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海岸至首都 LEP 获得建设基金
在 Coast to Capital LEP 中，获得资助的项目预计将提供一揽子项目，涵盖广泛的干预措施，帮助 Coast to Capital 从新冠疫情中恢复经济，并提供宝贵的基础设施和就业机会。该计划的核心是提议在克劳利建立一个新创新中心，汇集主要的创新型企业，以克劳利现有的技术产业优势为基础。这些计划涵盖了广泛的关键优先事项，包括：城镇复兴、创造就业机会、数字基础设施、绿色技术和技能。在奇切斯特大学建立一所新的护理和相关健康服务学院将有助于满足 NHS 应对新冠疫情挑战的需求。
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1美国德克萨斯州休斯顿休斯顿卫理公会医院2Charité大学，德国柏林3Charité大学3弗罗克劳夫大学，波兰弗罗克劳夫4密歇根大学医学院，美国密歇根州安阿伯市，美国密歇根州安阿伯市5临床开发，拜耳，柏林，德国，德国8 R＆D，临床数据科学与分析，拜耳，雷丁，英国雷丁9心血管和肾脏，美国医学事务，美国医学事务，拜耳，美国有限责任公司，美国马萨诸塞州波士顿，美国马萨诸塞州（数据分析时有隶属关系）10 Steno糖尿病中心，Copenhagen，Copenhagen，Denmark deNmark
如何解决人工智能中的偏见 - UPenn CIS - 宾夕法尼亚大学
另一个主要的偏见来源是人工智能最初用来帮助它了解世界的标签。凯特·克劳福德 (Kate Crawford) 是微软的人工智能研究员，也是纽约大学 AI Now 的创始人之一，该研究所专注于人工智能的社会影响。2019 年，克劳福德与艺术家特雷弗·佩格伦 (Trevor Paglen) 合作开展了一项名为“数据集考古学”的艺术项目。他们采用了最大、使用最广泛的图像数据集之一 ImageNet，并研究了其标记和构建的值。他们的工具名为 ImageNetRoulette，“经常返回厌恶女性、种族主义和残忍的标签”。这些标签现在已成为许多图像识别系统的嵌入部分，该项目有助于展示人工智能系统的系统性偏见如何成为我们世界中普遍存在的特征。
加拿大镍业公司签署最终协议，成立 ExploreCo 并合并 Crawford 地表开采权
首席执行官马克·塞尔比表示：“今天的公告确保了 32,000 英亩地表权的使用权，这是公司完成许可并朝着 2025 年克劳福德建设决策迈出的又一个关键步骤。作为地表权协议的一部分，公司将把金斯米尔镇和马比镇的 47,750 英亩采矿权（这些地方没有已知的勘探目标）转让给地表权持有人。此次转让旨在为大片土地创造未来的确定性，促进可持续林业和野生动物栖息地保护的有效发展。我们为在释放克劳福德项目和蒂明斯镍业区的潜力方面取得的进展感到自豪，建设一个有利于环境并支持子孙后代的未来。”
诺贝尔奖颁给阿兰·阿斯派克特 (Alain Aspect)、约翰·克劳泽 (John Clauser) 和安东·蔡林格 (Anton Zeilinger)
这时，约翰·克劳泽 (John Clauser) 出现在了故事中：首先，当他还是哥伦比亚大学的研究生时，他发现了贝尔定理的一个修改版本，其中的不等式可以应用于实际实验（使用纠缠光子对和对各种极化方向的测量）；然后在 1972 年，他与伯克利大学的 Stuart Freedman 一起进行了第一个实验，最终证明贝尔不等式被违反了 5 个标准差以上 [3]。这个实验使用灯来激发原子（激光时代之前！），是一个杰作，数据采集时间为 200 小时。克劳泽的结果后来由 Fry 和 Thompson 在 1976 年通过类似的实验证实。与此同时，从 1974 年开始，Alain Aspect 参与了一项计划，其中通过相对论论证来强制执行对中每个光子的偏振测量之间的独立性。在奥赛光学研究所进行的这些实验中，每个偏振器的设置都在随时间快速变化，因此两个检测通道之间不可能交换有关此设置的信息：在创建纠缠光子对之后，对光子偏振的测量基础的选择已经完成，局域性条件（这是贝尔定理的一个基本假设）成为爱因斯坦因果关系的结果，可防止任何超光速的影响。这导致了 1982 年发表的
半导体直拉生长的最佳对流条件
由于碳浓度对于高功率器件至关重要，因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器，以及即将在微电子（高速 FET 和 HEMT 器件）和功率器件（FET 阵列）中应用，到目前为止，砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度（液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”），位错问题已有所缓解。然而，腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化，典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2，以及实现用于高速设备的半绝缘材料（没有高度扩散的补偿铬）所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产（产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片）。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流，它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布（和数量？）。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式，并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。
