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World File Search System使漏
APN318 47.2-51.4 GHz GaN 功率放大器
推荐组装说明 1. 旁路电容应为 100 pF（大约）陶瓷（单层），放置位置距放大器不超过 30 mil。 2. 在输入和输出上使用 <10 mil（长）x 3 x 0.5 mil 的带状线可获得最佳性能。 3. 必须按照指示从两侧偏置部件。 4. 如果漏极电源线干净，则不需要 0.1uF、50V 电容器。 如果要使用设备的漏极脉冲，请勿使用 0.1uF、50V 电容器。 安装过程
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
新闻稿
新闻稿 2023 年 4 月 13 日 | 立即发布 新加坡国立大学研究人员报告了使用牛奶衍生的细胞外囊泡治疗肠漏症的潜在新方法 据报道，牛奶衍生的细胞外囊泡 (mEV) 是一种存在于牛乳和人乳中的天然纳米颗粒，可恢复肠道屏障的完整性，防止细菌毒素泄漏到血液中，并缓解肠道和肝脏疾病。 新加坡，2023 年 4 月 13 日 肠道屏障对于营养吸收和防止有害物质泄漏到血液中至关重要。在患病情况下，肠道屏障的破坏可能会增加其通透性并导致“肠漏”。 “肠漏”综合征通常伴有慢性腹泻、便秘或腹胀等症状。它与许多疾病有关，包括炎症性肠病和非酒精性脂肪肝。这两种疾病在普通人群中都很常见，后者影响了约 40% 的新加坡人口，而炎症性肠病则影响了每 10,000 名新加坡人中的 1-3 名。但这两种常见疾病的治疗选择有限。因此，修复肠漏是治疗这些疾病的潜在策略。同时，牛奶作为大自然中第一种功能性食品，在肠道屏障和肠道免疫系统的发育中起着至关重要的作用。人乳和牛奶都富含细胞外囊泡 (mEVs)，这是一种纳米大小的颗粒，含有有益成分，可以提高肠道免疫力和肠道细菌的质量。然而，尚不清楚 mEVs 是否能保护肠道屏障并治疗肠漏。为此，新加坡国立大学杨潞龄医学院纳米医学转化研究项目和纳米医学中心的王炯伟助理教授与中国海洋大学易华熙教授合作，带领研究小组探究mEVs对肠漏的潜在治疗效果，相关研究发表在Science Advances上。王助理教授及其团队采用内部方法去除牛奶中的脂肪、蛋白质和乳糖，获得mEVs。他们发现，mEVs携带的大量蛋白质和小核酸与肠道屏障功能有关。从人乳和牛奶中提取的mEVs含有相似的治疗成分，并在实验室模型上证明了mEVs的治疗效果。
高压应用的可靠性设计
材料特性、环境因素和产品设计的结合可能会产生意想不到的副作用。例如，漏电流可能会随着时间的推移而增加，最终可能导致硬电弧和灾难性故障。过多的漏电流可能会在高阻抗反馈电路中产生错误，从而导致电压随时间和温度变化而漂移和稳定性问题。FR4 PWB 基板特别容易受到污染和吸收水分的影响。吸收的水分会降低 FR4 的玻璃化转变温度 (Tg)，使组件在具有动态热条件的应用中容易发生现场故障。封装系统中的杂质、不正确的填料或不完全固化可能会导致过高的漏电流，这些漏电流会随时间和温度的变化而呈非线性和不稳定状态，从而可能破坏高压系统的稳定性。另一个例子是高压电路特别容易受到电化学迁移的影响。水分会促进离子腐蚀形成导电细丝。重新分布的金属离子可能会发生枝晶生长。高压应力会加速这些电化学过程（尽管锡晶须可以在没有电磁场的情况下形成）。
S 波段脉冲射频操作期间功率 GaN-HEMT 的可靠性和故障分析
本文报告了两项 AlGaN / GaN 高电子迁移率晶体管 (AlGaN / GaN HEMT) 技术（器件“A”和器件“B”）的可靠性研究。对雷达应用的实际工作条件下承受应力的器件进行了故障分析研究。这些器件经过脉冲射频长期老化测试，11000 小时后射频和直流性能下降（漏极电流和射频输出功率下降、夹断偏移、跨导最大值下降、跨导横向平移以及栅极滞后和漏极滞后增加）。热电子效应被认为是钝化层或 GaN 层中观察到的退化和捕获现象的根源。光子发射显微镜 (PEM)、光束诱导电阻变化 (OBIRCH)、电子束诱导电流 (EBIC) 测量与这一假设一致。这三种技术揭示了沿栅极指状物的非均匀响应和不均匀分布，此外，在漏极侧或源极侧的栅极边缘上存在一些局部斑点。对这些斑点进行光谱 PEM 分析可识别出可能与位错或杂质等晶体缺陷有关的原生缺陷。对 AlGaN / GaN HEMT 的两种技术进行的原子探针断层扫描 (APT) 分析支持了这一假设。APT 结果显示存在一些化学杂质，如碳和氧。这些杂质在器件“A”中的浓度相对较高，这可以解释与器件“B”相比，该器件的栅极滞后和漏极滞后水平较高。
东芝的 AI 质量保证方法
*1 通过对商用制冷和空调设备进行持续监测的氟碳泄漏检测系统指南 *2 截至 2021 年 12 月。适用于风冷热泵型热源设备（风冷冷水机组）。东芝开利株式会社的研究 [参考] 东芝开利株式会社新闻稿 https://www.toshiba-carrier.co.jp/news/press/220126/ [参考] 东芝 SPINEX 市场 https://www.spinex-marketplace.toshiba/ja/services/tccr-net
65-...中总电离剂量响应的布局依赖性
然而，LDE 对辐射效应的影响尚不清楚，很少有论文关注这一问题，且有限的研究表明器件的辐射敏感性与版图有关。Rezzak 等人 [6] 首次研究了 90 nm 体硅 NMOS 器件中版图相关的总电离剂量 (TID) 响应，结果表明，由于浅沟槽隔离 (STI) 引起的压应力较弱，因此辐射诱导漏电流随栅极至有源区间距的增加而增大。对于 45 nm 应变 SOI RF nFET，不同的源/漏接触间距和栅指间间距可能导致 RF 性能和 TID 退化之间的权衡 [7]。很显然，关于 LDE 对纳米级器件辐射响应的实验研究还很有限，需要进一步研究。
AN-CM-362 升压转换器。单节 AA 或 AAA 电池手电筒
SLG47513 具有相对较低的电流输出，不适合在高频下驱动高电容负载（如 MOSFET 栅极）。但是，它们的数量充足，不仅可以将它们并联连接以增加输出电流（以及驱动 MOSFET 的能力），还可以组合推挽和开漏输出。这允许分别控制 MOSFET 的开启和关闭时间。在这种情况下，引脚 11、12、13 和 16 配置为 2x 推挽输出，并通过 R1 限流电阻对栅极进行充电和放电。但是引脚 3、4、5、6、8、14 和 15 配置为 2x 开漏输出（引脚 3 和 4 为 1x），直接连接到栅极，并且仅对其电容进行放电，从而加快 MOSFET 的关闭时间，提高转换器效率。
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。