(1) 维数 一般取值 1 或 2 ,当 时,要求数据量 在数千点以上,但 过大不能保证序列具有相同 的性质; 一定时,若 ,需要较大才能取得 较好的效果,但是太大会丢失序列的许多细节信 息。 Pincus [ 14 ] 研究认为 比 效果好,可使 序列的联合概率进行动态重构时提供更详细的信 息。 (2) 用来衡量时间序列相似性的大小。如果 选得太小,估计出的统计概率会不理想;若选得 太大,会丢失时间序列中很多细节,达不到预期的 效果。 Pincus [ 14 ] 通过对确定性和随机过程的理论分 析及其对计算和临床应用的研究,总结出取值为 ( 为原始序列的标准差 ) 能得出有效 的统计特征。 (3) 表示输入数据点,一般取值为 100 ~ 5000 。因此根据上述原则,本文取 , 。根据实验研究发现当 时,不同 状态的脑电信号的样本熵并无太大差异;当 时,不同状态的脑电信号的熵值有明显差异。 因此 取值为 100 。即用长度为 100 点,间隔为 4 点 的滑动窗计算 EEG 在运动想象期 (2 ~ 6 s) 的样本 熵序列,然后求该序列的均值作为该 EEG 的样本 熵。 ERS/ERD 现象主要出现在 C3 和 C4 电极对应的 感觉运动区上,例如,右手运动想象时可观测到 C3 电极对应的感觉运动区 ERD 现象,左手运动想 象时可观测到 C4 电极对应的感觉运动区 ERD 现
位英语 考试 特点 , 采用多 功能 的编排 方法 , 不仅 有助 于考生 理解记 忆单 词 , 准 确掌 握词的 运用 , 而且 能够 使 考生 快 速扩
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CS5095EA是一款5V输入,最大1.2A充电电流,支持 三节锂电池串联应用的升压充电管理IC。 CS5095EA集 成功率MOS,采用异步开关架构,使其在应用时仅需 极少的外围器件,可有效减少整体方案尺寸,降低 BOM成本。 CS5095EA的升压开关充电转换器的工作 频率为500KHz,转换效率为90% 。 CS5095EA内置四个环路来控制充电过程,分别为恒 流 (CC) 环路、恒压 (CV) 环路、芯片温度调节环 路、可智能调节充电电流,防止拉垮适配器输出,并 匹配所有适配器的输入自适应环路。 CS5095EA集成30V OVP 功能,输入端口能够稳定可 靠承受 30V 以内的耐压冲击,并在输入超过 6V 时停止 充电,非常适用于 T Y P E - C 接口的应用。同时芯片 BAT 输出端口耐压 30V ,极大提高了系统的可靠性。 CS5095EA 提供了纤小的 ESOP 8 L 封装类型供客户选 择,其额定的工作温度范围为 -4 0 ℃ 至85 ℃ 。
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预防和治疗糖尿病肾脏疾病:评论。 Am J肾脏DIS 2018; 72:267-277。 5。 Barnett AH,Mithal A,Manassie J等。 :在2型糖尿病和慢性肾脏疾病的患者中,empagliflozin添加到现有抗糖尿病治疗中的功效和安全性:一项随机,双盲,安慰剂对照试验。 柳叶刀糖尿病Endocrinol 2014; 2:369-384。 6。 Heerspink HJL,Kosiborod M,Inzucchi SE等。 :钠葡萄糖共转运蛋白-2抑制剂的肾脏保护作用。 肾脏INT 2018; 94:26-39。 7。 McGuire DK,Shih WJ,Cosentino F等。 :2型糖尿病患者的SGLT2抑制剂与心血管和肾脏结局的关联:荟萃分析。 JAMA Cardiol 2021; 6:148-158。 8。DeBoer IH,Khunti K,Sadusky T等。 :慢性肾脏疾病中的糖尿病管理:美国糖尿病协会(ADA)和肾脏疾病的共识报告:改善全球结果(KDIGO)。 糖尿病护理2022; 45:3075-3090。 9。 Vaduganathan M,Docherty KF,Claggett BL等。 :SGLT-2 INE心力衰竭:对五个随机对照试验的全面元分析。 柳叶刀2022; 400:757-767。 10。 Heerspink HJL,StefánssonBV,Corea-Rotter R等。 :慢性肾脏疾病患者的Dapagliflozin。 n Engl J Med 2020; 383:1436-1446。 11。 empa-kidney合作小组; Herrington WG,Staplin N,Wanner C等。 n Engl J Med 2023; 388:117-127。 12。预防和治疗糖尿病肾脏疾病:评论。Am J肾脏DIS 2018; 72:267-277。5。Barnett AH,Mithal A,Manassie J等。:在2型糖尿病和慢性肾脏疾病的患者中,empagliflozin添加到现有抗糖尿病治疗中的功效和安全性:一项随机,双盲,安慰剂对照试验。柳叶刀糖尿病Endocrinol 2014; 2:369-384。6。Heerspink HJL,Kosiborod M,Inzucchi SE等。:钠葡萄糖共转运蛋白-2抑制剂的肾脏保护作用。肾脏INT 2018; 94:26-39。 7。 McGuire DK,Shih WJ,Cosentino F等。 :2型糖尿病患者的SGLT2抑制剂与心血管和肾脏结局的关联:荟萃分析。 JAMA Cardiol 2021; 6:148-158。 8。DeBoer IH,Khunti K,Sadusky T等。 :慢性肾脏疾病中的糖尿病管理:美国糖尿病协会(ADA)和肾脏疾病的共识报告:改善全球结果(KDIGO)。 糖尿病护理2022; 45:3075-3090。 9。 Vaduganathan M,Docherty KF,Claggett BL等。 :SGLT-2 INE心力衰竭:对五个随机对照试验的全面元分析。 柳叶刀2022; 400:757-767。 10。 Heerspink HJL,StefánssonBV,Corea-Rotter R等。 :慢性肾脏疾病患者的Dapagliflozin。 n Engl J Med 2020; 383:1436-1446。 11。 