摘要 - 在这项工作中,我们研究了最短矢量问题(SVP)在学习错误问题(LWES)方面产生的最短媒介问题(SVP)。lwes是模块环上方程式的线性系统,其中将扰动向量添加到右侧。这种类型的问题引起了人们的极大兴趣,因为必须解决LWES,以便能够破坏基于晶格的密码系统作为NIST在2024年发表的基于模块的键盘封装机制。由于这一事实,已经研究了几种基于经典和量子的算法来求解SVP。可用于简化给定SVP的两种著名算法是Lenstra-Lenstra-Lov´asz(LLL)算法和块Korkine-Zolotarev(bkz)算法。LLL和BKZ构造碱基可用于计算SVP的解决方案或近似解决方案。我们研究具有不同尺寸和模块化环的SVP的两种算法的性能。因此,如果LLL或BKZ在给定的SVP中的应用被认为是成功的,那么它们会产生包含SVP的溶液向量的碱基。
气候模型表明,气候反馈参数λ表示地球辐射响应对全球表面温度变化的大小随时间而变化。这是因为λ取决于海面温度的模式。然而,在多年观测中尚未评估λ的时间变异及其与海面温度模式的关系。在这里,使用最新的观察,我们评估了连续的25年窗户的全球能源预算,并在1970年至2005年间得出了λ的时间序列。我们发现λ在[ - 3.2,−1.0] w·m -2·k -1以来自1970年以来变化。这些变化与与PACIFID腐蚀振荡相关的海面温度模式变化有关。对历史海面温度的观测强迫的气候模型模拟显示了与观察结果一致的1970 - 2005年平均λ。然而,它们未能再现自1970年以来观察到的λ时间变化,这与Pacififfif-decadal振荡相关,这意味着气候模型低估了在十年时间尺度上的模式效应。
摘要。在金属材料的定向能量沉积 (DED) 工艺中,线激光增材制造 (WLAM) 的特点是使用激光束熔化金属线并产生焊珠。重叠焊珠的连续沉积产生体积以获得零件。因此,控制焊珠的几何形状对于增材制造工艺至关重要。一些研究工作已经研究了这些几何形状以及主要制造参数对其尺寸的影响,但很少有研究进料方向或线角度的影响。此外,所有关于线角度的研究都是在横向进料和恒定激光方向下进行的。本文重点研究了同轴线进料的沉积头方向对焊珠几何形状的影响,其中有 3 束激光。以相对于水平基板的不同方向进行实验,并使用光学仪器测量外部轮廓,以提取平均轮廓和特征尺寸。结果表明,头部绕其轴线旋转和横向倾斜会影响焊珠的高度、宽度和不对称性。
Regulation (EU) No 2024/2987 of the European Parliament and of the Council of 27 November 2024 amending Regulations (EU) No 648/2012, (EU) No 575/2013 and (EU) 2017/1131 as regards measures to mitigate excessive exposures to third-country central counterparties and improve the efficiency of Union clearing markets (EMIR 3), which已修改了欧洲议会和2012年7月4日理事会(EMIR)的648/2012法规(EU),提出了几项措施,以使欧盟清算服务和欧盟CCP更有效,更具竞争力,尤其是通过简化和缩短的监管程序来验证对模型和参数的更改验证的监督程序。Emir的第49(1)条现在区分了旨在采用模型或参数更改的CCP的两个批准程序:对于重大更改,根据Emir第49条的验证是必要的,而对于不重要的更改,CCP可以根据新介绍的加速程序,因为根据第49aa emir.49a emir.49a emir.emirs of Acceled Protive。Emir的第49(1)条现在区分了旨在采用模型或参数更改的CCP的两个批准程序:对于重大更改,根据Emir第49条的验证是必要的,而对于不重要的更改,CCP可以根据新介绍的加速程序,因为根据第49aa emir.49a emir.49a emir.emirs of Acceled Protive。
