1157 nm 和 1070 nm 光学参考进行高稳定性频率合成，并通过将这些参考划分到微波域来产生低噪声光子微波，证明了 Er/Yb：玻璃频率梳的实用性。
通过基于双门MOSFET类AB放大器的制造实现
摘要 - 本研究工作通过使用Double-Gate（DG）MOSFET的应用程序设计了AB级放大器，该研究根据其未来的设计提供了有关如何利用放大器的见解。主要考虑是在音频放大器设计中使用DG MOSFET，用于低功率和低噪声，高功率的电压调节等。这种设计的挑战是将DG MOSFET作为突出组件的尝试，以证明它是通用电子应用中的可用组件。使用DG MOSFET（用于音频放大器）的AB类放大器的模型已设计，制造并以其频率和功率特性进行了分析。 该提议的设计具有2 W rms音频放大器的典型音频频率范围为20 Hz - 20 kHz。已设计，制造并以其频率和功率特性进行了分析。该提议的设计具有2 W rms音频放大器的典型音频频率范围为20 Hz - 20 kHz。
EuMC 2025 会议主题
无源元件、电路和子系统 E01 平面无源元件和电路 E02 平面滤波器和多路复用器 E03 非平面无源元件和电路 E04 非平面滤波器和多路复用器 E05 智能材料、RF MEMS、MOEMS 和 NEMS E06 超材料、可重构表面（包括频率、极化、传播）和电磁带隙结构 E07 互连和封装 - 从微波到 THz 电路 E08 增材制造、新兴材料（包括环保、生物来源）和可持续技术 有源元件、电路和子系统 E09 低噪声电路和模块 E10 频率生成、转换和控制 E11 前端和收发器模块、系统级封装技术 E12 功率放大器，包括效率增强、线性化和行为建模 E13 亚太赫兹和太赫兹元件、电路和系统E14 微波光子元件、电路与系统
电动汽车电池充电器 SEPIC 转换器的设计与仿真
摘要 - 本文介绍了用于电动汽车电池充电应用的单端初级电感转换器 (SEPIC) 的设计和仿真。SEPIC 转换器是一种 DC-DC 转换器，旨在提供稳定的输出电压，同时适应各种输入电压。SEPIC 转换器以其高效率和高可靠性而闻名，可以将输出电压调节为高于或低于输入电压。DC-DC 转换器因其低输出电压纹波和高效率而特别吸引研究人员，使其成为需要低噪声和高功率密度的应用的理想选择。DC-DC 转换器性能和可靠性的不断进步对于满足现代技术日益增长的需求至关重要。SEPIC 转换器与降压-升压转换器有相似之处，结合了降压和升压功能，具有输入和输出电压极性相同、效率高以及输出侧和输入侧之间电容隔离等优点。本文使用 MATLAB 软件对开环和闭环配置中的 SEPIC 转换器进行了仿真，并进行了介绍。
![arXiv:2401.01229v2 [physics.ins-det] 2024 年 2 月 11 日](/simg/7\7c8f638754f6a6deeb95ed0cf1caebbf17f0b4d3.webp)
arXiv:2401.01229v2 [physics.ins-det] 2024 年 2 月 11 日
摘要：使用飞秒激光研究了为 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目生产的第二个单片硅像素原型的时间分辨率。ASIC 包含一个间距为 100 𝜇 m 的六边形像素矩阵，由低噪声和超快的 SiGe HBT 前端电子设备读出。使用厚度为 50 𝜇 m 的外延层、电阻率为 350 Ω cm 的硅晶片来生产完全耗尽的传感器。在测试的最高前端功率密度 2.7 W/cm 2 下，发现飞秒激光脉冲的时间分辨率对于由 1200 个电子产生的信号为 45 ps，对于 11k 个电子则为 3 ps，这大约相当于最小电离粒子产生的电荷最可能值的 0.4 倍和 3.5 倍。将结果与使用相同原型获取的测试光束数据进行比较，以评估电荷收集波动产生的时间抖动。
微孔子频率梳子中的边带注入锁定
