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World File Search System卤化物
通过卤化物蒸气相互延伸
目前，由金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）生长的富含硼龙硼氢化硼（H-10 BN）硝酸硼（H-10 BN）超级氮化液（MOCVD）生长的超速型硝酸硼（H-10 tbn）超级氮化液带固定型的热中性探测器保持创纪录的所有固体检测率在59％处于59％的固体检测器中。为了克服MOCVD增长的短期繁殖，包括固有的低增长率和不可避免的杂质，例如金属有机物中的碳，我们在这里证明了使用Halide蒸汽相结合（HVPE）的SEMI SENIQUICENCE的天然六边形硝酸硼（H-BN）半裸型硼硼（H-BN）半裸型WAFER的增长。电运输表征结果表明，这些HVPE种植的材料具有1 10 13 x cm的电阻率，电荷载体迁移率和寿命为2 10 4 cm 2 /v s。用100 l m厚的H-BN晶片制成的检测器表明，热中子检测效率为20％，对应于500 V的运营电压，对应于60％的收费收集效率。此初始演示为高效H-BN中性探测器的高效型核能造成了核能的核能，这可能会创造出较高的核能，这可能会产生核能的核能，这可能会创造出不合时宜的核能，这可能会导致不合时宜，这可能会造成良好的核能，这可能会造成良好的成本，这可能会导致良好的核能，这可能会导致良好的核能，这是可降低的，这可能会产生良好的核能，这可能会产生良好的核能。核废料监测和管理，医疗保健行业以及物质科学。
过渡金属氮化物卤化物电介质
利用第一性原理计算，我们研究了六种过渡金属氮化物卤化物 (TMNH)：HfNBr、HfNCl、TiNBr、TiNCl、ZrNBr 和 ZrNCl 作为过渡金属二硫属化物 (TMD) 沟道晶体管的潜在范德华 (vdW) 电介质。我们计算了剥离能量和体声子能量，发现这六种 TMNH 是可剥离的并且具有热力学稳定性。我们计算了单层和体 TMNH 在平面内和平面外方向的光学和静态介电常数。在单层中，平面外静态介电常数范围为 5.04 (ZrNCl) 至 6.03 (ZrNBr)，而平面内介电常数范围为 13.18 (HfNBr) 至 74.52 (TiNCl)。我们表明，TMNH 的带隙范围从 1.53 eV（TiNBr）到 3.36 eV（HfNCl），而亲和力范围从 4.01 eV（HfNBr）到 5.60 eV（TiNCl）。最后，我们估算了具有六个 TMNH 单层电介质和五个单层通道 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的晶体管的电介质漏电流密度。对于 p- MOS TMD 通道晶体管，30 种组合中有 25 种的漏电流小于六方氮化硼 (hBN)，一种众所周知的 vdW 电介质。对于以 HfNCl 为栅极电介质的 ap -MOS MoSe 2 晶体管，预测最小双层漏电流为 1.15×10 -2 A/cm 2。据预测，HfNBr、ZrNBr 和 ZrNCl 也会在某些 p-MOS TMD 晶体管中产生微小的漏电流。
光子和旋转的手性金属卤化物
图1 |手性卤化物钙钛矿的光学和自旋表征的示例[1]。（S -HP1A）2 PBBR 4的晶体结构，具有4 3和4 1对称元素的插图。b（S -HP1A）2 PBBR 4和（R -HP1A）2 PBBR 4的薄膜的圆形二色性和 - s斑谱光谱。C磁性原子力M- croscopy（MC-AFM）测量的示意图。 d在（S -HP1A）2 Pbbr 4（红色）和（R -HP1A）2 PBBR 4（蓝色）中的自旋极化的平均值。C磁性原子力M- croscopy（MC-AFM）测量的示意图。d在（S -HP1A）2 Pbbr 4（红色）和（R -HP1A）2 PBBR 4（蓝色）中的自旋极化的平均值。
将卤化物钙蛋白酶与不同材料
Righetto，M.，Meggiolaro，D.，Rizzo，A.，Sorrentino，R.，He，Z.，Meneghesso，G.，。 。 。 Lamberti，F。（2020）。 将卤化物钙钛矿与不同的材料耦合：从掺杂到纳米复合材料，超越光伏。 材料科学的进展，110，100639-。 doi：10.1016/j.pmatsci.2020.100639Righetto，M.，Meggiolaro，D.，Rizzo，A.，Sorrentino，R.，He，Z.，Meneghesso，G.，。。。Lamberti，F。（2020）。 将卤化物钙钛矿与不同的材料耦合：从掺杂到纳米复合材料，超越光伏。 材料科学的进展，110，100639-。 doi：10.1016/j.pmatsci.2020.100639Lamberti，F。（2020）。将卤化物钙钛矿与不同的材料耦合：从掺杂到纳米复合材料，超越光伏。材料科学的进展，110，100639-。doi：10.1016/j.pmatsci.2020.100639
烷基卤化物化学的最新进展... -IJRPR