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作,必须准确评估这些器件的接入元件,如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析,以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时,使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术,以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后,提出了这些寄生效应的电热模型。
摘要:锂离子电池在线监视由于其内部状态的不可衡量的特征而具有挑战性。到目前为止,电池监视的最有效方法是基于等效电路模型应用高级估计算法。此外,一种估计缓慢变化的不可估计的参数的通常方法是将它们包括在零时间导数条件下,构成所谓的扩展等效电路模型,并已广泛用于电池状态和参数估计。尽管将各种高级估计算法应用于联合估计和双重估计框架,但这些估计框架的本质尚未更改。因此,电池监视结果的改进有限。因此,本文提出了一种新的电池监视结构。首先,由于叠加原则,提取了两个子模型。对于非线性,进行了可观察性分析。表明,局部可观察性的必要条件取决于电池电流,电池容量的初始值以及相对于充电状态的开路电压的衍生物平方。然后,获得的可观察性分析结果成为提出新的监测结构的重要理论支持。选择并使用常用的估计算法,即卡尔曼过滤器,扩展的卡尔曼过滤器和无香的卡尔曼过滤器。使用合成数据的数值研究已证明了所提出的框架的有效性。使用合成数据的数值研究已证明了所提出的框架的有效性。除了提供电池开路电压的同时估算外,电池容量估计更快,更易用的电池容量估计是新提出的监测结构的主要优势。
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医学中的人工智能(AI)研究正在迅速增长。Healthcare AI项目比全球经济其他任何领域的AI项目吸引了更多的投资。然而,在兴奋中,存在同等的怀疑,在膨胀的期望时有些敦促谨慎[1,2]。自世纪之交以来,AI也成功地进入了医学和医疗保健领域[3,4]。基于证据的医学的核心是使用历史数据来为临床决策提供信息。该任务传统上是通过统计方法解决的,该方法将数据中的模式描述为数学方程[5]。例如,神经网络使用大量互连神经元以类似于人脑的方式表示数据。这些包括可用性且价格合理的计算(处理)工具,硬件(例如图形处理单元),软件和应用程序,即使在消费级的个人计算机以及移动设备以及具有多种信息类型和形式的移动设备以及在线和云平台中,以及通过可穿戴技术和互联网(6)(6)(6)(6)[IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT)(IOT),开源编码资源以及从业者和用户交换资源,专有技术和经验的在线社区的增长;以及计算机处理与光子学(应用光学和电子融合)和人机接口等其他技术的集成[5,6]。
生物药物免疫疗法的出现彻底改变了癌症和自身免疫性疾病的治疗。然而,在某些患者中,抗药抗体 (ADA) 的产生会阻碍药物的疗效。ADA 的浓度通常在 1-10 pm 范围内;因此它们的免疫检测具有挑战性。针对用于治疗类风湿性关节炎和其他自身免疫性疾病的药物英夫利昔单抗 (IFX) 的 ADA 是焦点。报道了一种双极电解质门控晶体管 (EGT) 免疫传感器,该传感器基于还原氧化石墨烯 (rGO) 通道和与栅极结合的 IFX 作为特定探针。rGO-EGT 易于制造并具有低电压操作(≤ 0.3 V)、15 分钟内稳健的响应和超高灵敏度(检测限为 10 am)。提出了基于 I 型广义极值分布的整个 rGO-EGT 传递曲线的多参数分析。结果表明,即使在拮抗剂肿瘤坏死因子 α (TNF- 휶 )(IFX 的天然循环靶点)同时存在的情况下,该方法也可以选择性地量化 ADA。
摘要 本文提出了一种基于反转电荷的 MOS 晶体管 7 参数分析模型,旨在开发考虑 MOS 晶体管物理特性的简化分析电路设计方法。所提出的面向设计的模型首次能够描述先进纳米技术的主要短沟道效应以及晶体管漏极电流对漏极电压的依赖性,同时该模型对所有偏置状态(从弱到强反转)和所有工作区域(线性和饱和)均有效。提出了一种基于器件物理的简单程序来估算给定技术的晶体管模型参数。此外,针对不同的设计场景开发了电流导数的解析表达式。通过直接与 28 nm FD-SOI 技术中 N-MOS 晶体管的硅测量值(沟道宽度为 1 µ m,沟道长度为 30 nm、60 nm 和 150 nm)以及使用行业标准紧凑模型执行的模拟进行比较,验证了所提模型的准确性。