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World File Search System功率耗散
TFP201，TFP201A TI PanelBus 数字接收器
电源电压范围，DVDD、AVDD、OVDD、PVDD-0.3V 至 4V..........................................................................................................................................................................................................................................................输入电压范围，逻辑/模拟信号-0.3V 至 4V..........................................................................................................................................................................................................................................................................工作环境温度范围 0°C 至 70°C.................................................................................... ................. ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1.6 毫米 (1/16 英寸) 处的引脚温度，持续 10 秒 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . 封装功率耗散/PowerPAD ：焊接（见注释 1） 4.3 W . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 未焊接（见注释 2） 2.7 W . . . . . . . . . . . . . . . . ESD 保护，所有引脚 2.5 KV 人体模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . JEDEC 闩锁 (EIA/JESD78) 100 mA。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
田口方法和响应面分析用于设计全加器 S 中的高性能单壁碳纳米管束互连
本研究尝试设计全加器中的高性能单壁碳纳米管 (SWCNT) 束互连。为此，使用 HSPICE 软件中的仿真研究了电路性能，并考虑了 32 纳米技术。接下来，使用田口方法 (TA) 分析了几何参数（包括纳米管直径、束中纳米管之间的距离以及束的宽度和长度）对全加器中 SWCNT 束互连性能的影响。田口灵敏度分析 (TSA) 的结果表明，束长度是影响电路性能的最有效参数（约占功率耗散的 51% 和传播延迟的 47%）。此外，与其他参数相比，纳米管之间的距离对响应的影响很大。此外，响应面法 (RSM) 表明，增加互连长度 (L) 会提高功率耗散的输出。随着互连线宽度 (W) 和碳纳米管直径 (D) 的增加，功耗也增加。减小束中碳纳米管之间的距离 (d) 会导致功耗增加。如果考虑互连线长度和宽度 (L、W) 以及碳纳米管直径 (D) 的参数的最大值以及束中碳纳米管之间距离 (d) 的最小值，则功耗最高。结果还表明，互连线长度 (L) 的增加会增加传播延迟。最后，报告了最佳参数，并使用不同方法 (TA 和 RSM) 比较了优化系统的性能。结果表明，用不同方法预测的全加器中 SWCNT 束互连线最优设计的性能差异小于 6%，根据工程标准是可以接受的。
智能电池分流（IBSS）
需要与当前分流器结合使用的几个集成电路以处理差分测量。尽管测量精度的降解很少是一个问题，但冗余元素使电池管理系统在一个测量电路中发生故障时可以继续运行。两个分流的工作温度范围为-65°C至+170°C。可用的电阻值范围从100μm到1000μm。当前的分流量为36 W的功率耗散至70°C的环境温度，然后根据数据表中的图，必须将其用于较高温度。
MAX3486E/MAX3488E/ MAX3490E/MAX3491E 3.3V供电
电源电压（V CC ）.............................................................+7V 控制输入电压（RE，DE）................................-0.3V至+7V 驱动器输入电压（DI）........................................-0.3V至+7V 驱动器输出电压（A、B、Y、Z）....................-7.5V至+12.5V 接收器输入电压（A、B）.............................-7.5V至+12.5V 接收器输出电压（RO）.................... -0.3V至（V CC + 0.3V） 连续功率耗散（T A = +70°C） 8引脚SO（高于+70°C时每°C下降5.88mW）....471mW 8引脚塑料DIP（高于+70°C时每°C下降9.09mW）..727mW
TAS5112：数字放大器功率级数据表 (Rev. C)
(1) TAS5112 封装使用裸露的金属焊盘区域来增强导热冷却性能。将焊盘暴露在环境空气中的器件作为器件的唯一散热方式是不切实际的。因此，在数据表的应用信息部分提供了表征热处理的系统参数 R θ JA。在热信息部分提供了典型系统 R θ JA 值的示例和讨论。此示例提供了有关功率耗散额定值的更多信息。此示例应作为计算特定应用的散热额定值的参考。如果需要，TI 应用工程部门可提供设计散热器的技术支持。
散热器设计优化与分析...
由于工业设备产生的副产品热量会造成功率耗散，从而对其性能产生负面影响，因此几乎所有这些应用都需要一定的温度限制才能在适当的条件下工作。也就是说，如果过热超过这些限制，这些工程设备可能会以某种方式失效。在所有相关行业中，功率密度的不可阻挡的增长正在推动热交换技术的创新。此外，电子设备在热能产生量增加的同时，体积也变得越来越小。因此，散热器可用于冷却许多重要应用中的关键部件，从航空发动机和核反应堆到计算机、数据中心服务器机架和其他微电子设备。
冰雹subsgie dv>
YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2021）。 “ 根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。 2。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。 3。 Sezgin-ugranlı，H.G。 和Özçelep，Y。 （2018）。 “在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。 4。 Sezgin，H.G。 和Özçelep，Y。 （2015）。 “功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。YayimlanmişMakaleler（Sci Indeks）：1。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2021）。 “根据应力诱导的氧化物电容变化，在不同的电应力水平下确定电源MOSFET的门氧化物降解”，电子设备上的IEEE交易68（2）：688-696。2。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“基于恒定电应力下的电容和亚阈值电流测量的VDMOSFET的新方法”，电子设备上的IEEE交易65（4）：1650-1652。3。Sezgin-ugranlı，H.G。和Özçelep，Y。（2018）。“在恒定电应力下对VDMOSFET开关功率耗散变化的研究”，微电子学期刊78：81-87。4。Sezgin，H.G。和Özçelep，Y。（2015）。“功率MOSFET切换时间变化在恒定电应力下的表征和建模”，微电子可靠性55（3-4）：492-497。
JSSC经典纸：低功耗CMOS数字设计
为什么论文很重要？在发布时，数字CMOS电路的开关速度和硅面积是用于电路优化的主要设计。本文对设计技术提出了显着意识，这些技术也允许执行给定计算所需的功率和能量的最小化。确定，为了最大程度地减少功率耗散，需要在从系统级别开始，从架构和电路开始到基础制造技术的各个级别的设计过程攻击问题。能量优化的设计现已成为CMOS设计中的主要考虑之一，并且电池操作的设备的重要性不断增加，并且在高性能系统中的降温局限性。