传统上,农作物种植依赖于化学方法,这意味着严重的人为环境负荷和农田植物检疫条件差[6–8]。细菌植物生长促进法在俄罗斯农业中被称为生物化,是小麦种植中一个很有前途的方向,因为它充分利用了植物生长刺激细菌的潜力[9–11]。这些细菌及其代谢物提供生物肥料,增强根际生物源性,从而改善整个农业群落的生态条件。在适当的条件下,微生物会产生具有农业重要性的代谢物[12]。微生物及其代谢物分解复杂的土壤矿物质,将其转化为特定作物的生长促进剂。
R2. 对于 [本要求生效日期] 之前投入商业运营的每台发电机组,发电机所有者应确保其发电机组根据需要添加新的防冻措施或修改现有的防冻措施,以使其能够在极端寒冷天气温度下运行至少一 (1) 小时。无法在极端寒冷天气温度下运行一 (1) 小时的发电机组应针对已发现的问题制定纠正行动计划 (CAP),包括确定对要求 R3 要求的寒冷天气准备计划的任何必要修改。[违规风险因素:中等] [时间范围:长期规划、运营规划]
重音灯(彩色):用于强调特定对象或表面特征的嵌入式定向倾斜,或吸引人们注意视场的一部分(改编自ANSI/IES LS LS-1-22:“重音照明”)。主动模式:将使用产品的能量连接到电源电源和主要产生功能的状态被激活。(改编自IEC 62301 Edition 2.0 2011-01)孔径尺寸:跌落灯逃脱跌落的点之间的最大距离。梁角度:以度为单位的角度,在两个相反的方向之间,其中平均强度为中心束强度的50%,在至少两个旋转平面中测量,彼此之间,彼此之间,围绕梁轴90°。(ANSI C78.379-2006)颜色渲染索引(CRI):与光源照亮时颜色移位物体程度的度量相比,与被相同物体的参考源照亮的相同物体的颜色相比。(ANSI/IES LS-1-22)颜色可调节的倾斜:为了本规范的目的,颜色可调的倾斜具有功能,使最终用户可以更改倾斜生成的光的颜色外观,包括以下任何功能:
在本文中,我们研究了在漏极侧加入 HfO 2 作为电介质并在源极侧加入硅堆栈对双栅极隧道 FET(DG-TFET)电气性能的影响。为此,我们将传统 TFET 结构与其他四种结构进行了比较,这四种结构的栅极电介质材料要么是同质的,要么是异质的,而漏极侧的绝缘体要么是 SiO 2 要么是 HfO 2 。此外,还提出了一种具有硅源堆栈的结构,并将器件的性能系数与其他对应结构进行了比较。我们的模拟结果表明,漏极侧存在 HfO 2 绝缘体会降低双极传导,而异质栅极电介质则会增强驱动电流和跨导。但是,与传统 TFET 相比,HfO 2 会略微降低源极-栅极和漏极-栅极电容。此外,在所研究的 50 nm 沟道长度 TFET 中,硅源极堆栈与异质栅极电介质和漏极侧的 HfO 2 绝缘体的结合,可实现更高的 I ON /I OFF 比、更低的亚阈值斜率 (S) 和更低的双极传导。
将打靶特定人源基因的 Cas9 和 sgRNA 转染到 HEK293 细胞。转染所用的质粒 DNA 上含有 表达带双端核定位序列 ( NLS )的 Cas9 及 sgRNA 的表达框,通过 TransIT-X2 (Mirus) 转染 试剂进行转染。转染所用的 Cas9 mRNA 进行了假尿苷和 5- 甲基胞嘧啶修饰且带有双端 核定位序列,使用 transIT-mRNA 转染试剂将 sgRNA 和 mRNA 共转染。 Cas9 RNPs 使用脂质 体 RNAiMAX ( Life Technologies ) 进行反向转染, RNP 的终浓度为 10 nmol 。 Cas9 蛋白上不含 核定位序列。 EnGen Cas9 含有双端核定位序列。编辑效率通过 T7E1 实验进行分析,结果 以修饰百分比进行统计。
将打靶特定人源基因的 Cas9 和 sgRNA 转染到 HEK293 细胞。转染所用的质粒 DNA 上含有 表达带双端核定位序列 ( NLS )的 Cas9 及 sgRNA 的表达框,通过 TransIT-X2 (Mirus) 转染 试剂进行转染。转染所用的 Cas9 mRNA 进行了假尿苷和 5- 甲基胞嘧啶修饰且带有双端 核定位序列,使用 transIT-mRNA 转染试剂将 sgRNA 和 mRNA 共转染。 Cas9 RNPs 使用脂质 体 RNAiMAX ( Life Technologies ) 进行反向转染, RNP 的终浓度为 10 nmol 。 Cas9 蛋白上不含 核定位序列。 EnGen Cas9 含有双端核定位序列。编辑效率通过 T7E1 实验进行分析,结果 以修饰百分比进行统计。
日历描述:半导体器件和集成电路简介。双极结型晶体管的直流、交流和开关特性。线性放大器;带宽考虑;双端口分析。大信号放大器;功率放大器;无变压器电路。反馈和运算放大器;增益、灵敏度、失真和稳定性。滤波器设计。振荡器。在本课程中,学生将学习电子电路的分析和设计。将讨论分立电路和集成电路。本课程以涵盖基本电路和信号分析(在 ELEC 2501 中介绍)以及基本电子设备和电路(如二极管、双极结型晶体管、MOSFET 和放大器/整流器/调节器电路(在 ELEC 2507 中介绍))的概念为基础。在本课程中,单晶体管电路将扩展到由双极结型晶体管组成的多晶体管电路。将研究各种单晶体管和双晶体管放大器电路的设计,然后探索运算放大器。最后将看到一些运算放大器应用,例如滤波器和振荡器的设计。