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World File Search System分子束
多层FESE膜中位错网格的旋转和
了解结构和电子对称性破坏在基于Fe的高温超导体中的相互作用仍然引起了人们的关注。在这项工作中，我们使用分子束外延在一系列厚度中种植了应变的多层FESE薄膜。我们使用扫描隧道显微镜和光谱法研究了电子列区域和空间变化应变的形成。我们直接可视化边缘的形成，从而导致膜中的二维边缘脱位网络。有趣的是，我们观察到位错网络的45度内部旋转是膜厚度的函数，从而沿不同方向产生抗对称应变。这会导致电子列域和反对称应变之间的耦合比不同。最后，我们能够通过揭示两个区域之间差分电导图的较小能量依赖性差异来区分不同的正交列域。这可以通过轨道选择性尖端样本隧道来解释。我们的观察结果为外延薄膜中的脱位网络形成带来了新的见解，并提供了另一个纳米级工具来探索基于Fe的超导体中的电子nematicity。
纳米结构的gaas-on-s-on-si基板上的Ingaas量子点的线性阵列
在SI中集成的高质量量子点（QD）的线性阵列是探索量子信息的操纵和传输的理想平台。因此，了解与SI技术兼容的底物的QD自组织机制至关重要。在这里，我们证明了INAS和INGAAS QD的线性阵列的外延生长来自AS 2和裸露和GAAS涂层Si（001）底物的分子束，由高分辨率激光干扰纳米义造影。原子力MI司法检查与高分辨率扫描和透射电子显微镜结合使用，表明，当QDS的生长选择性，横向顺序和尺寸均匀性的提高时，QDS的大小为1 nm thick thick gaas gaas buffer层是在INAS沉积之前种植的。此外，x ga 1-x作为QD的优先成核沿<110>的纳米结构的gaas-on-si（001）底物的面向面向的边缘从Adatom迁移中从（111）迁移到（111）到（001）纳米和湿润层引起的湿润层引起的EDM迁移而产生。 Stranski-Krastanov过渡。这些是相干QD的线性阵列形成的关键要素，它们的形态和结构与GAAS（001）和Si（001）平面表面上的形态和结构不同。
选择性生长的 Bi2Te3 纳米带的拓扑表面态中的量子传输
拓扑绝缘体的准一维纳米线是基于马约拉纳费米子的量子计算方案的超导混合架构的候选结构。本文研究了低温下选择性生长的 Bi 2 Te 3 拓扑绝缘体纳米带。纳米带定义在硅 (111) 衬底上深蚀刻的 Si 3 N 4 /SiO 2 纳米沟槽中，然后通过分子束外延进行选择性区域生长过程。选择性区域生长有利于提高器件质量，因为不需要进行后续制造来塑造纳米带。在这些无意 n 掺杂的 Bi 2 Te 3 拓扑绝缘体纳米带的扩散传输区域中，通过分析角度相关的通用电导波动谱来识别电子轨迹。当样品从垂直磁场方向倾斜到平行磁场方向时，这些高频电导调制与低频 Aharonov-Bohm 型振荡合并，后者源自沿纳米带周边的拓扑保护表面状态。对于 500 nm 宽的霍尔棒，在垂直磁场方向上可识别出低频 Shubnikov-de Haas 振荡。这揭示了一个拓扑、高迁移率、2D 传输通道，部分与材料本体分离。
GASE的外观耦合到石墨烯：从原位带工程到光子传感 主动采样：用于最佳子样本的有限种群推断的机器学习辅助框架 3D生物打印和酶促聚合方法 在磁场中实现纳米结构的远程任意均匀对准 设计用于多功能性的结构阳性电极
2D半导体可以推动量子科学和技术的进步。但是，它们应该没有任何污染。同样，相邻层及其电子特性的晶体学排序和耦合应具有良好的控制，可调且可扩展。在这里，这些挑战是通过一种新方法来解决的，该方法结合了分子束外延和原位带工程在石墨烯上半导体硒化（GASE）的超高真空中。通过电子差异，扫描探针显微镜和角度分辨的光电子光谱法表明，在层平面中与基础与石墨烯的下层晶格相对的原子研究表明，GASE的原子薄层对齐。GASE/石墨烯异质结构（称为2semgraphene）具有GASE的中心对称性（组对称性D 3D）多晶型物，GASE/Chapeene界面处的电荷偶极子，以及可通过层厚度调谐的带结构。新开发的可伸缩2秒封装用于光学传感器，该传感器利用光活动Gase层和与石墨烯通道的接口处的内置电势。此概念证明具有进一步的进步和设备体系结构，将2semgraphene作为功能构建块。
