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一站式商店用于您的车队的力量和充电需求
我们的提升门充电系统通过利用DC/DC转换器来增强电压以提高电压以提高电压以提高电压，以提高电压。转换器还补偿了温度和电压降，并为远程升降门电池提供了最佳的电压。结果是充电的升降门电池，可以使用更长的时间，并具有足够的升降门操作功率。
间隙定向的化学升降光刻纳米构造用于任意亚微米图案
摘要我们引入了独特的软标志操作，该操作利用了邮票屋顶塌陷引起的间隙，以选择性地去除AU上的烷烃 - 硫醇自组装单层（SAM），以生成表面图案，这些表面图案比原始弹性邮票上的结构小。使用化学升降光刻（CLL）过程中的千分尺尺度结构邮票实现的最小特征维度为5 nm。分子图案保留在邮票特征及其周围或铭文圆之间的差距中，遵循数学预测，可以通过更改邮票结构尺寸（包括高度，音高和形状）来调整它们的尺寸。这些生成的表面分子模式可以用作生物识别阵列，也可以将其转移到下方的Au层以进行金属结构创造。通过将CLL过程与此差距现象相结合，以前被认为是使用的柔软的属性属性，可用于在简单的草图中实现低于10 nm的特征。
控制系统的建模、仿真与设计
表 1.1：先锋 RQ-2 规格 ...................................................................................... 3 表 2.1 飞机平移和旋转运动的 12 个状态 ........................................................ 6 表 2.2 先锋 Rpv 稳定性和系数 ........................................................................ 8 表 2.3：6DOF 机身四元数块端口描述 [6] ...................................................... 16 表 3.1 平飞条件下的配平参数 ............................................................................. 21 表 3.2 反馈增益值 ............................................................................................. 26 表 5.1 由于升降舵偏转和攻角引起的升力系数 ............................................................. 33 表 5.2 由于升降舵偏转和攻角引起的阻力系数 ............................................................. 34 表 5.3 由于方向舵偏转和侧滑角引起的侧向力系数 ............................................................. 35 表 5.4 由于副翼偏转和攻角 36 表 5.5 升降舵偏转和攻角引起的力矩系数 ...... 37 表 5.6 副翼偏转和攻角引起的偏航力矩系数 38 表 5.7 攻角引起的气动系数及导数 .......................... 39
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于