RA Eguiluz、M. Munim、KB Kaylan、GH Underhill 和 DE Leckband。“VE-钙粘蛋白信号和基质硬度调节通过内皮单层细胞的力量转导 - 钙粘蛋白信号和基质硬度调节通过内皮单层细胞的力量转导”。载于:AIChE 年会论文集。2016 年 11 月。网址:https://www.aiche.org/conferences/aiche-annual-meeting/2016/proceeding/paper/68g-ve-cadherin- signals-and-substrate-stiffness-regulate-force-transduction-through-endothelial。
卫生服务 / 健康和卫生 3 波尔多(查看 / GEN)。BIA、BRIA / AIS 简报办公室 4 BDP / ARO 5 0300-0000 MET 局 / MET 简报办公室 6 SUM : 0700 - 1130, 1300 - 1700.WIN : 0800 - 1230, 1330-1800。仅对商业航班可能延长,从 ETA- 30 分钟到 ETD + 30 分钟。PPR 给 AD 运营商 (REGIE PUBLIQUE AILE II) PN 24 小时前预计航班日期。电话:03 21 06 62 86/71 - 传真:03 21 05 16 06 地址:Aéroport du TOUQUET - BP 208 - 62520 Le Touquet Paris-Plage。空管经理:电话:03 21 06 62 70。
鲍勃、贝弗利·博克尔、凯特琳(凯蒂)·博格斯-拉塞尔、阿什利·布瓦维特、罗恩·布伦纳、扎赫拉哈·卡纳汉、丽莎·多恩、柯克·法索尔卡、迈克·法托、霍普·费茨科、梅丽莎·福尔克、亚历克斯·福斯特、阿曼达·弗雷泽、杰里盖尔、弗兰克·詹德伦、谢丽尔·格洛斯特、杰拉德·格里尔;克里斯·格里菲斯 / 大卫·冈拉克 / 大卫·哈恩 / 卡琳娜·哈迪斯 / 乔纳森·希克内尔 / 罗伯特·希尔德布兰德 / 杰奎琳·霍勒 / 马修·哈德森 / 莫妮卡·惠尔戈 / 詹妮弗·艾薇 / 娜拉·琼斯 / 克里斯蒂娜·琼斯 / 约翰·保罗·考夫曼 / 利亚·凯斯 / 米尔塔-玛丽·柯比, 布莱恩·克莱默 / 约翰·拉维克 / 艾琳·林恩 / 埃里克·马达万 / 拉杰莫汉·梅顿 / 希瑟·麦金太尔 / 凯文梅里蒂斯、迪米特里奥斯·米佐尔、梅丽莎·莫罗、杰恩·纳达尔、玛丽亚·诺伊曼、丹·牛顿、托马斯·吴、丽莎·奥吉、恩杜布伊西(乔治)·波奇、苏珊娜·普雷斯、里奇·拉莫托夫斯基、罗伯特·雷迪、卡里·鲁德尼茨基、罗伯特·斯贝雷加耶娃、安娜
工程和电子系,阿布贝克尔贝尔卡德大学技术学院,阿尔及利亚特莱姆森 doi:10.15199/48.2024.10.23 基于 AlGaN/GaN/AlGaN 的 UV LED 单量子阱数值模拟 摘要。发光二极管 (LED) 等光源是制造更坚固、转换效率更高、更环保的灯具的良好解决方案。这项工作的目的是使用 SILVACO 软件研究和模拟夹在两层之间(分别为 p 掺杂和 n 掺杂的 AlGaN)的单个 GaN 量子阱的紫外发光二极管。通过这种模拟,我们可以提取 LED 的不同特性,例如电流-电压 (IV) 特性、发射光功率、自发辐射率、辐射复合、俄歇复合、肖克利-里德-霍尔复合、光增益、光通量、光谱功率密度、整体效率。这些模拟使我们能够提取基于 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的单量子阱紫外发光二极管的电学和光学特性,并检查其性能。光学器件、发光二极管 (LED)、双色灯和发光二极管przyjaznych dla środowiska。 Celem tej pracy 开玩笑 zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą Studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p 掺杂 in n 掺杂 AlGaN, przy użyciu oprogramowania SILVACO。此 symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED、takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (IV)、moc emitowanego światła、szybkość emisji spontanicznej、rekombinacja radiacyjna、重新组合 Augera、重新组合 Shockleya-Reada-Halla、wzmocnienie optyczne、strumień świetlny、gęstość widmowa mocy、ogólna wydajność。该符号与 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 和 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的其他器件有关。 ( Numeryczna symulacja pojedynczej Studni kwantowej diody UV LED na bazie AlGaN/GaN/AlGaN) 关键词:GaN、AlGaN、紫外发光二极管、silvaco Tcad。 Słowa kluczowe:GaN、AlGaN、二极管发射器、UV、silvaco Tcad。简介 基于氮化镓 (GaN) 的固态照明技术彻底改变了半导体行业。 GaN 技术在减少世界能源需求和减少碳足迹方面发挥了至关重要的作用。根据报告,2018 年全球照明需求减少了约 13% 的总能源消耗。美国能源部估计,到 2025 年,明亮的白色 LED 光源可以减少 29% 的照明能耗。近十年来,全球的研究人员致力于 III-N 材料研究,以改进现有技术并突破 III-V 领域的极限。现在,随着最近的发展,GaN 不仅限于照明,最新创新还推动了微型 LED、激光投影和点光源的发展。这些发展将 GaN 推向了显示技术领域。基于 GaN 的微型 LED 的小型化和硅上 GaN 的集成推动了其在快速响应光子集成电路 (IC) 中的应用。将详细讨论 GaN LED 领域的大多数最新进展 [1] III 族氮化物 (GaN、AlN 和 InN) 及其合金因其优异的物理性能和在恶劣环境条件下的稳定性而被认为是各种光电应用中最有前途的半导体材料 [2, 3, 4]。如今,基于 III 族氮化物的发光二极管 (LED) 因其效率高、功耗低、寿命比荧光灯和白炽灯长而被广泛应用于世界各地的固态照明 (SSL) 应用 [5, 6]。LED 是一种更有前途的低功耗光源,可取代传统的荧光灯。除 LED 外,基于 III 族氮化物的激光二极管 (LD)、高功率电子器件、光电探测器等也是其他扩展的光电应用,这些应用也已得到展示 [7, 8]。这项工作包括对基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟,在本文中,我们展示了所研究 LED 的模拟结果以及它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟,在本文中,我们展示了所研究 LED 的模拟结果,并展示了它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟,在本文中,我们展示了所研究 LED 的模拟结果,并展示了它们的电气和光学特性。
简介急性髓系白血病 (AML) 是一种异质性血液系统恶性肿瘤,其特征是骨髓、外周血和/或其他组织中髓系原始细胞的克隆性扩增。1,2 AML 的典型症状包括疲劳、皮肤苍白、呼吸困难、感染、头晕、头痛和手脚冰冷。3-5 此外,白细胞减少和中性粒细胞减少会增加感染和发烧的风险,而血小板减少会增加瘀伤、出血、频繁或严重流鼻血、牙龈出血和月经过多的可能性。5 其他症状包括体重减轻、盗汗和食欲不振。6,7 AML 是最具侵袭性的白血病之一。 5 安大略省癌症质量委员会报告称,年龄标准化的 1 年(2017 年至 2018 年)和 5 年生存率(2014 年至 2018 年)分别为 42.1% 和 19.9%。8