来自连续波驱动的Kerr-Nonlinear微音主管的频率梳已演变为一项关键的光子技术，并从光学通信到精度光谱法进行了应用。对于许多这些应用来说，是对梳子定义参数的控制，即载波 - eNvelope偏移频率和重复率。 一种控制两个自由度的优雅而全面的方法是将次级连续波激光器适当地注入到谐振器中，其中一个梳子线锁定在其上。 在这里，我们通过实验研究了微孔孔梳子中的侧带注射锁定，并在宽的光学带宽上研究了锁定范围和重复速率控制的分析缩放定律。 作为一个应用程序示例，我们证明了光频分割和重复率相位噪声降低至自由运行系统噪声的三个数量级。 提出的结果可以指导侧带注入锁定的，参数生成的频率梳子的设计，并具有低噪声微波生成的机会，具有简化的锁定锁定方案的紧凑型光学时钟，以及更一般而言的，从Kerr-Nonlinelear resonators获得的全面稳定的频率梳子。 ©2023作者。 所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。 https://doi.org/10.1063/5.0170224是对梳子定义参数的控制，即载波 - eNvelope偏移频率和重复率。一种控制两个自由度的优雅而全面的方法是将次级连续波激光器适当地注入到谐振器中，其中一个梳子线锁定在其上。在这里，我们通过实验研究了微孔孔梳子中的侧带注射锁定，并在宽的光学带宽上研究了锁定范围和重复速率控制的分析缩放定律。作为一个应用程序示例，我们证明了光频分割和重复率相位噪声降低至自由运行系统噪声的三个数量级。提出的结果可以指导侧带注入锁定的，参数生成的频率梳子的设计，并具有低噪声微波生成的机会，具有简化的锁定锁定方案的紧凑型光学时钟，以及更一般而言的，从Kerr-Nonlinelear resonators获得的全面稳定的频率梳子。©2023作者。所有文章内容（除非另有说明，否则都将根据创意共享归因（cc by）许可（http://creativecommons.org/licenses/4.0/）获得许可。https://doi.org/10.1063/5.0170224https://doi.org/10.1063/5.0170224
ETR 169 - 卫星地面站和系统 (SES) - ETSI
ACTE 终端设备审批委员会 BSS 广播卫星服务 CTR 通用技术法规 eirp 等效全向辐射功率 EMC 电磁兼容性 ERC 欧洲无线电通信委员会 ERMES 欧洲无线电信息系统 FSS 固定卫星服务 GSM 全球移动通信系统 ISDN 综合业务数字网 ITU-R 国际电信联盟 - 无线电通信 LMES 陆地移动地球站 LNB 低噪声块下变频器 LO 本振 NTP 网络终端点 ONP 开放网络配置 PBX 专用交换机 RES 无线电设备和系统 S-PCN 卫星个人通信网络 SES 卫星地球站（及系统；自 1993 年 6 月起） SNG 卫星新闻采集可移动地球站 TBR 法规技术基础 TC 技术委员会 TES 可移动地球站 TRAC 技术法规应用委员会 TTE 电信终端设备 TVRO 电视接收专用 UMTS 通用移动通信系统 VSAT 甚小孔径终端
具有 0.9 dB 噪声系数和 12.8- ... 的 RF p-GaN HEMT
摘要 — 深入研究了增强型 p-GaN 栅极高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的低噪声放大性能。该器件具有钨 (W) 栅极金属和与 CMOS 兼容的源极/漏极端子金属触点，表现出 2.7 V 的正阈值电压。在夹断区和导通区分别提取 3.8 pA/mm 和 16.3 nA/mm 的低栅极漏电流密度 (IG)。该器件在 2 GHz 时提供 15.8 dBm 的输入三阶截取点 (IIP3)，同时具有良好的线性特性对频率变化的免疫力。在 2 GHz 的工作频率下实现了 0.9 dB 的最小噪声系数 (NF min) 和 12.8 dB 的相关增益 (G a)。此外，通过检查偏置和频率对 NF min 和 G a 的影响，发现在 1 GHz 时 NF min 为 0.65 dB，G a 为 18.3 dB。这项工作为 p-GaN HEMT 在低噪声放大器应用中的利用铺平了道路。