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HiRes™ 超 3D
HiFocus™ SlimJ 电极......................................................................................................................................................................................................29 HiFocus SlimJ 电极描述.................................................................................................................................................................................... 29 HiFocus SlimJ 电极规格....................................................................................................................................................................................... 30 HiFocus SlimJ 电极设备要求....................................................................................................................................................................... 31 HiRes 超可重复使用手术工具包，CI-4509............................................................................................................................................................. 31 HiFocus 电极钳，CI-4350............................................................................................................................................................................. 32 HiFocus Mid-Scala 耳蜗切开术测量仪，CI-4347............................................................................................................................................. 32 HiFocus Mid-Scala 爪工具，CI-4254............................................................................................................................................................. 33 HiFocus SlimJ 电极深度测量仪， CI-1605................................................................................................................................................ 33 HiFocus SlimJ 电极 – 插入耳蜗................................................................................................................................................................... 34 HiFocus SlimJ 电极插入 - 使用镊子的徒手技术...................................................................................................................................... 35 成像...................................................................................................................................................................................................... 37 重新插入 HiFocus SlimJ 电极.................................................................................................................................................................... 37 包扎耳蜗造口术.................................................................................................................................................................................... 37 盘绕电极导线............................................................................................................................................................................................................................................ 38
量子纠缠、超对称以及……
纠缠态（例如 Bell 态和 GHZ 态）是使用已知满足杨-巴克斯特方程及其推广的矩阵从可分离态生成的。这一非凡事实暗示了使用编织算子作为量子纠缠器的可能性，并且是拓扑和量子纠缠之间更大推测联系的一部分。我们通过展示超对称代数可用于构造谱参数相关的广义杨-巴克斯特方程的大量解来推动对这种联系的分析。我们提供了许多明确的例子，并概述了任意数量量子比特的通用算法。我们获得的算子依次产生多量子比特系统中的所有纠缠态，该系统由量子信息论中引入的随机局部操作和经典通信协议分类。
B13DET-超微
Supermicro B13DET 支持双第四代 Intel® Xeon® 可扩展处理器（插槽 E1 LGA 4677-1），具有三个 UPI（最高 16GT/s）和高达 350W 的 TDP（热设计功率）。B13DET 采用 Intel C741 芯片组构建，支持 4TB（最高）3DS RDIMM/RDIMM DDR5 ECC 内存，在 16 个 DIMM 插槽中速度高达 4800MT/s（见下文注释 1）。该主板具有出色的 I/O 可扩展性和灵活性，包括两个支持 SATA 6G/NVMe 的 HDD 连接器、一个支持 PCIe 5.0 的 M.2 连接器、两个支持子转接卡的夹层插槽、一个支持 25GbE 以太网 LAN 的中板，以及一个来自 PCH 的用于支持 SATA 6.0 的附加 SATA 连接器。它还提供最先进的数据保护，支持硬件 RoT（信任根）和 TPM（可信平台模块）（下面的注释 2）。B13DET 针对具有高密度和高速输入/输出能力的 4U/8U SuperBlade 系统进行了优化。它是高性能计算 (HPC)、云计算、财务建模、企业应用程序、具有数据密度应用程序的科学和工程计算的理想选择。请注意，此主板仅供专业技术人员安装和维修。有关处理器/内存更新，请参阅我们的网站 http://www.supermicro.com/products/。
单层MOS2在图案化石墨烯上的大规模直接生长范德华超快光活性电路
摘要：二维（2D）范德华异质结合了单个2D材料的独特特性，导致超材料，非常适合新兴的电子，光电，光电和自旋形成现象。在利用这些特性用于未来的混合电路方面的一个重大挑战是它们的大规模实现并集成到石墨烯互连中。在这项工作中，我们证明了二硫化钼（MOS 2）晶体在图案化石墨烯通道上的直接生长。通过通过限制的空间化学蒸气沉积生长技术增强对蒸气转运的控制，我们实现了单层MOS 2晶体在单层石墨烯上的优先沉积。原子分辨率扫描透射电子显微镜揭示了杂结构的高结构完整性。通过深入的光谱表征，我们在石墨烯/MOS 2中揭示了电荷转移，MOS 2将p-型掺杂到石墨烯中，如我们的电气测量所证实。光电导率表征表明，可以在MOS 2层覆盖的石墨烯通道中局部创建光活性区域。时间分辨超快的超快瞬态吸收（TA）光谱揭示了在石墨烯/MOS 2异质结构中加速的电荷衰减动力学，对于以下带隙激发条件的上转换。我们的概念验证结果为范德华异质结构电路的直接增长铺平了道路，对超快光活性纳米电子和播客应用具有重要意义。关键字：石墨烯，TMD，现场效应晶体管，范德华异质结构，超快，光活动电路■简介
资本化报告
1. 引言 1.1 概述 本资本化报告的目的首先是提供坚实的数据和方法基础，以促进与 InnoVagroWomed 项目区域合作伙伴的行动计划相关的决策。本报告总结了主要活动，并就将女性纳入职场或创建性别创业公司提出了建议和结论。 1.2 项目概述 地中海地区的两岸都存在着女性赋权和女性劳动力参与率低的共同趋势。InnovAgroWoMed 项目旨在通过利用农业食品部门的潜力（该行业与地中海盆地的文化特征密切相关）来促进女性参与和创业，并在创新和增长方面显示出巨大的未开发潜力。尽管西班牙和意大利等国家在农业食品领域的增长水平相对较高，但女性参与率很低，但中东和北非地区的农业业务仍然分散，女性就业率低。该项目将重点关注两个欧洲地区（西班牙瓦伦西亚和意大利西西里岛）和两个中东和北非地区（突尼斯贝雅和梅德宁以及巴勒斯坦），这些地区被认定为适合在农业食品领域实施和推广可持续价值模式：农村社会创新 (RSI)。RSI 重新定义了组织和社区之间的界限，通过寻求经济、社会和环境可持续性、平衡传统与创新以及明确寻求地方社区发展来应对更广泛的社会挑战。
Armv8-A 虚拟化
VM 的经典定义是独立的、隔离的计算环境，与真实的物理机器没有区别。尽管可以在基于 Arm 的系统上完全模拟真实机器，但这通常不是一件高效的事情。因此，这种模拟并不常见。例如，模拟真实的以太网设备很慢，因为 Guest OS 对模拟寄存器的每次访问都必须由虚拟机管理程序以软件方式处理。这种处理比访问物理设备上的寄存器要昂贵得多。