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World File Search System冷却的
降低了延长的期限LED的表面重组，朝向电致发冷却的Krabben，L.M。van der； Gruginskie，n。埃尔登（Eerden），马顿·范（Maarten Van）；
摘要：iii-v半导体发光二极管（LED）是证明电致发冷却的有前途的候选人。但是，异常高的内部量子效率设计对于实现这一目标至关重要。可以防止基于GAAS的设备中统一内部量子效率的重要损失机制是周长侧壁的非辐射表面重组。为了解决此问题，提出了非常规的LED设计，其中从中央电流注入区到设备周边的距离延长了，同时保持恒定的前触点网格大小。这种方法有效地将周长移动到电流密度10 1-10 2 A/cm 2的电流密度以外的横向扩散。在P - I-N GAAS/INGAP双重杂结LED中，用不同尺寸和周长扩展制造的LED，通过将外周向接触距离从250μm扩展到250μm的前触点尺寸，可实现19％的外部量子效率。利用内部开发的光子动力学模型，估计内部量子效率的相对相对增加为5％。这些结果归因于由于较低的周边面积（p/a）比，周长重组的重组显着降低。但是，与通过增加LED的前触点网格大小来降低P/A比相反，目前的方法可以改进这些改进，而不会影响前触点网格下显微镜活性LED所需的最大电流密度。这些发现有助于在LED中进行电致发冷却的进步，并可能在其他专用的半导体设备中有用，在这些专用的半导体设备中，在外围重组是限制的。关键字：电致发冷却（ELC），微型LED（发光二极管），III-V半导体，电流扩散，周边重组，表面钝化
利用人工智能加速可持续发展：剧本
在微软，我们不断研究和创新方法，使我们的数据中心和 AI 系统更加节能节水。7,8,9 我们正在减少对市政淡水用于数据中心冷却的依赖，并投资于水资源紧张的盆地的水补给。我们还一直在开发先进的冷却方法，例如液体冷却，以支持具有较低能源和水开销的 AI 芯片。7,8,10 我们与绿色软件基金会合作开发和推进碳感知软件实践，例如设计为在使用碳密集度最低的电力来源的时间和地点运行的软件。这些原则适用于所有软件工作负载，包括 AI。
用流体包裹的电路可能会重塑数据中心设计
dave Martinez是桑迪亚基础设施计算的工程计划项目负责人，设想建立世界上最节能的数据中心。该中心不仅要减少能源消耗，还要用于用于各种用途的废热，包括供暖建筑物和预热实验室水。Dave领导Sandia参与Coolerchips，这是一项DOE先进的研究项目机构能量倡议，旨在定义高性能计算中液体冷却的未来。补充说，他在能源有效的高性能计算中发挥了重要作用，这是一个拥有1000名成员的全球组织，他是基础设施的负责人。
结合温度和降水，以限制气溶胶对观察到的气候变化的贡献
摘要：利用过去来改善未来的预测，需要对气候和温室气体（GHG）（GHGS）对观察到的气候变化的个人气候贡献进行理解和定量，这受到气候溶液强迫和反应的大量不确定性的阻碍。为了估算历史气溶胶响应，我们通过结合观察到的热带潮湿和干燥区域观察到的变化的信号，半明确温度不对称的温度不对称，全球平均温度（GMT）以及全球平均降水（GMLP）（GMLP）的信号来归因于温度和降水的关节变化。指纹代表气候反应对气溶胶（AERS）和其余的外部强迫（NOAER；主要是GHG）源自来自历史单和所有模型的大型组合，该模型来自耦合模型对间隔项目的第6阶段的三个模型，并使用完美的模型研究选择。是由不完善的模型研究和水文灵敏度分析支持的，该分析支持了我们选择温度和降水细纹的选择。我们发现，包括温度和降水在内的诊断效果稍微更好地限制了纯粹基于温度或仅基于GMT的诊断，并允许AER冷却的归因（即使在纤维上不包含GMT时）。这些结果在来自不同气候模型的纤维上具有鲁棒性。AER和NOAER的估计贡献与其他已发表的估计值一致，包括最新IPCC报告的估计。最后，我们将气溶胶诱导的冷却的0.46 K（[2 0.86，2 0.05] k）的最佳估计归因于2010年Noaer升温的1.63 K（[1.26，2.00] k），相对于1850年至1900年，使用GMT和GMLP的综合信号。