订购美国 Compact 21 研究系统
Compact 21 系统将使已经配备 RIBER 机器的实验室能够通过在现有生产线上添加新的超高真空 (UHV) 室来增强其多功能性，并增加其工艺或与其他研究小组共享其设备。Compact 21 机器将通过结合 RIBER 开发的新一代蒸发器以及一系列仪器（包括 EZ CURVE 原位控制装置和 Crystal XE 过程控制软件），为用户提供增强的安全性、可靠性和易用性。这份新订单不仅证实了全球最畅销的研究 MBE 系统 Compact 21 系列的持续商业成功，还强调了 RIBER MBE 系统适用于最高标准的复合半导体研究。这份新订单将于 2024 年交付。关于 RIBER RIBER 是 MBE（分子束外延）设备的全球市场领导者。它为半导体行业设计和生产设备，并为客户提供科学和技术支持（硬件和软件），维护他们的设备并优化其性能和产出水平。RIBER 的设备加速了电子产品的性能，在先进半导体系统的开发中发挥着重要作用，这些系统用于从信息技术到光子学（激光器、传感器等）、5G 电信网络和包括量子计算领域的研究等众多应用。
KTaO₃ 薄膜的首次生长和表征......
该项目首次采用氧化物分子束外延 (MBE) 来生长 KTaO ₃ (KTO) 薄膜。早期生长使用 (100) SrTiO ₃ (STO) 基材进行，以尝试微调生长参数。此外，还使用了通过炉加热的 TaO ₂ 亚氧化物源和通过电子束加热的 Ta 源，并分析和比较了它们各自的薄膜。通过反射高能电子衍射 (RHEED) 进行原位监测，以及通过原子力显微镜 (AFM) 和 X 射线衍射 (XRD) 进行生长后表征，可以在整个项目中进行表面和晶体分析。来自亚氧化物和电子束加热 Ta 源的薄膜显示出相似的晶体质量，然而，在亚氧化物生长的 KTO 表面上发现更高浓度的氧化物杂质。成功生长 KTO 后，使用稀土钪酸盐 (110) 衬底 GdScO ₃ (GSO) 和 DyScO ₃ (DSO)，因为它们与 KTO 的“立方体对伪立方体”界面将分别产生理论上 0.55% 和 0.93% 的压缩应变。通过逆空间映射 (RSM)，GSO 衬底在 KTO 薄膜上显示出相称的应变，而 DSO 衬底仅显示部分应变。总体而言，使用 MBE 生长 KTO 可实现高结晶质量，为 KTO 薄膜合成和铁电 KTO 分析指明了光明的未来。
来自激光消融的气相or骨分子-Munin
放射性分子束最近由于它们在原子，分子和核物理学之间的跨学科定位而获得了流行性[1-4]。分子含有重度放射性同位素，例如actinides的分子，提供了独特的研究机会，例如，持续搜索强电荷共轭（C）和均等（P）违规[5-8]或电子的电子偶极力矩[9]。在放射性离子束（肋骨）设施中，热腔靶和射频四极冷的束束中的分子形成感兴趣[10-12]。原始核素232 th，其半衰期为1的α衰变。4×10 10年，是宏观量量不需要肋骨设施的少数acttinide物种之一。有理由认为，thor的气相化学（以及铀）经常进行[13 - 17]，这不仅是因为它需要比actacinide系列的更高度放射性元素的辐射保护效果明显少得多[18]。的兴趣也源于对核时钟的不断追求，该追求可以通过第229同位素的低能同构体状态实现[19-22]。分子包含此同位素被预测是测试CP侵略理论并寻找轴的理想实验室[23]。然而，对较大的or骨分子的高分辨率质谱研究很少，涉及气相阴离子的质谱研究也很少。
钙钛矿的低能电子结构和
