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双壁和传统 K 型和 N 型热电偶的热电稳定性
摘要 矿物绝缘金属护套 (MIMS) 贱金属热电偶在其使用寿命内会因高温使用和冶金变化而发生热电漂移，从而引起虚假测量误差。CCPI Europe Limited 和剑桥大学设计了一种带有额外内护套的 MIMS 热电偶，以保护热电元件免受导致热电漂移的影响。六个不同的国家计量机构 (NMI) 使用两种不同的测试方案评估了这些双壁热电偶以及传统的 N 型和 K 型热电偶的性能：1200 ◦ C 下的恒温测试和 300 ◦ C 和 1150 ◦ C 之间的热循环测试。调查表明，在两种测试方案中，与传统热电偶相比，N 型双壁热电偶的热电漂移均显着降低约三倍。 K型双壁热电偶和传统K型热电偶在恒温试验中没有显著差异，K型双壁热电偶在热循环试验中表现出比传统热电偶更大的漂移，但传统K型热电偶的坚固性不如双壁K型热电偶。本文给出的结果代表了对双壁热电偶和传统热电偶的热电稳定性的公正评估，可为潜在的u提供保证
钼二硫化物/双壁碳纳米管混合尺寸异质结构
钼二硫化物（MOS 2）是最相关的2D材料之一，主要是由于其半导体的直接带隙，使其成为电子，光电电子和光子学的有希望的材料。[8-10]同时，碳纳米管是研究精通的1D材料之一，可以提供高构成性和载体迁移率，[11,12]，这使它们成为与MOS 2的混合尺寸异质结构相关的。的确，一些努力为MOS 2 /碳纳米管异质结构做出了贡献。例如，具有MOS 2和单壁碳纳米管的异质结构已通过干燥转移制造，并制造了垂直的场效应晶体管，该晶体管与MOS 2 /石墨烯设备相比，栅极调制深度增加了三个数量级。[13]混合二维异质结构设备可以用作活跃显示器中的薄膜晶体管，但是所证明的干燥转移显然不是可扩展性生产的理想方法。为了解决这个问题，开发了通过化学蒸气沉积（CVD）在单壁碳纳米管上直接沉积。过渡金属氧化物和硫用作在单壁碳纳米管膜上沉积MOS 2或WS 2的前体。[14]在这项工作中，混合尺寸的侵蚀设备具有吸引人的电气性能和出色的机械稳定性。但是，研究在研究中忽略了混合二维异质结构的堆叠顺序，这些异质结构可以提供对异质结构和电极之间的联系的特征。在这里，我们首次报告了一种直接合成MOS 2 /双壁碳纳米管（DWCNT）< /div>的方法