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World File Search System使漏
IRHF7130 (JANSR2N7261)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHY57133CMSE (JANSR2N7488T3)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHNPC9A7214 产品数据表
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHNA57Z60 (JANSR2N7467U2)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
情况说明书 Hunters Point 海军造船厂
F 区概况 F 区覆盖约 443 英亩的海上码头和沉积物，过去曾用于船舶维修和保养。多年来，造船厂活动的溢漏和径流污染了旧金山湾的部分地区。主要污染物包括多氯联苯 (PCB)、铜、铅和汞。
防整建17662号 令和6年7月31日 各地方 ...
针对上述内容，关于确保工程建设等相关秘密的保存或保护（国防部指令第12号，2019年10月1日），依据同一法律第1条的规定适用的《关于设备等秘密指定的指令》（2024年国防部指令第10号）附录2中关于设备等秘密保存的特例规定，进行各种确认的必要事项已在随附文件中列出，请毫不遗漏地采取措施。
PROFACE - GP3000系列硬件手册 - HVS系统
省略 标准类型 D81K DIO 板类型（漏型） D81C DIO 板类型（源型） FN1M FLEX NETWORK 板类型 CA1M CANopen 板类型 *1 AGP-3500L 和 AGP-3500S 的尺寸与 12.1 英寸显示器相同。 *2 仅限 AGP-3510T/3560T。
CMOS 数字逻辑电路简介
图 14.1 (a) NMOS 和 (b) PMOS 晶体管作为开/关开关的操作。栅极电压控制晶体管开关的操作，电压 V DD 表示逻辑 1，0 V 表示逻辑 0。请注意，漏极和源极端子的连接未显示。
面向设计的全制度全区域7参数短路...
摘要 本文提出了一种基于反转电荷的 MOS 晶体管 7 参数分析模型，旨在开发考虑 MOS 晶体管物理特性的简化分析电路设计方法。所提出的面向设计的模型首次能够描述先进纳米技术的主要短沟道效应以及晶体管漏极电流对漏极电压的依赖性，同时该模型对所有偏置状态（从弱到强反转）和所有工作区域（线性和饱和）均有效。提出了一种基于器件物理的简单程序来估算给定技术的晶体管模型参数。此外，针对不同的设计场景开发了电流导数的解析表达式。通过直接与 28 nm FD-SOI 技术中 N-MOS 晶体管的硅测量值（沟道宽度为 1 µ m，沟道长度为 30 nm、60 nm 和 150 nm）以及使用行业标准紧凑模型执行的模拟进行比较，验证了所提模型的准确性。
高k电介质材料在短沟道中的性能...
摘要 — 当氧化层变薄，栅极长度变短时，MOSFET 器件中会出现短沟道效应 (SCE)。本研究的目的是寻找一种新的电介质和栅极材料来取代传统的氧化物二氧化硅 (SiO 2 ) 和多晶硅作为栅极材料。本研究的目的是研究使用不同类型的高 k 电介质材料和锗 (Ge) 作为栅极材料的 MOSFET 的性能。使用 Silvaco TCAD 工具制造和模拟 MOSFET 结构。基于电流-电压 (IV) 特性评估 MOSFET 的整体性能。结果表明，用 HfO 2 和 Ge 作为电介质和栅极材料制造的 MOSFET 具有较高的驱动电流，漏电流比传统 MOSFET 降低了 0.55 倍。因此，与 SiO 2 和多晶硅相比，MOSFET 结构中 HfO 2 和 Ge 的组合具有最佳性能，因为它在缩小器件尺寸时产生较小的漏电流和较小的 V th，从而降低 SCE。