钙钛矿中的硫族化物和相关的 Ruddlesden-Popper 结构类型（本文简称为“硫族化物钙钛矿”）作为一类具有出色光电特性的新兴半导体，正受到越来越多的关注 [1–8]。硫族化物钙钛矿的带隙（𝐸 𝑔）可在蓝绿色（𝐸 𝑔 ≈2.5 eV）至红外 (IR) 范围内调节，具有很强的光吸收和发光性，多个研究小组的结果表明其固有的非辐射电子-空穴复合速度很慢 [4,6–10]。硫族化物钙钛矿由廉价无毒的元素组成，热稳定性极高，这对未来大规模制造和部署（例如薄膜太阳能电池）大有裨益 [11,12]。我们已经发现硫族化物钙钛矿是一种具有极强介电响应的半导体，在已知的可见光和近红外 (VIS-NIR) 带隙半导体中，只有铅卤化物钙钛矿可与它媲美 [13,14]。在最近的工作中，我们通过脉冲激光沉积 (PLD) 和分子束外延 (MBE) 首次合成了大面积、原子级光滑的 BaZrS 3 外延薄膜 [15,16]。
水热形成的氧化铜（CUO）薄膜用于电阻开关存储器
通常可以观察到，已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆（NVSM）设备，逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比，已经选择了具有简单设备体系结构，快速开关属性，低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器（RRAM）设备[2-4]。到目前为止，已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是，所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物，例如氧化钛（Tio X）[8]，氧化镍（Nio X）[9]，氧化锌（ZnO）[10]或氧化物（HFO X）[11,12]，已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中，氧化铜（CUO）也可以表现出出色的电阻转换（RS）特征[13]。作为一种无毒的，互补的金属氧化物半导体（CMOS）兼容和丰富的地球材料，铜（CU）已被广泛用于超大级构成（ULSI）设备中。因此，作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一，基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法，例如分子束外延（MBE）[14]，化学蒸气沉积
A.物理 - GISC-马德里大学合并 div>
自Geim和Novoselov [1]获得石墨烯以来，由于各种原因，二维（2D）材料的实验和理论表征是一个非常活跃的研究主题。其中，与散装相比，相比之下，大量的潜在应用，新的物理现象的出现以及很重要的是调整其性质的易感性[2-10]。这些2D材料可以通过自上而下的方法（例如3D层状晶体的液体或机械去角质）或自下而上的技术获得，例如分子束外观外观（MBE），化学蒸气沉积（CVD）和物理蒸气沉积（PVD）。它们的构成非常多样化；研究最多的2D材料是过渡金属硫化剂，六边形硼n- tride（H-BN），磷化物（BP），磷烯，硅，硅，德国烯以及一年一度增加到一年的长列表[11，12]。是由大量合成和理论上提出的2D材料的动机，计算2D材料数据库（C2DMDB）是将稳定性及其基本物理化学特性分类的替代方法[2,4,5]。C2DMDB包含几种尚未达成的材料，这些材料是第一次提出的，或者先前已提出的材料，并已被验证为热和动态稳定。一个例子是Penta-Graphene（PG），Penta-Graphene（PG）是由Pentagons组成的一种新的碳。Penta-Graphene于2014年首次由Tang等人提出。[13]，后来由Zhang等人。[14]。尽管到目前为止尚未合成PG，但其物理化学