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World File Search System双栅极
Karbalaei, M.、Dideban, D. 和 Heidari, H. (2020) 高 K 绝缘体和源极堆栈对双栅极隧道 FET 性能的影响：模拟
在本文中，我们研究了在漏极侧加入 HfO 2 作为电介质并在源极侧加入硅堆栈对双栅极隧道 FET（DG-TFET）电气性能的影响。为此，我们将传统 TFET 结构与其他四种结构进行了比较，这四种结构的栅极电介质材料要么是同质的，要么是异质的，而漏极侧的绝缘体要么是 SiO 2 要么是 HfO 2 。此外，还提出了一种具有硅源堆栈的结构，并将器件的性能系数与其他对应结构进行了比较。我们的模拟结果表明，漏极侧存在 HfO 2 绝缘体会降低双极传导，而异质栅极电介质则会增强驱动电流和跨导。但是，与传统 TFET 相比，HfO 2 会略微降低源极-栅极和漏极-栅极电容。此外，在所研究的 50 nm 沟道长度 TFET 中，硅源极堆栈与异质栅极电介质和漏极侧的 HfO 2 绝缘体的结合，可实现更高的 I ON /I OFF 比、更低的亚阈值斜率 (S) 和更低的双极传导。
TDG650E602TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
• 一类/一级生产筛选 • 提供批次验收测试选项 • 650 V 增强型功率晶体管 • 顶部冷却、低电感 GaNPX ® 封装 • RDS(on) = 25 mΩ • IDS(max) = 60 A • 超低 FOM • 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V） • 瞬态耐受栅极驱动（-20 V/+10 V） • 非常高的开关频率（> 10 MHz） • 快速且可控的下降和上升时间 • 反向传导能力 • 零反向恢复损耗 • 小型 9 x 7.6 mm 2 PCB 占用空间 • 双栅极焊盘可实现最佳电路板布局
易于获取的金属微岛阵列可用于高...
最近，有报道称，通过采用新的器件架构，人们提出了几种提高MOTFT性能的策略，包括双栅极注入[28–30]、高k绝缘体[31–33]和半导体异质结构。[34–38]在这些策略中，不同MO的低维双层或多层异质结构提高了MOTFT中的载流子迁移率和驱动电流。[39,40]这些改进通常源于两个具有较大费米能差的半导体之间异质界面势阱内受限的自由电子。[41]然而，尽管这些方法值得关注，但可用组件材料和漏电流控制的局限性损害了该平台的保真度。[37,38]另一种提高性能的方法
应用卷积神经网络模型加速纳米级场效应晶体管非平衡格林函数模拟
摘要 我们研究了卷积神经网络 (CNN) 在加速双栅极 MOSFET 量子力学传输模拟（基于非平衡格林函数 (NEGF) 方法）中的应用。具体而言，给定电位分布作为输入数据，我们实现卷积自动编码器来训练和预测载流子密度和局部量子电容分布。结果表明，在 NEGF 自洽计算中使用单个训练好的 CNN 模型以及泊松方程可以为各种栅极长度产生准确的电位，并且所有这些都在比传统 NEGF 计算短得多的计算时间内完成。 关键词：纳米级 MOSFET、模拟、非平衡格林函数、卷积神经网络、卷积自动编码器 分类：电子器件、电路和模块
高性能金属氧化物薄膜 T
最近，有报道称，通过采用新的器件架构，人们提出了几种提高MOTFT性能的策略，包括双栅极注入[28–30]、高k绝缘体[31–33]和半导体异质结构。[34–38]在这些策略中，不同MO的低维双层或多层异质结构提高了MOTFT中的载流子迁移率和驱动电流。[39,40]这些改进通常源于两个具有较大费米能差的半导体之间异质界面势阱内受限的自由电子。[41]然而，尽管这些方法值得关注，但可用组件材料和漏电流控制的局限性损害了该平台的保真度。[37,38]另一种提高性能的方法
六方氮化硼封装的单层 WS2 中的电子迁移率
我们报告了在六方氮化硼封装的双栅极单层 WS2 中的电子传输测量结果。使用从室温到 1.5 K 工作的栅极欧姆接触，我们测量了本征电导率和载流子密度随温度和栅极偏压的变化。本征电子迁移率在室温下为 100 cm2/(Vs)，在 1.5 K 下为 2000 cm2/(Vs)。迁移率在高温下表现出强烈的温度依赖性，与声子散射主导的载流子传输一致。在低温下，由于杂质和长程库仑散射，迁移率达到饱和。单层 WS2 中声子散射的第一性原理计算与实验结果高度一致，表明我们接近这些二维层中传输的本征极限。
高 k 电介质材料对电气的影响...
摘要：本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响，使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到，当接近更高的介电常数值时，导通电流增加，而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到，与其他模拟介电材料相比，HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
MoS2 双电子系统中的电荷传输和量子限制...
