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World File Search System冷压
气候变化对冷死亡率的影响
在2000年至2019年之间，Zhao等人。（2012）报告说，尽管与热有关的死亡人数3占全球死亡人数的1％（每年约50万人死亡，从0.91％增加到2016 - 2019年期间的1.04％），但与九倍的人相关的死亡人数约为9倍（但从2000年至2000年至2003年的十次下降到2016年的八倍，这一百分比减少了十次，占了2016年9月9日至2016年的时间。在全球范围内，大约有500万次与冷和冷的死亡人数：整个期间的总死亡人数为8.52％，2016 - 2019年期间8.19％。自2000年以来的温度升高，与热有关的死亡人数增加了0.21％（116,000人死亡），而与冷的死亡人数下降了0.51％（283,000人死亡）。地理上存在很大的变化，亚洲总超过多余的死亡发生了一半以上。东欧的热量最高，撒哈拉以南非洲的死亡率最高。北美大约有171,000人与冷的死亡（3.73％）和约20,000例与热有关的死亡（4.10％）。
通用保护继电器，PowerLogic P3U 3CT 1Io 16DI 8DO 24-48V DI24 RJ45 RS232 RL
保护功能 相过流 50/51 方向相过流 67 接地故障过流 50N/51N 方向接地故障 67N 瞬时接地故障 67NI 电容器组不平衡 51C 断线 46 I2/I1 冷负荷启动 H2 检测 68H2 H5 检测 68H5 冷负荷启动 59 断路器故障 50BF 开关闭合至故障 (SOTF) 方向有功功率不足 37P 故障定位器 21FL 重合闸 79 相欠流 37 启动时间过长，转子堵转 48/51LR 电机重启抑制 66 电容器过压 59C 负序过流 46 开关闭合至故障 (SOTF) 50/51 过压 59 欠压 27 正序欠压 27P 接地故障过压 59N 欠频 81/81N 频率变化率 81R同步检查 25 闭锁继电器 86 CT 监控 60 VT 监控 60 可编程阶段 99 8 可编程曲线
SPE04M60H-AG
图 6：欠压保护时序图(高侧) Fig 6：Undervoltage protection sequence diagram (High side) b1 : 电源电压上升：当该电压上升到欠压恢复点，在下一个欠压信号被执行前该线路将启动运行。 b1: Power supply voltage rise: When the voltage rises to the undervoltage recovery point, the line will start running before the next undervoltage signal is executed. b2 : 正常运行 : MOSFET 导通并加载负载电流。 b2: Normal operation: MOSFET is turned on and load current is applied. b3 : 欠压检测 (UV BSD ) 。 b3: Undervoltage detection (UV BSD ). b4 : 不管输入是什么信号， MOSFET 都是关闭状态。 b4: No matter what signal is input, MOSFET is off. b5 : 欠压恢复 (UV BSR ) 。
中压电缆 XLPE 系统
Borealis 为公用事业和可再生能源应用提供行业领先的中压电力电缆化合物。我们的树木阻燃交联聚乙烯 (TR-XLPE) 绝缘材料 (Borlink™ LE4212) 已在 20 多年的使用历史中证明是可靠的。采用 Borealis 绝缘材料和半导体屏蔽层制造的电缆在北美各地的每家 TR-XLPE 电缆制造商中均有使用，通过公用事业电网和可再生能源为家庭和企业提供可靠的电力输送。
特别报道 中压产品 - ABB
GERHARD SALGE – 所谓的“电流战争”已经过去一个多世纪了，爱迪生成熟的直流 (DC) 配电技术与西屋电气（后来成为 ABB 家族的一部分）等公司倡导的新型交流 (AC) 方法展开了较量。最初，直流电是美国中压 (MV) 配电的标准方法，但随着时间的推移，交流技术赶上并超过了直流电：实用的交流电机被开发出来；交流输电线路被证明效率更高；交流变压器被发明，可以进行简单的升压和降压——这是直流电的致命弱点。在直流电被淘汰后的 120 年里，交流技术已经发展到今天的中压配电网络与早期的先驱者截然不同的程度：现在，许多复杂的技术被用于电流传导、电气绝缘、开关操作、保护、控制和中断。现代 MV 分发产品提供商必须掌握所有这些。
伺服超声波压合系统
底座宽度 18.6 (472) 18.6 (472) 底座深度 24.8 (631) 24.8 (631) 底座高度 4.6 (117) 4.6 (117) 柱高 44.6 (1132) 26.5 (674) 最大高度 70.1 (1780) 39.9 (1013) 外壳宽度 5.2 (132) 5.2 (132) 4.0 (102) 4.0 (102) 17.2 (436) 外壳高度 38.0 (968) 38.0 (968) 27.2 (691) 27.2 (691) 12.6 (320) 外壳深度 13.2 (336) 13.2 (336) 7.1 (181) 7.1 (181) 3.5 (88) 可用喉口 3.94 (100) 8.2 (209) 3.38 (86) 8.3 (210) 行程 5.50 (140) 5.50 (140) 3.50 (88) 3.50 (88) 重量 74 磅 (33 Kg) 250 磅 (114 Kg) 25 磅 (11.4 Kg) 230 磅 (105 Kg) 20 磅 (9 Kg) 最大焊接力 550 磅 (2447 N) 550 磅 (2447 N) 150 磅 (667 N) 150 磅 (667 N)
开发负压的简单控制系统
糖尿病性溃疡是糖尿病患者腿上发现的伤口。不当治疗打开了败血症和骨髓炎等并发症的风险。一种显着的治疗方法是通过负压伤口疗法（NPWT）装置。该装置通过去除渗出液，增加血流并通过负压促进细胞增殖来帮助溃疡恢复。这项研究的目的是通过开发简单的低成本NPWT原型来增加一种负担得起的糖尿病性溃疡治疗方法的本地含量。这是通过使用Arduino uno微控制器来实现的，其中包括PID控件，MPXV4115VC6U传感器读取功能，一个内置的计时器，两种模式和一个警报系统。在测试之前对所得的原型进行校准，以降低错误率。使用气流分析仪和溃疡伤口幻影进行测试。使用75、85和125 mmHg的负压设置用于测试，并在两种模式下进行30分钟。从这些测试中发现，原型可以达到负压阈值，最小平均误差最少为-1.81％。具有伤口幻影，连续和间歇性模式的平均误差分别为-0.56％和-0.20％。这种小方差可以忽略不计，因为NPWT治疗具有可接受的负压，即60-80 mmHg和80-125 mmHg，具体取决于伤口类型。总而言之，一个简单的基于Arduino Uno的系统可以用作NPWT治疗装置，以帮助糖尿病性溃疡恢复，而误差最小。
审查控制底压表面电荷
图3。接触过程中不同材料之间电子结构的简化示意图； a）两种金属，从较低的能量金属可以容纳来自较高能量金属的电子； b）金属和绝缘子，那里没有一个可以使电子的自由状态满足，因此只有通过隧穿才能将电子转移到绝缘体（或通过热激发过程）； c）在金属和缺陷的绝缘子之间，原子缺陷使可用的电子状态发生电子传输。d＆e）显示d）陶瓷的原理图；和e）聚合物键合网络；左）原始晶格；右）由于在陶瓷网络中引起的缺陷，该晶格通过多原子协调的键合网络维持，而在聚合物中，一维键网网络被损坏，可能导致传质。