内部程序

en25q80c（2a）

页面编程以编程一个数据字节，需要两个说明：写入启用（WREN），这是一个字节，以及一个页面程序（PP）或Quad Input Page Program（QPP）序列，由四个字节加数据组成。这是内部程序周期（持续时间t pp的）。要散布此开销，页面程序（PP）或Quad Input Page Program（QPP）指令允许一次编程（从1更改为1），只要它们位于内存的同一页面上的连续地址，就可以进行256个字节。部门擦除，半块擦除，块擦除和芯片擦除页面程序（PP）或Quad Input Page Program（QPP）指令允许重置位1到0。可以在应用此之前，需要将内存字节删除到所有1s（FFH）。可以使用扇区擦除（SE）指令一次实现这一部门，一次使用半块擦除（HBE）指令，一次使用块擦除（BE）指令或在整个内存中使用芯片擦除（CE）指令一次块。这开始了一个内部擦除周期（持续时间，t hbe，t be或t ce）。擦除指令必须先进行写入启用（WREN）指令。在写作，程序或擦除周期期间进行调查，可以通过不等待最坏的情况延迟（t w，t pp，t pp，t se，t hbe，t e或t be或t ce），可以进一步改善写作状态寄存器（WRSR），程序（PP，QPP）或擦除（SE，HBE，BE或CE）的进一步改善。当芯片选择（CS＃）较低时，启用设备并处于主动功率模式时，主动功率，备用功率和深度降低模式。设备的消耗量下降到I CC1。在状态寄存器中提供了正在进行的写入（WIP）位，以便该申请程序可以监视其值，并将其轮询以确定上一个写入周期，程序周期或擦除周期完成何时完成。当Chip Select（CS＃）较高时，设备将被禁用，但可以保留在活动的功率模式下，直到所有内部周期都完成（程序，擦除和写入状态寄存器）。然后设备进入待机电源模式。执行特定指令（Enter Deep Down Mode（DP）指令）时，将输入深度降低模式。设备的消耗进一步下降到I CC2。该设备保留在此模式下，直到执行另一个特定的指令（从深度降低模式和读取设备ID（RDI）指令）为止。当设备处于深度降低模式时，所有其他说明都将忽略。这可以用作额外的软件保护机制，当设备没有主动使用时，可以保护设备免受无意的写入，程序或擦除指令。使用非易失性存储器的写保护应用程序必须考虑噪声和其他不利系统条件的可能性，这些条件可能会损害数据完整性。解决这个问题