empa-kidney合作小组; Herrington WG,Staplin N,Wanner C等。 n Engl J Med 2023; 388:117-127。 12。肾脏INT 2018; 94:26-39。7。McGuire DK,Shih WJ,Cosentino F等。:2型糖尿病患者的SGLT2抑制剂与心血管和肾脏结局的关联:荟萃分析。JAMA Cardiol 2021; 6:148-158。8。DeBoer IH,Khunti K,Sadusky T等。:慢性肾脏疾病中的糖尿病管理:美国糖尿病协会(ADA)和肾脏疾病的共识报告:改善全球结果(KDIGO)。糖尿病护理2022; 45:3075-3090。9。Vaduganathan M,Docherty KF,Claggett BL等。:SGLT-2 INE心力衰竭:对五个随机对照试验的全面元分析。柳叶刀2022; 400:757-767。10。Heerspink HJL,StefánssonBV,Corea-Rotter R等。:慢性肾脏疾病患者的Dapagliflozin。n Engl J Med 2020; 383:1436-1446。11。empa-kidney合作小组; Herrington WG,Staplin N,Wanner C等。n Engl J Med 2023; 388:117-127。12。:慢性肾脏疾病患者的雌性杂志。Perkovic V,Jardine MJ,Neal B等。:2型糖尿病和肾病中的Canagliflozin和肾脏结局。n Engl J Med 2019; 380:2295-2306。13。Cherney Dzi,Charbonnel B,Cosentino F等。:厄特曲霉素对2型糖尿病患者肾脏复合结果,肾功能和蛋白尿的影响:随机VERTIS CV试验的分析。糖尿病学2021; 64:1256-1267。
WSDY06A1Y2N 产品是单节锂离子 / 锂聚合物可充 电电池组保护的高集成度解决方案。 WSDY06A1Y2N 包括了先进的功率 MOSFET ,高精 度的电压检测电路和延时电路。 WSDY06A1Y2N 具有非常小的 SOT-23-5L 封装, 这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的 可充电电池组应用。 WSDY06A1Y2N 具有过充、过放、过流、短路等所 有电池需要的保护功能,并且工作时功耗非常低。 WSDY06A1Y2N 不仅仅为穿戴设备而设计,也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供 电的各种信息产品的应用场合。
注释: 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换,因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 ( Zero-Scale Error )(单极性偏移误差或双极性零误 差),且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 (单极性偏移漂移或双极性零漂移)且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差,它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差,而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时,增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围:模拟输入电压不超过 V DD +30mV ,不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时,器件功能有效,但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN ( + )端的模拟输入电压范围,对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用,但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN ( + )- REF IN ( - )。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时,这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品,以保证一致性。 14.校准后,如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度, 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND - 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 (通过 MCLK 引脚 ), V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 (见“时钟和振荡器电路”部分)。 17.在等待模式下,外部的主时钟继续运行, 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A , 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时,内部振荡器在等待 模式下继续运行,电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 (参看“等待模式” 一节)。 18.在直流状态测量,适用于选定的通频带。 50Hz 时, PSRR 超过 120dB (滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz )。 60Hz 时, PSRR 超过 120dB (滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz )。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定,如下: