XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System信号设计
垂直整合项目 (VIP) 计划
• 神经形态计算的应用、算法和架构 • 大脑和心智的认知神经工程 • 基于深度学习的光流估计 • 使用风筝传感器测量空气质量 • 神经形态计算的混合信号设计 • 室内环境中的机器人感应 • 电力和能源的未来 • 物联网无线系统 要参与 VIP，您必须正式申请并被特定团队接受。 要申请，请登录 ForagerOne (www.drexel.edu/foragerone) 并搜索“VIP”。 这将显示标记为 VIP 项目的所有可用空缺职位。 提交申请时，请确保已将更新的简历上传到您的 ForagerOne 个人资料，并说明您为何有兴趣在所申请的团队工作。 请注意，参与 VIP 团队需要注册随附的 VIP 课程部分。每季度所需的学分数是灵活的，将根据具体情况与团队的教师导师和学生的学术顾问协商确定；但是，大多数 VIP 团队成员每季度将注册一个学分。强烈鼓励长期、持续地参与该计划（三个或三个以上的季度在一个团队工作），并且可能需要这样做才能将获得的 VIP 学分计入学位要求。所有获得职位的申请人都将获得更多信息。如果您对某个团队有任何疑问，请随时联系该团队的教师导师。有关 VIP 计划的任何问题，请通过电子邮件 cam83@drexel.edu 发送给 Chad Morris 我们希望您能花时间考虑这个引人注目的新机会。我们期待收到您的申请！
计划演示指南
• “规划开发流程” - GDOT 项目开发政策和程序 • “佐治亚州侵蚀和沉积物控制手册” - GDOT • 土壤侵蚀和沉积物控制设计指南统一代码系统 • 部门公路排水设计手册 • 部门交通系统建设规范 • 部门标准和施工细节 • 部门施工后雨水 BMP 细节 • 佐治亚州土壤和水资源保护委员会佐治亚州侵蚀和沉积物控制手册 • “佐治亚州交通部土壤侵蚀和沉积物控制统一代码系统”图表，用于确定侵蚀控制计划中使用的适当代码。此图表也位于部门的施工细节中，并定期更新。 • 部门公用事业设施政策和标准手册 • “统一交通控制设备手册” - FHWA • GDOT 信号设计指南 • GDOT 标志和标记设计指南 • “车道和侵占控制规定” - GDOT • 政策和出版物 • “设计政策手册” - GDOT • “公路和街道几何设计政策”（当前批准版本）- AASHTO [通常称为“绿皮书”] • “设计标准政策 - 州际公路系统” - FHWA • “路边设计指南” - AASHTO • “道路和桥梁建设标准规范” - GDOT • “佐治亚州交通部路面设计手册” - GDOT • 佐治亚州交通部 MS4 施工后雨水报告模板 • AASHTO 自行车指南（自行车设施）2012 • 桥梁和结构手册 • 桥梁细节手册 • 上下文敏感设计手册 • 设计建造手册 • 环境程序手册 • 岩土 手动的
电动图像EEG信号编码的多视图CNN
目的：卷积神经网络（CNN）最近在解码脑脑成像（MI）脑部计算机界面（BCI）的脑电图（EEG）信号方面引起了很多注意，该信号设计用于改善中风康复策略。然而，脑电图信号的极其非线性，非平稳性质和各个受试者之间的多样性导致CNN模型过度拟合并限制其学习能力。在这项研究中，提出了具有多视图输入的密集连接的卷积网络。方法：首先，通过应用于脑电图信号的带通滤波器的CNN模型输入，从原始EEG信号中产生了不同的数据子集，以基于脑节律生成多个频率子频段信号。然后，分别基于整个频段和滤波器频段信号捕获时间和空间特征。此外，使用多CNN层的两个密集块，它们将每一层连接到馈送路径中的其他层，用于增强模型学习能力并增强信息传播。最后，使用一种串联融合方法来整合提取的特征和完全连接的层来最终化分类。结果：所提出的方法在韩国公立大学EEG数据集上达到了75.16％的平均准确性，该数据集由54个健康受试者组成，用于两级运动成像任务，高于其他最先进的深度学习方法。结论：提出的方法有效地从BCI系统中的EEG信号中提取了更丰富的运动图像信息，并提高了分类精度。
无线传感器网络：技术路线图
无线传感器网络 (WSN) 已成为研究和开发的重要领域。尽管 WSN 尚处于起步阶段，但其影响预计将十分深远，从日常生活到环境、栖息地、农业、医疗保健、汽车、危险区域、灾害多发区、防御应用到行星探测的远程监控。此外，它们还可用于监控和控制。事实上，它们构成了无处不在的传感、通信、计算和控制的基本组成部分。意识到这一领域的重要性，通信和信息技术部 (MCIT)、信息技术部 (DIT) 决定，明智的做法是集中精力推动这一非常重要的领域，并发布一份具有印度和国际视角的白皮书。考虑到这一点，2007 年 4 月 20 日，印度理工学院 (IITB) 举办了无线传感器网络研讨会。超过 50 名该领域的研究人员参加了研讨会。其中包括从事基础和应用方面的研究人员。随后，向印度和海外的 200 多名研究人员发送了一份 WSN 调查问卷。与所有调查一样，其中约有 10% 的人做出了回应。我们非常感谢参与本次调查的研究人员。白皮书整合了从本次调查中收到的评论。评论非常令人鼓舞，压倒性的观点是，印度应该大力推动这一领域，因为这是对社会产生重大影响的领域之一。自 2007 年 4 月研讨会以来，印度在 WSN 方面开展了大量工作。尽管如此，它仍需要进一步的推动力——特别是将通信工程师、计算机科学研究人员和开发人员以及混合信号设计工程师聚集在一起。另一个重点是传感器的设计——事实上，通信和计算比传感技术处于更先进的阶段。此外，任何 WSN 的前端都是传感器，因此需要对传感器的设计和开发进行重大推动。
Flash 架构
