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World File Search System单晶
博士bhaumik的印第安纳尔
我们的研究重点是理解晶体结构与铁族之间的相关性以及材料的光学特性，主要是单晶形式。研究区域跨越线性和非线性光学元件，激光材料，压电，铁电，宽带隙半导体和闪烁器。单晶在实验室中通过几种复杂的技术（例如Czochralski方法，光浮带，Bridgmann技术和溶液生长技术）生长。设计和开发了几种专门的水晶增长设备。我们还旨在通过将宿主晶体掺入非线性光学，激光，压电和铁电动应用来定制材料的性质。
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
方案和教学大纲B.Sc.生物技术
第四单元：酶（12个讲座）酶，全酶，全酶，载脂蛋白，辅因子，辅酶，辅酶，假体，肠道酶，肠道酶，单晶和单晶和非成熟酶，激活能量和过渡性，特定的特定活动，常见的活动，常见的特征，常见的特征，常见的特征，类型，特定的特征，来自极端嗜热和过度嗜好的古细菌和细菌的生物催化剂。的作用：NAD+，NADP+，FMN/FAD，辅酶A，硫胺素焦磷酸盐，吡啶还毒素磷酸盐，lipoic-酸，生物素维生素B12，四氢叶酸和金属离子
铁电体通用热力学求解器
− − 是一个基于 Landau-Ginzburg-Devonshire (LGD) 理论计算铁电单晶和薄膜热力学单畴平衡态及其特性的程序。利用 SymPy 库的符号操作，可以求解控制方程以及适当的边界条件，从而快速最小化晶体的自由能。利用流行的差分进化算法，通过适当的混合，可以轻松生成多个相图，例如块体单晶的压力-温度相图和单畴薄膜系统的常见应变-温度相图。此外，可以同时计算稳定铁电相的多种材料特性，包括介电、压电和电热特性。对薄膜和单晶系统进行了验证研究，以测试开源程序的有效性和能力。
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
与免费电子激光器和高功率IR-THZ的科学...
[2] M. Narayanan等。，“通过钒掺杂：生长，光学和terahertz表征的半绝缘β-GA2O3单晶”，J。Cryst。增长，第1卷。637–638，p。 127719，7月2024。
型号 h-101 声光调制器 (aom)
L3Harris 型号 H-101 AOM 是一种高速布鲁斯特窗口设备。它旨在支持脉冲拾取和模式锁定应用，这些应用需要比提供类似调制能力的单晶设备更高的光功率处理能力。来自相干光源的光聚焦到光学介质内的光束腰，该介质由低损耗、紫外线级熔融石英组成。当通过合适的射频 (RF) 源引入声脉冲时，光按比例引导到初级强衍射级。RF 输入信号通过单晶压电换能器转换为等效行进声脉冲，该换能器在高真空下合金粘合到熔融石英基板上。
竹材Al(Cu)合金的电迁移行为及可靠性...
具有竹节粒结构、顶部覆盖 Al 3 Ti 层并以 W 柱终止的 Al(Cu) 细线是 Si 集成电路中越来越常见的一类互连线。这些线易受跨晶电迁移引起的故障影响。电迁移引起的应力演变可以用一维扩散-漂移方程建模，该方程的解需要了解传输参数。通过开发和执行使用在氧化 Si 基板上制造的单晶 Al 互连线的实验，明确地确定了 Al 中 Al 和 Cu 的跨晶扩散和电迁移特性。在顶部覆盖多晶 Al 3 Ti 覆盖层的钝化 Al 单晶线（2.0 μm 宽，0.4 μm 厚）上进行了加速电迁移寿命测试。覆盖层由 Al 与 Ti 覆盖层的反应形成。电迁移引起失效的激活能确定为 0.94±0.05 eV。以前对没有 Al 3 Ti 覆盖层的 Al 单晶的研究得出的激活能为 0.98±0.2 eV，寿命相似。结论是，Al 3 Ti 覆盖层不会影响跨晶电迁移的动力学和机制。此外，这些结果表明，单晶 Al 互连线电迁移引起失效的限速机制不是扩散，或者令人惊讶的是，Al 沿 Al/Al 3 Ti 界面的扩散率大约等于或低于 Al 沿 Al/AlO 界面的扩散率。还通过实验研究了 Cu 在单晶 Al 线中的扩散和电迁移特性。测试结构由平行线（5.0 μm 宽，0.4 μm 厚）组成，交替线终止于共用接触垫。铜被局部添加到所有线的相同区域，并通过分析 Cu 的浓度分布来表征温度和电流密度的影响
1个室温的散装可塑性和可调节位错...
摘要我们报告了由单晶立方ktao 3中的位错介导的室温散装可塑性，与传统的知识形成了鲜明的了解，即单晶ktao 3容易受到脆性裂解的影响。使用环状Brinell凹痕，划痕和单轴体积压缩的基于力学的组合实验方法始终显示从Mesoscale到宏观尺度的KTAO 3中的室温脱位。这种方法还提供可调的脱位密度和塑性区域尺寸。扫描传输电子显微镜分析基于激活的滑移系统为<110> {1-10}。鉴于KTAO 3作为新兴的电子氧化物的意义越来越重要，并且对调谐氧化物物理特性的脱位的兴趣越来越大，我们的发现有望引发与脱位的KTAO 3的协同研究兴趣。