受控 Pauli-X 门,也称为 CNOT 门,是量子电路中非常常见且有用的门。这种门涉及 -量子比特系统中的两个量子比特 i 和 j。两个量子比特中的一个(称为量子比特 i )是目标量子比特,而另一个量子比特起控制作用。当控制量子比特 j 处于 | 1 ⟩ 状态时,将 Pauli-X 门(即非门)应用于目标量子比特 i ,该门会被翻转。当量子比特 j 处于 | 0 ⟩ 状态时,量子比特 i 不会发生任何事情。实际上,CNOT 门在量子计算和量子信息领域至关重要。事实上,单量子比特幺正门和 CNOT 门一起构成了量子计算的通用集:-量子比特系统上的任何任意幺正操作都可以仅使用 CNOT 门和单量子比特幺正门来实现(有关这一重要结果的完整证明,请参阅 [29,第 4.5.2 节])。 因此,在当前的实验量子机中,许多多量子比特门都是使用 CNOT 门和其他单量子比特门实现的。 在图 3 中,我们给出了这种实现的几个经典示例:可以使用 3 个 CNOT 门模拟 SWAP 门,可以通过 2 个 Hadamard 单量子比特门和一个 CNOT 门实现受控 Pauli-Z 门。 例如,这些实现用于 IBM 超导 transmon 设备(www.ibm.com/quantum-computing/)。
人文、艺术和社会科学学院 以下是人文、艺术和社会科学学院 2021 年冬季提供的课程的暂定清单,这些课程将满足广度要求。 有关公开课程,请查看:http://student08.ucr.edu/em/classes/ScheduleNew/Index.aspx?browse=Browse 此列表现已在以下网址提供:www.chassstudentaffairs.ucr.edu 文学学士学位要求。 (如果您达到 BA 要求,则自动满足理学学士学位要求)* 具有先修课程的自然科学/数学领域(5 门课程/20 个学分)数学、计算机科学、统计学(1 门课程)CS 5 计算机编程简介 CS 6 万维网的有效使用 CS 8 计算机简介 CS 10A/10/B/10C* 科学、数学和工程 CS 简介 CS 11/数学 11* 离散结构简介 CS 61* 机器组织和装配语言程序数学 4* 工商管理和社会科学大学数学简介数学 5* 大学数学简介数学 6A*/6B* 科学大学数学简介数学 9A*/9B*/9C* 一年级微积分 数学 10A*/10B* 微积分:多变量 数学 22* 商务微积分 数学 31* 应用线性代数 数学 46* 常微分方程简介 统计 48* 商务统计 生物科学(1 门课程) BIOL 2 生命的细胞基础 BIOL 3 生物及其环境 BIOL 5A&5LA* 细胞和分子生物学简介 BIOL 5B* 简介:生物生物学 BIOL 5C* 进化与生态学导论 BPSC 11 植物与人类事务 BPSC 21 加州丰饶角 BPSC 50/ENTM 20进化的证据 ENTM 10 昆虫的自然历史 物理科学(1 门课程) CHEM 1A*/CHEM1B* 普通化学 GEO 1 地壳与内部 GEO 2 地球历时的气候 GEO 4 自然危害与灾害 GEO 9 海洋学 GEO 10 地球资源与可持续性 GEO 11 全球气候变化 GEO 12 宇宙之家 GEO 13 太阳系 PHYS 2B*/2C* 普通物理学 PHYS 7 时空、相对论与宇宙学 PHYS 37 宇宙的起源 PHYS 40A*/40B*普通物理 自然科学领域的附加课程: EE 5 电路与电子学 ENSC 2 环境质量社会科学(4 门课程) 经济学或政治学(1 门课程) ECON 2 宏观经济学简介 ECON 3 微观经济学简介 POSC 5W* 政治意识形态(亦符合 ENGL1C) POSC 10 美国政治 POSC 15 比较政治学 POSC 17 欠发达世界的政治 POSC 20 世界政治 人类学、心理学或社会学(1 门课程) ANTH 1 文化人类学 ANTH 2 生物人类学 ANTH 5考古学导论 ANTH 7S 语言人类学导论 PSYC 1 心理学导论 PSYC 2 心理学导论 PSYC 11* 心理学方法:统计处理 PSYC 12* PSYCHLGCL 方法:研究过程 PSYC 49 大脑中的决策 SOC 1 社会学概论 SOC 2G 全球变化与不平等简介 SOC 2S 社会问题 SOC 3* 社会学的理论视角 SOC 4* 社会学研究方法 SOC 5* 统计分析 SOC 10 社会学想象力 SOC 30 身份与社会 社会科学领域的附加课程: LABR 1 劳动研究简介 GBST 1 全球历史、文化与思想 GSST 01S 性别与性 GSST 21 性别与可持续性 GSST 30 针对妇女的暴力行为 民族研究(1 门课程) (H=人文科学;SS=社会科学) ETST 1 (H/SS) 种族与民族研究简介 ETST 2 (SS) 奇卡诺研究:简介 ETST 3 (H/SS) 简介:非洲裔美国人 STDS CMP PERS HIST/ETST 4 (H) 奇卡诺历史 ETST 5 (H/SS) 亚裔美国人研究 ETST 7 (H/SS) NATV 美洲 STDS IN COMP PRSPCTV RLST/ETST 12 (H/SS) 宗教神话与仪式
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1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.,1111布达佩斯,匈牙利4物理系,布达佩斯大学技术与经济学,M€uegyetem RKP。 3.,1111 Budapest,匈牙利5物理学系,科学系,许多大学,Al-Geish St.,31527 Tanta,Gharbia,Gharbia,Gharbia,埃及6 Microtechnology and Nanoscience系,Chalmers Technology,41296 g 41296 g欧特伯格,Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132,84084 Fisciano,意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”,萨勒诺研究的大学,通过Giovanni Paolo II 132,84084 Fisciano,salerno,意大利,意大利> > >1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.,1111布达佩斯,匈牙利4物理系,布达佩斯大学技术与经济学,M€uegyetem RKP。3.,1111 Budapest,匈牙利5物理学系,科学系,许多大学,Al-Geish St.,31527 Tanta,Gharbia,Gharbia,Gharbia,埃及6 Microtechnology and Nanoscience系,Chalmers Technology,41296 g 41296 g欧特伯格,Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132,84084 Fisciano,意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”,萨勒诺研究的大学,通过Giovanni Paolo II 132,84084 Fisciano,salerno,意大利,意大利> > >
我们表明,由所有一位量子门(u(u(2))组成的一组门和两位独家或门(将布尔值(x,y)映射到(x,x,x,x,x,y))在所有对所有统一操作上都可以在任意的n(u(2 n)上都可以表达为这些gates的构图。我们调查了实现其他门所需的上述门的数量,例如通用的deutsch-to oli门,这些门将特定的U(2)适用于一个输入位,并且仅当逻辑和所有其余所有输入位时,就满足了一个输入位。这些门在许多量子构造网络的构造中起着核心作用。我们在建立各种两位和三位数的大门所需的基本门数量上得出了上限和下限,这是n-bit deutsch-to to oli大门所需的渐近数,并就任意n-bit n-bit单位操作所需的数量进行了一些观察。PACS编号:03.65.ca,07.05.bx,02.70.rw,89.80。+H
摘要 - 使用Double-Gate(DG)MOSFET设计了差分交叉耦合电压控制的振荡器(VCO)。DG MOSFET具有高噪声图的出色噪声免疫力,适用于低功率,高频应用。该提出的VCO是使用差分拓扑设计的,具有提高功耗,设计灵活性和降低噪音的提高。这也提高了现有差分放大器的高频性能。此后,将提出的VCO与制造和设计方法进行了比较,尤其是基于硅的CMOS和单栅(SG)MOSFET VCOS(可能)的替代方法。遵循各种印刷电路板(PCB)设计实践,以最大程度地减少噪声并提高电路的整体效率。进行该VCO分析的关键参数是功率的输出功率,相位噪声和数字,在峰值处已实现为-2.91 dbm和1 MHz的-69.79 dbc/hz。设计VCO的功耗为36兆瓦。关键字 - MOSFET,双门MOSFET,差分放大器,微电子,纳米技术,VLSI,VCO。1。简介
性质 性质 性质 性质 性质 值 值 值 值 值 备注 备注 备注 备注 备注 ••••• 方法 方法 方法 方法 方法 pH值 pH值 pH值 pH值 pH值 无资料 未知 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 > 155 °C 分解 初沸点和沸程 初沸点和沸程 初沸点和沸程 初沸点和沸程 初沸点和沸程 无资料 未知 闪点 闪点 闪点 闪点 闪点 无资料 未知 蒸发速率 蒸发速率 蒸发速率 蒸发速率 蒸发速率 无资料 未知 易燃性 易燃性 易燃性 易燃性 易燃性 无资料 未知 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 未知 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 无资料 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 无资料 蒸气压 蒸气压 蒸气压 蒸气压 蒸气压 无资料 未知 相对蒸气密度 相对蒸气密度 相对蒸气密度 相对蒸气密度 相对蒸气密度 无资料 未知 相对密度 相对密度 相对密度 相对密度 相对密度 无资料 未知 水溶性 水溶性 水溶性 水溶性 水溶性 无资料 未知 溶解度 溶解度 溶解度 溶解度 溶解度 无资料 未知 分配系数 分配系数 分配系数 分配系数 分配系数 无资料 未知 自燃温度 自燃温度 自燃温度 自燃温度 自燃温度 无资料 未知 分解温度 分解温度 分解温度 分解温度 分解温度 无资料
性质 性质 性质 性质 性质 值 值 值 值 值 备注 备注 备注 备注 备注 • 方法 方法 方法 方法 方法 pH值 pH值 pH值 pH值 pH值 无资料 未知 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 熔点 / 凝固点 无资料 未知 初沸点和沸程 初沸点和沸程 初沸点和沸程 初沸点和沸程 初沸点和沸程 无资料 未知 闪点 闪点 闪点 闪点 闪点 无资料 未知 蒸发速率 蒸发速率 蒸发速率 蒸发速率 蒸发速率 无资料 未知 易燃性(固体, 气体) 易燃性(固体, 气体) 易燃性(固体, 气体) 易燃性(固体, 气体) 易燃性(固体, 气体) 无资料 未知 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 空气中的燃烧极限 未知 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 燃烧或爆炸上限 无资料 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 燃烧或爆炸下限 无资料 蒸气压 蒸气压 蒸气压 蒸气压 蒸气压 无资料 未知 蒸气密度 蒸气密度 蒸气密度 蒸气密度 蒸气密度 无资料 未知 相对密度 相对密度 相对密度 相对密度 相对密度 无资料 未知 水溶性 水溶性 水溶性 水溶性 水溶性 无资料 未知 溶解度 溶解度 溶解度 溶解度 溶解度 无资料 未知 分配系数 分配系数 分配系数 分配系数 分配系数 无资料 未知 自燃温度 自燃温度 自燃温度 自燃温度 自燃温度 392.8 °C 分解温度 分解温度 分解温度 分解温度 分解温度 无资料 未知 运动粘度 运动粘度 运动粘度 运动粘度 运动粘度 无资料 未知 动力粘度 动力粘度 动力粘度 动力粘度 动力粘度 无资料