烷基卤化物，具有卤素原子（氟，氯，溴或诱导）的化合物粘结到饱和碳原子，由于其多样性的反应性和广泛的应用，在有机化学中保持中心位置。这些化合物是有机合成中的至关重要的构件，为复杂分子的构建提供了多功能官能团。烷基卤化物的独特特性，例如它们的亲电性和离开群体的能力，使它们在各种化学转化中都可吸引。从历史上看，烷基卤化物已经通过传统方法（例如烷基化的卤代化或醇与卤代的取代反应）合成。然而，合成方法的最新进展导致开发了更高效，更可持续的途径，用于烷基卤化物制备，绿色化学原理，包括催化过程，无溶剂疾病和无溶剂经济反应，已成为烷基合成烷基烷基卤化物和微小的废物的整体成分。烷基卤化物的反应性包括各种反应，包括亲核取代，消除和自由基过程。了解这些反应的机械途径对于控制选择性和实现有机合成期望结果至关重要。最近的研究阐明了复杂的反应机制和新的新变化，扩大了烷基卤化物的合成效用。除了其合成效用之外，烷基卤化物还发现了在药物化学，材料科学和农业化学等不同领域的应用。将其掺入药物化合物中赋予了理想的特性，例如增加亲脂性或代谢稳定性。在材料科学中，烷基卤化物是合成聚合物，表面活性剂和具有量身定制特性的功能材料的前体。本综述旨在全面概述烷基卤化物的化学，涵盖其合成，反应性和应用。通过探索合成方法，机理见解和新兴应用方面的最新进展，本综述旨在阐明烷基卤化物在当代有机化学中的核心作用，并激发该动态领域中进一步的探索和创新。烷基卤化物是一类由与饱和碳原子结合的卤素原子组成的有机化合物，代表有机合成中的基本构建块，并在各个领域具有广泛的应用。烷基卤化物的化学因素由于其多种反应性模式以及其在药物化学，材料科学和工业过程中的重要性而引起了重大兴趣。合成的是，通过多种方法制备烷基卤化物，包括烷基的卤素化，醇与卤素的取代反应以及向烷烃添加卤素。合成方法的最新进展已引入了更可持续和有效的途径，以实现其合成，通常采用过渡金属催化和创新反应设计。绿色化学原理越来越多地整合到烷基卤化物的合成中，以最大程度地减少废物产生和环境影响。
水介导合成卤化物固体电解质及...
Kerstin Neuhaus a André Gröschel b,c,d 和 Nella M. Vargas-Barbosa a,d * a Forschungszentrum Jülich GmbH, IEK-12: Helmholtz Institute Münster, Corrensstrasse 46,
铁卤化物钙钛矿光电子学
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。出版商接受发表本文，即承认美国政府保留非独占、已付费、不可撤销的全球许可，可出于美国政府目的出版或复制本稿件的已出版形式，或允许他人这样做。能源部将根据 DOE 公共访问计划 (http://energy.gov/downloads/doe-public-access-plan) 向公众提供这些联邦资助研究的成果。
铁卤化物钙钛矿光电子学
注意：本稿件由 UT-Battelle, LLC 撰写，合同编号为 DE-AC0500OR22725，与美国能源部签订。出版商接受发表本文，即承认美国政府保留非独占、已付费、不可撤销的全球许可，可出于美国政府目的出版或复制本稿件的已出版形式，或允许他人这样做。能源部将根据 DOE 公共访问计划 (http://energy.gov/downloads/doe-public-access-plan) 向公众提供这些联邦资助研究的成果。
sn卤化物钙壶通过高通量探索
与表现出尖锐的兴奋性光致发光（PL）的单一组件二维（2D）金属卤化物钙钛矿（MHP）不同，混合的PB-SN 2D晶格中出现了宽带PL。已经提出了两个物理模型 - 自我捕获的激子和缺陷诱导的stokes变度 - 用于解释这种非常规现象。然而，这两个解释都提供了有限的合理化，而无需考虑强大的组成空间，因此，宽带PL的基本起源仍然难以捉摸。在此，我们建立了高通量自动化的实验工作流程，以系统地探索混合PB-SN 2D MHP中的宽带PL，采用PEA（苯乙酰胺）作为一种模型阳离子，可作为刚性有机隔离器起作用。从频谱上讲，随着早期结晶期间PB浓度的增加，宽带PL通过快速PEA 2 PBI 4相分离而进一步扩大。违反直觉，尽管缺陷密度很高，但具有高PB浓度的MHP表现出长时间的PL寿命。高光谱显微镜在这些膜中识别出实质性PEA 2 PBI 4相分离，假设结晶时通过相分离来建立电荷转移激子，是造成非凡行为的原因。在高PB组成下，这远远超过了缺陷引起的发射的杠杆，从而产生了独特的PL性质。我们的高通量方法使我们能够调和有争议的先验模型，这些模型描述了2D PB-SN MHP中宽带发射的起源，从而阐明了如何全面探索复杂材料系统的基本原理和功能。
卤化物外延生长Sn掺杂Ga2O3薄膜
完整作者列表： 尼古拉耶夫，弗拉基米尔；国立科技大学莫斯科国立合金学院，电子学 波利亚科夫，亚历山大；国立科技大学莫斯科国立合金学院，电子学 斯捷潘诺夫，谢尔盖；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；约飞研究所，异形晶体物理实验室；完美晶体有限责任公司 佩奇尼科夫，阿列克谢；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；约飞研究所，异形晶体物理实验室；完美晶体有限责任公司 亚基莫夫，尤金；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学；俄罗斯科学院，微电子技术与高纯度材料研究所 切尔尼赫，阿列克谢；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 瓦西列夫，安东；国立科技大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 谢梅罗夫，伊万；国立科技研究型大学莫斯科国立合金学院，半导体电子学与半导体物理学 Kochkova，Anastasia；莫斯科国立合金学院，电子学 Guzilova，Lyubov Guzilova；Perfect Crystals LLC Konovalev，Mikhail；莫斯科国立合金学院，电子学 Pearton，Stephen；佛罗里达大学，材料科学与工程