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讨论 - ASTM International
David Franklin^ -问题：1.您用来预测辐照不锈钢设计性能的方程式之一包含辐照和未辐照材料面积减少的比率。这个参数的物理意义是什么？与均匀伸长率等其他参数相比，这个参数对辐照不是相对不敏感吗？2.EBR-II 反应堆内蠕变实验表明，除了在高温下，堆内蠕变对材料性能的影响与辐照后蠕变非常不同。那么，您如何预测辐照后蠕变对材料性能的影响。那么，您如何通过使用辐照后测试来预测蠕变保持时间的影响？3.疲劳测试的最新实验表明，由于保持时间而导致的损坏可能仅在钠冷反应堆中不存在的气氛中发生。这会影响您对堆内材料性能的预测吗？
具有移动双通道接收器的多静态雷达网络
我们提出了一种雷达网络解决方案，该解决方案由低成本、小尺寸的双通道接收器组成，可部署在无人机上，并在现有合作或非合作单基地凝视雷达的覆盖范围内运行。所提出的接收器利用双通道设计，因此使用参考通道和监视通道进行连贯操作，而无需网络节点之间共享同步参考信号，这是传统多基地雷达网络解决方案的主要限制之一。这降低了接收器与发射器保持时间和频率同步的要求，这不仅简化了系统设计考虑，而且还能够利用机会性和非合作性传输源。
电镜显微技术
时钟使能 (CKE) 将时钟门控到 SDRAM。如果 CKE 与时钟同步变为低电平（设置和保持时间与其他输入相同），则内部时钟从下一个时钟周期开始暂停，只要 CKE 保持低电平，输出和突发地址的状态就会冻结。CKE 变为低电平后，从下一个时钟周期开始，所有其他输入都将被忽略。当所有存储体处于空闲状态且 CKE 与时钟同步变为低电平时，SDRAM 从下一个时钟周期开始进入断电模式。只要 CKE 保持低电平，SDRAM 就会保持断电模式，忽略其他输入。断电退出是同步的，因为内部时钟被暂停。当 CKE 在时钟高电平沿之前至少“1CLK + t SS ”变为高电平时，SDRAM 将从同一时钟沿变为活动状态，接受所有输入命令。存储体地址 (BA0、BA1)
一种产生神经活动的自监督方法
有意义且简化的神经活动表示可以洞悉神经回路中信息的处理方式和处理内容。然而，如果没有标签，找到揭示大脑和行为之间联系的表示可能具有挑战性。在这里，我们介绍了一种用于学习解开神经活动表示的新型无监督方法，称为 Swap-VAE。我们的方法将生成建模框架与特定于实例的对齐损失相结合，试图最大化输入（大脑状态）的转换视图之间的表示相似性。这些转换（或增强）视图是通过丢弃神经元和随时间抖动样本来创建的，直观地说，这应该会使网络获得一种表示，该表示既保持时间一致性，又对用于表示神经状态的特定神经元保持不变。通过对来自不同灵长类动物大脑中数百个神经元的合成数据和神经记录进行评估，我们表明可以构建表示，以沿着与行为相关的潜在维度解开神经数据集。
M.E（eple.和Commu.-vlsi Design）_22032024.pdf
modulei：VLSI（10小时）VLSI设计概述的概述：历史透视，VLSI设计方法的概述，VLSI设计流，VLSI设计流，设计层次结构，规则性，模块化和局部性概念，局部性，VLSI设计样式，设计质量，包装技术，包装技术，CAD技术。MOS晶体管理论：金属氧化物半导体（MOS）结构的简介，长通道I-V特征，C-V特性，非线性I-V效应，直流传递特性。moduleii：ASIC（10小时）ASIC设计流：ASIC和SOC概论，ASIC流程概述，功能验证，RTL-GATE水平合成，合成优化技术，前时间验证，静态定时验证，静态定时分析，地板计划，平面图，放置和路线，提取，提取，外布置后，布局后验证，验证，验证。CMOS流程技术：制造过程流程 - 基本步骤，CMOS N-WELL过程，布局设计规则，贴纸图，全custom面膜布局设计。模块：MOS及其类型（10小时）MOS逆变器（静态特征）：电阻载荷逆变器，N型16 MOSFET负载的逆变器，CMOS逆变器。MOS逆变器（开关特性和互连效应）：延迟时间定义，延迟时间的计算，逻辑努力，具有延迟限制的逆变器设计，互连寄生虫的估计，互连延迟的计算，总线与网络连接（NOC）（NOC），CMOS INVERTERS CMOS INVERTERS的开关电源耗散。模块：CMOS（10小时）组合CMOS逻辑电路：MOS逻辑电路NMOS负载，CMOS逻辑电路，复杂的逻辑回路，CMOS传输门（PASS门），比率，比率，比率，动态和通过透视逻辑。顺序MOS逻辑电路：双稳定元素，SR闩锁电路，时钟闩锁和触发器电路的行为，CMOS D-LATCH和EDGE触发的触发器。正时路径，设置时间并保持时间静态，设置的示例并保持时间静态，设置和保持Slack，时钟偏斜和抖动，时钟，重置和电源分布。内存设计，SRAM，DRAM结构和实现。