开发低分辨率，低功率和低成本红外系统
如今，红外热仪越来越流行，并在各个应用领域中使用，例如环境保护，土木工程，医学，空间，军事和科学。这是半导体技术取得重大进展的结果，导致低噪声，高度积分和节能的集成电路。应用领域似乎是无限的，因为在高于0k≈–273°C的温度下的每个物体都会发出电磁辐射[1-4，7，8]。通常观察到的图像在可见的光谱中被观察。通常，更有趣和更有用的是有关电磁辐射的“无形”带中获得的对象的其他信息[3，4]。这样的辐射是红色辐射，它构成了电势波长1 与热成像相机的检测器不同，人眼本身无法检测到，更不用说测量辐射的波长了。 红外探测器是热成像摄像头的主要元素。 提出的项目使用由无定形硅（A-SI）制成的LWIR光谱范围内运行的微量光度检测器。 目前，还有其他可用的检测器。 在许多情况下，在低温下，有光子检测器在低温下运行[2]。 直到2000年，只生产了用液氮冷却冷却的探测器，毛发系统和stirling泵。 在热ima- 中与热成像相机的检测器不同，人眼本身无法检测到，更不用说测量辐射的波长了。红外探测器是热成像摄像头的主要元素。提出的项目使用由无定形硅（A-SI）制成的LWIR光谱范围内运行的微量光度检测器。目前，还有其他可用的检测器。在许多情况下，在低温下，有光子检测器在低温下运行[2]。直到2000年，只生产了用液氮冷却冷却的探测器，毛发系统和stirling泵。在热ima-
在硅CCD摄像机中的两光子成像的空间变窄
I. i ntroduction t wo-photon吸收（TPA）成像吸引了许多学科的许多兴趣，例如生物学，医学，材料和纳米技术[1] - [4]。tpa固有地是一个非线性过程，其中通过同时吸收两个光子来实现从基态到激发态的转变。这启用了独特的微观技术，即两光子荧光显微镜[1]，可以在复杂的生物样本中进行更深入的渗透和更好的三维分辨率[5]。最近，TPA的非线性响应探索了半导体中的非线性响应，尤其是在光dectortor中[6] - [8]。与晶体中的其他光学非线性过程不同，例如第二次谐波，KERR效应，半导体中的TPA可以在时间门控中超快[7]，对时间相变化和极化不敏感[9]，为成像目的提供了独特的机会[9]。例如，已经证明类似于光学相干断层扫描（OCT）配置的TPA成像[10]对时间和空间湍流不敏感[9]，该[9]可用于通过不透明的散射介质进行成像[11]。超过三维中级成像[12]，可以使用非排效的TPA获得，其不冷的GAN光电二极管具有与传统的液态硝基冷却的HGCDTE（MCT）检测器相当的效率[8] [8]，在其中扩展了Nondegenerate TPA，可以扩展到探测范围，并延伸到辅助范围中。超过三维中级成像[12]，可以使用非排效的TPA获得，其不冷的GAN光电二极管具有与传统的液态硝基冷却的HGCDTE（MCT）检测器相当的效率[8] [8]，在其中扩展了Nondegenerate TPA，可以扩展到探测范围，并延伸到辅助范围中。
自然对流和强制对流条件下表面贴装和嵌入式元件印刷电路板的比较分析
摘要：本文致力于研究电子设备的物理可靠性。它包括对印刷电路板上表面安装和嵌入式组件的冷却效率的比较热分析。构建了带有表面组件的印刷电路板热分布的模拟有限元模型。实验证实了建模结果的客观性。然后根据安装方法（表面和嵌入式）和冷却方法（自然和强制，不同气流速度）分析了组件的温度。结果表明，在自然对流下，嵌入式组件的温度低于表面安装组件的温度，在大多数情况下，在强制对流下（强制冷却的气流速度低于 16 m