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为了进一步避免声音噪声，该电路通过将跳周期模式期间的突发频率限制在 800 Hz 的最大值来防止开关频率 进入可听范围。这是通过一个定时器实现的，该定时器在安静的跳周期工作模式期间被激活。在该计时器计数结束 前，不允许打开开关周期。随着输出功率的降低，开关频率降低，一旦达到 25 kHz ，即达到进入入阈值并进入跳 周期模式。关闭开关管，停止开关周期，一旦开关停止， FB 将上升。一旦 FB 越过跳周期退出阈值（这时仍然为 跳周期工作模式），则打开驱动脉冲。此时，一个 1.25 ms 的计时器 tquiet 与一个计数到 3 的计数器一起启动。下 次 FB 电压降至跳入阈值以下时，只要计数到 3 个驱动脉冲，驱动脉冲就会在当前脉冲结束时停止（至少打开 3 个 开关脉冲）。在计时器计时结束之前不允许再次启动，即使先达到跳周期的退出阈值。需要注意的是，计时器不会 强制下一个循环开始，如果在计时器计时结束时未达到跳周期的退出阈值，则驱动脉冲将等待 FB 达到跳周期退出 阈值。这意味着在空载期间，每次开关至少会有 3 个驱动脉冲，脉冲串间隔周期可能远长于 1.25 ms 。该工作模式 有助于提高空载条件下的效率。 FB 电压必须升高超过 1 V ，才退出跳周期模式。如果在 tquiet 计时结束前 FB 电压 大于 1V ，则驱动脉冲将立即恢复，即控制器不会等待计时器结束。图 4 提供了一个安静跳周期工作原理的示例。
芯佰微电子（北京）有限公司
部件编号 CAN 通道 MCU I/O 接口 (V) Vin（最小值至最大值）（V） 低功耗模式 数据速率 [最小值] kbps 数据速率 [最大值] kbps 总线引脚电压 [最小值-最大值] (V) 可用 VIO 选项 GPIO 温度范围 (℃) 封装 更换
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正常状态下，通过负载对电池放电， DW02R 电路的 VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电 流增加使 VM 端电压超过过电流放电保护阈值 V EDI ，且持续时间超过过电流放电保护延迟时间 tEDI ，则 DW02R 进入过电流放电保护状态；如果放电电流进一步增加使 VM 端电压超过电池短路保护阈值 V SHORT ，且 持续时间超过短路延迟时间 t short ，则 DW02R 进入电池短路保护状态。
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供电电源 VDD ........................................................................................................................................... .. -0.3V~+10V VM 、 COUT 端允许输入电压 .................................................................................................. ....VDD-25V~VDD+0.3V DOUT 端允许输入电压 ......................................................................................................................- 0.3V~VDD+0.3V 工作温度 TA ..................................................................................................................................................- 40 ℃ ~+85 ℃ 结温 ........................................................................................................................................................................... 150 ℃ 贮存温度 .......................................................................................................................................................- 65 ℃ ~150 ℃ 功耗 PD （ TA=25 ℃） SOT23-6 封装（热阻 θJA = 200 ℃ /W ） .................................................................. ..625mW 焊接温度（锡焊， 10 秒） ..................................................................................................................................... 260 ℃
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FM8502 是一款工作在电感电流临界模式的高精度降压型 LED 恒流驱动芯片，芯片内部集成 500V 功率开关且 具有 OVP 电压调节功能，可通过调节外置 OVP 电阻阻值来设置 Vovp 电压值，另外，芯片 ROVP 引脚带 Enable 功能，可兼容开关调色应用。 FM8502 内置了高精度的采样、补偿电路和高压 JFET 供电技术，无需启动电阻和 VCC 电容，使得系统外围十分简单，在实现高精度恒流控制的前提下，最大限度的节约了系统成本和体积，可 广泛应用于 LED 球泡灯、 LED 蜡烛灯、 LED 日光灯管及其它非隔离降压型 LED 照明驱动领域。
深圳市斯达微电子有限公司
¾ 采用 CMOS 工艺制造，低功耗 ¾ 很宽的工作电压范围（ V DD =2.4V ～ 15V ） ¾ 最大到 12 位三态地址管脚或 6 位数据输出管脚 ¾ SD827 2B 解码可选择锁存型（后缀－ L ）和瞬态型（后缀－ M ）数据输出 ¾ 封装形式为 DIP18 、 SOP18 、 SOP20 或 CHIP （裸芯片）
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FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9926A./P ( 文件编号： S&CIC2077) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
合肥联睿微电子科技有限公司
工艺： TSMC 40nm ULP 速率： 1Mbps/2Mbps MCU ： ARM Cortex-M0+ 休眠电流： 2.5uA Adv 1.28s 20uA SDK 支持 SIG Mesh 支持锂电池供电 符合 BQB/SRRC/FCC/CE
1.1 微电子器件向纳米尺度的进展
2024 年 7 月 6 日 — Gargini，“维持摩尔定律——微电子学、纳米电子学及其他”。ISO focus，第 28-30 页，2007 年。[10] F. F. Sizov，“红外探测器：展望与...