以及信息科学与应用国际会议 (ICISA) ⋅ 工程学院模拟与混合信号设计与测试中心委员会成员 ⋅ IEEE 微波理论与技术学报、IEEE 电子器件学报和 IEEE 固态电路杂志的技术审稿人 精选出版物 ⋅ S. Hamedi-Hagh、MY Siddiqui、M. Singh 和 S. Ardalan，“具有恒定回波损耗的低压数字控制 4GHz 可变增益放大器，”微电子选定领域杂志，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh 和 D.-H. Park，“纳米线晶体管在驱动纳米线 LED 中的应用，”电气电子材料学报，第 13 卷，第 2 期，第 73-77 页，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、M. Tabesh、S. Oh、NJ Park 和 D.-H. Park，“用于近场通信的 UHF CMOS 前端设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 6 卷，第 6 期，第 817-823 页，2011 年。⋅ Bindal, D. Wickramaratne 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术实现直接序列扩频基带发射器”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。⋅ Bindal, T. Ogura、N. Ogura 和 S. Hamedi-Hagh，“用于实现带扫描链的现场可编程门阵列架构的硅纳米线晶体管”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。 4，第 342-352 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh、JC Chung、S. Oh、NJ Park 和 DH Park，“用于 GPS 通信系统的高性能贴片天线的设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 342-352 卷。 4，第 2 期，282-286 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“下一代纳米线放大器的设计和特性”，《VLSI 设计杂志》，文章 ID 190315，2008 年。⋅ JC Chung 和 S. Hamedi-Hagh，“单芯片通信系统的 PCB 匹配电感器和天线的设计”，《国际微波科学与技术杂志》，文章 ID 287627，2008 年。⋅ Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“使用完全耗尽周围栅极晶体管的纳米线 CMOS 放大器的特性”，《纳米电子学与光电子学杂志》，第 4 卷，第 2 期，第 282-286 页，2009 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、S. Oh、A. Bindal 和 DH Park，“使用纳米线 FET 设计下一代放大器”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“用于高速模拟集成电路的硅纳米线场效应晶体管的 SPICE 建模”，IEEE Transactions on Sotoudeh Hamedi-Hagh 第 3/6 页纳米技术，第 7 卷，第 766-775 页，2008 年。⋅ Bindal、S. Hamedi-Hagh 和 T. Ogura，“用于现场可编程门阵列架构应用的硅纳米线技术”，纳米电子学与光电子学杂志，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。 3，第 2 期，第 1-9 页，2008 年。 ⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线晶体管及其在未来 VLSI 中的应用：16×16 SRAM 的探索性设计研究”，纳米电子学和光电子学杂志，第 2 卷，第 294-303 页，2007 年。⋅ Bindal、A. Naresh、P. Yuan、KK Nguyen 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计双功函数 CMOS 晶体管和电路”，IEEE 纳米技术学报，第 6 卷，第 291-302 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计新型脉冲神经元”，纳米技术杂志（物理研究所），第 2 卷，第 301-302 页，2007 年。 18，第 1-12 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“关于节能硅纳米线动态 NMOSFET/PMESFET 逻辑的探索性研究”，IEE 科学、测量和技术会议录，第 1 卷，第 121-130 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“使用硅纳米线技术实现交叉开关架构的静态 NMOS 电路”，半导体、科学和技术杂志（物理研究所），第 22 卷，第 54-64 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线技术对单功函数 CMOS 晶体管和电路设计的影响”，纳米技术杂志（物理研究所），第 17 卷，第 4340-4351 页，2006 年。