R19 技术硕士十/十
高级数字系统设计 (PC – I) 单元 - I 处理器算法：二进制补码系统 - 算术运算；定点数系统；浮点数系统 - IEEE 754 格式，基本二进制代码。单元 - II 组合电路：CMOS 逻辑设计，组合电路的静态和动态分析，时序风险。功能块：解码器、编码器、三态设备、多路复用器、奇偶校验电路、比较器、加法器、减法器、进位超前加法器 - 时序分析。组合乘法器结构。单元 - III 序贯逻辑 - 锁存器和触发器，序贯逻辑电路 - 时序分析（建立和保持时间），状态机 - Mealy & Moore 机，分析，使用 D 触发器的 FSM 设计，FSM 优化和分区；同步器和亚稳态。 FSM 设计示例：自动售货机、交通信号灯控制器、洗衣机。单元 - IV 使用功能块进行子系统设计 (1) - 设计（包括时序分析）不同复杂程度的不同逻辑块，主要涉及组合电路：
项目管理中的人工智能
每一个多方面的项目都有其独特的问题和挑战，可以通过良好的项目管理实践来克服。同时兼顾项目管理的三大支柱，包括在确保质量的同时保持时间、预算约束之间的完美平衡，是一项具有挑战性的任务。有时，时间和成本超支仍然是各种项目类型中普遍存在的痛点。目前，项目管理实践正被各种行业（包括教育机构）一丝不苟地应用。在项目管理中使用人工智能方法可以提高项目管理生命周期应对不可预测性的能力。人工智能有效地产生了一种更全面、更称职的方式来完成许多项目管理功能，毫无疑问，它将在未来几年彻底改变项目管理。本研究的目的是确定人工智能技术在项目管理中的优势、劣势、机会和威胁 [SWOT]。这项研究将帮助各行业确定人工智能在项目管理中的最佳用途，以满足参与项目执行的所有项目利益相关者的需求。
通过量子经典自适应门控实现时间扭曲不变量子循环神经网络
摘要 自适应门控在通过经典循环神经网络 (RNN) 进行时间数据处理中起着关键作用，因为它有助于保留预测未来所需的过去信息，从而提供一种保持时间扭曲变换不变性的机制。本文以量子 RNN (QRNN)（一种具有量子记忆的动态模型）为基础，介绍了一类新型的时间数据处理量子模型，该模型保持了 (经典) 输入输出序列的时间扭曲变换的不变性。该模型称为时间扭曲不变 QRNN (TWI-QRNN)，它在 QRNN 中增强了一种量子-经典自适应门控机制，该机制通过经典循环模型选择是否在每个时间步骤中根据输入序列的过去样本应用参数化酉变换。TWI-QRNN 模型类源自第一原理，其成功实现时间扭曲变换的能力已在具有经典或量子动力学的示例上通过实验证明。
R18 B.Tech。 EEE教学大纲Jntu Hyderabad 1
高级数字系统设计（PC - I）单元 - I处理器算术：Two的补体编号系统 - 算术操作；固定点号系统；浮点数系统 - IEEE 754格式，基本二进制代码。单元-II组合电路：CMOS逻辑设计，组合电路的静态和动态分析，时机危害。功能块：解码器，编码器，三态设备，多路复用器，奇偶校验电路，比较器，加法器，减法器，随身携带的浏览器 - 定时分析。组合乘数结构。单位-III顺序逻辑 - 锁存和触发器，顺序逻辑电路 - 时序分析（设置和保持时间），状态机 - Mealy＆Moore机器，分析，使用D触发器，FSM设计，FSM设计，FSM优化和分区；同步器和标准化。FSM设计示例：自动售货机，交通信号灯控制器，洗衣机。单元 - IV子系统设计使用功能块（1） - 设计（包括时间分析）的不同逻辑块的不同复杂性的不同逻辑块，主要涉及组合电路：
电子封装设备中微焊点的热疲劳失效：综述
摘要：电子封装产品在使用过程中，焊点在温度循环作用下发生热疲劳，对电子产品的性能和焊点的可靠性有显著的影响。本文对微电子封装焊点热疲劳失效机理、热疲劳过程的组织变化、对焊点疲劳寿命的影响因素以及热疲劳寿命的仿真分析与预测进行了综述。研究表明，在交变温度循环的高温阶段，焊点发生不均匀粗化，导致疲劳裂纹的产生。但焊料厚度和高温阶段的保持时间对热疲劳影响不显著。随着循环次数的增加，粗化区和IMC层不断增厚，裂纹沿金属间化合物（IMC）层与粗化区界面萌生并扩展，最终导致焊点失效。对于含铅和无铅焊料，含铅焊料表现出更快的疲劳裂纹扩展速率，并以穿晶方式扩展。温度和频率对焊点热疲劳寿命的影响程度不同，焊点的疲劳寿命可以通过多种方法和模拟裂纹轨迹进行预测，也可以通过使用统一的本构模型和有限元分析进行预测。