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摘要 有效的热管理对电动汽车用锂离子电池的性能和耐久性至关重要。与传统的直通道冷板不同,本文提出并评估了一种具有发散形通道的新型冷板,以最大限度地降低冷板的最高温度和压降。与传统的直通道相比,发散形通道表现出更高的散热能力和更低的摩擦阻力,性能更佳。为了进一步降低局部流动阻力,开发并评估了具有 2 个入口和 1 个出口的发散形通道。研究发现,具有 2 个入口和 1 个出口的新设计可以成功降低压降 7.2%,并将最大温差从 4.69 K 降低到 3.94 K。最后,构建了具有逆流配置的电池冷却模块,实现了更小的最大温差。本研究有助于开发有效且高效的电动汽车电池冷却系统。
引言. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ................. ... ....................................................................................................................................................................................................................................... 8 民用经济的结构性变化....................................................................................................................................................................................................... 9 冷战后:20 世纪 90 年代....................................................................................................................................................................................... 9 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
在2000年至2019年之间,Zhao等人。(2012)报告说,尽管与热有关的死亡人数3占全球死亡人数的1%(每年约50万人死亡,从0.91%增加到2016 - 2019年期间的1.04%),但与九倍的人相关的死亡人数约为9倍(但从2000年至2000年至2003年的十次下降到2016年的八倍,这一百分比减少了十次,占了2016年9月9日至2016年的时间。在全球范围内,大约有500万次与冷和冷的死亡人数:整个期间的总死亡人数为8.52%,2016 - 2019年期间8.19%。自2000年以来的温度升高,与热有关的死亡人数增加了0.21%(116,000人死亡),而与冷的死亡人数下降了0.51%(283,000人死亡)。地理上存在很大的变化,亚洲总超过多余的死亡发生了一半以上。东欧的热量最高,撒哈拉以南非洲的死亡率最高。北美大约有171,000人与冷的死亡(3.73%)和约20,000例与热有关的死亡(4.10%)。
硅是迄今为止微型电源行业中最重要的半导体材料,主要是由于Si/Sio 2接口的高质量。因此,需要化学官能化Si底物的应用集中在SIO 2表面的分子移植上。不幸的是,存在与氧化硅(SIO 2)上接枝的许多有机层的均匀性和稳定性的实际问题,例如硅烷和磷酸盐,与SI-O-SI和SI-O-P键的聚合和水解有关。这些问题刺激了在无氧化物Si表面上接管功能分子方面的努力,主要是在潮湿的化学过程中。因此,本综述直接集中于从H端的Si表面开始的无氧化物Si表面的湿化学表面功能化。首先总结了无氧化物H-终止SI的主要制备方法及其稳定性。官能化被分类为通过功能性有机分子(例如氢硅烷化)和其他原子直接取代的H-终止的间接取代(例如卤素)或小型官能团(例如哦,NH 2)可用于进一步反应。重点放在最近发现的方法上,以在其他无氧化物,无h端和原子平坦的Si(111)表面上产生官能团的纳米图案。这种模型表面特别有趣,因为它们使得能够获得表面化学反应的基本知识。关键字硅表面,氢终止,有机官能化,自组装单层,表面激活,纳米图案缩写SI,硅; Sio 2,氧化硅;山姆,自组装的单层; XPS,X射线光电子光谱; FT-IR,傅立叶变换红外; AFM,原子力显微镜; nn,最近的邻居; nnn,下一个最近的邻居; RT,室温; TFT,薄膜晶体管; ALD,原子层沉积; MPA,甲膦酸; ODPA,八烷基膦酸; DFT,密度功能理论; KMC,动力学蒙特卡洛; ML,单层; H,氢; T-bag,通过聚集和生长束缚;哦,羟基; UHV,超高真空; MOF,金属有机框架; SURMOF,表面金属有机框架; lbl,逐层; PL,光致发光; F,氟;