摘要：半导体二维 (2D) 材料由于其丰富的能带结构和在下一代电子器件中的良好潜力而引起了广泛的研究关注。在本文中，我们研究了具有双栅极 (DG) 结构的 MoS 2 场效应晶体管 (FET)，该结构由对称厚度的背栅极 (BG) 和顶栅极 (TG) 电介质组成。通过排除接触影响的四端电测量揭示了 DG-MoS 2 器件中厚度相关的电荷传输，并且还应用了 TCAD 模拟来解释实验数据。我们的结果表明，量子限制效应对 MoS 2 沟道中的电荷传输起着重要作用，因为它将电荷载流子限制在沟道的中心，与单栅极情况相比，这减少了散射并提高了迁移率。此外，温度相关的传输曲线表明，多层 MoS 2 DG-FET 处于声子限制的传输状态，而单层 MoS 2 表现出典型的库仑杂质限制状态。
2014 年第 37 届国际信息与... 会议
2014 年第 37 届信息和通信技术、电子学和微电子学国际大会（MIPRO） 微电子学、电子学和电子技术纳米技术，从近代历史到（不）可预测的未来 - 特邀论文 1 J. Turkovic 基于低温（α）和高温（β）GeS 2 晶相的簇共存的光谱证据，位于玻璃状二硫化锗基质中 7 V. Mitsa、R. Holomb、G. Lovas、M. Veres、M. Ivanda、T. Kovach 银胶体纳米粒子的合成和表征及其在表面增强拉曼光谱中的应用 11 L. Mikac、M. Ivanda、M. Gotic、T. Mihelj 碲酸盐玻璃的拉曼光谱 15 H. Gebavi、D. Ristic、V. Djerek、L. Mikec、M. Ivanda、D.用于尖端光子学应用的米兰涂层球形微谐振器 18 D. Ristic、M. Mazzola、A. Chiappini、C. Armellini、A. Rasoloniaina、P. Féron、R. Ramponi、G.N.Conti、S. Pelli、G.C.Righini、G. Cibiel、M. Ivanda、M. Ferrari 使用 THz 时域光谱检查硅材料特性 22 B. Pejcinovic 微带宽度和退火时间对微尺度石墨烯 FET 特性的影响 27 M. Poljak、M. Wang、S. Zonja、V. Djerek、M. Ivanda、K.L.Wang, T. Suligoj 具有优化发射极和电介质的石墨烯基晶体管 33 S. Venica, F. Driussi, P. Palestri, L. Selmi 厚度低于 20 nm 的双栅极锗 MOSFET 中受声子限制的空穴迁移率 39 V. Ivanic, M. Poljak, T. Suligoj 20 nm 栅极体和 SOI FinFET 之间的 RF 性能比较 45 S. Krivec, H. Prgic, M. Poljak, T. Suligoj CMOS 二进制加法器老化的模拟研究 51 T. An, C. Hao, L. Alves de Barros Naviner 多故障下并发检查电路可靠性评估的分析方法 56 T. An, K. Liu, L. Alves de Barros Naviner CMOS 乘法器结构的合成使用多功能电路 60 C. Popa
Sudhansu Kumar Pati 博士- 硅谷科技学院
栅极金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管 (DG MOS-HFET)”，超晶格和微结构 - ELSEVIER Publishers，第 55 卷，第 8-15 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.12.002（SCI 影响因子 2.12）3. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“一种提取具有 NQS 效应的非对称 DG MOSFET 的 RF 参数的新方法”，半导体杂志- IOP Publishers，第 55 卷34，第 2 期，第 1-5 页，2013 年 11 月。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674-4926/34/11/114002（SCI - 影响因子 1.18）4. Sudhansu Kumar Pati、KalyanKoley、ArkaDutta、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“体和氧化物厚度变化对下重叠 DG- MOSFET 模拟和 RF 性能的影响研究”，Microelectronics Reliability-Elsevier Publishers，Vol. 54，第 6-7 期，第 1137-1142 页，2014 年。ISSN：0026-2714，DOI：10.1016/j.microrel.2014.02.008 5. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“欠重叠和栅极长度对 AlInN/GaN 欠重叠 MOSFET 器件性能的影响”，半导体杂志，IOP Science publishers，第 54 卷。 33, No. 12, 2012 年，第 1-7 页。ISSN：1674-4926，DOI：10.1088/1674- 4926/33/12/124001（SCI-影响因子 1.18） 6. HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、Godwin Raj、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“研究 III-V 异质结构欠重叠 DG MOSFET 中栅极错位、栅极偏置和欠重叠长度导致的不对称效应”，Physica E：低维系统和纳米结构，Elsevier，Vol. 46，第 61-67 页，2012 年。ISSN：1386-9477，DOI：10.1016/j.physe.2012.09.011（SCI 影响因子 3.57） 7. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“III-V 异质结构与硅底搭接双栅极 MOSFET 的比较评估”，半导体，Springer，第 46 卷。 46，第 10 期，2012 年，第 1299–1303 页。ISSN：1090-6479，DOI：10.1134/S1063782612100119（SCI - 影响因子 0.641） 8. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于物理的 AlGaN/GaN HEMT 器件电荷和漏极电流模型”，Journal of Electron Devices，Vol. 14，第 1155-1160 页，2012 年。ISSN：1682-3427 9. Godwin Raj、HemantPardeshi、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“基于极化的电荷密度漏极电流和纳米级 AlInGaN/AlN/GaN HEMT 器件的小信号模型”，超晶格和微结构，Elsevier，Vol. 54，第 188-203 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2012.11.020（SCI 影响因子 2.12） 10. HemantPardeshi、Godwin Raj、Sudhansu Kumar Pati、N. Mohankumar 和 Chandan Kumar Sarkar，“势垒厚度对 AlInN/GaN 下重叠 DG MOSFET 器件性能的影响”，超晶格与微结构，Elsevier，第 60 卷，第 47-59 页，2013 年。ISSN：0749-6036，DOI：10.1016/j.spmi.2013.04.015（SCI 影响因子 2.12）