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三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·BTBT·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。
通过基于双门MOSFET类AB放大器的制造实现
摘要 - 本研究工作通过使用Double-Gate（DG）MOSFET的应用程序设计了AB级放大器，该研究根据其未来的设计提供了有关如何利用放大器的见解。主要考虑是在音频放大器设计中使用DG MOSFET，用于低功率和低噪声，高功率的电压调节等。这种设计的挑战是将DG MOSFET作为突出组件的尝试，以证明它是通用电子应用中的可用组件。使用DG MOSFET（用于音频放大器）的AB类放大器的模型已设计，制造并以其频率和功率特性进行了分析。 该提议的设计具有2 W rms音频放大器的典型音频频率范围为20 Hz - 20 kHz。已设计，制造并以其频率和功率特性进行了分析。该提议的设计具有2 W rms音频放大器的典型音频频率范围为20 Hz - 20 kHz。
具有最小脉冲序列的双量子比特量子门
通过使用彼此距离很近的捕获原子，我们表明，可以使用每个量子比特一个脉冲或一个结构化脉冲来实现基于非独立量子比特的纠缠门。最佳参数取决于丢番图方程的近似解，导致保真度永远不会完全为 1，即使在理想条件下也是如此，尽管可以以更强的场为代价将误差任意减小。我们充分描述了门的运行机制，并研究了激光束中的热运动和强度波动对门的不同物理实现的影响。如果我们不使用一个脉冲，而是使用两个脉冲序列来控制系统，那么就可以实现多种机制，人们可以从广泛的值中选择最佳参数来实现高保真度门，从而更好地抵御激光强度波动的影响。
使用自旋量子阱实现稳健的双量子比特门
纠缠门是量子计算机的重要组成部分。然而，以可扩展的方式生成高保真门仍然是所有量子信息处理平台的主要挑战。因此，提高这些门的保真度和稳健性一直是近年来的研究重点。在捕获离子量子计算机中，纠缠门是通过驱动离子链的正常运动模式来执行的，从而产生自旋相关力。尽管在提高这些门的稳健性和模块化方面取得了重大进展，但它们仍然对驱动场强度的噪声很敏感。在这里，我们用自旋相关压缩补充了传统的自旋相关位移，这创造了一种新的相互作用，使门能够对驱动场幅度的偏差具有鲁棒性。我们求解一般的汉密尔顿量并分析设计其频谱。我们还赋予我们的门其他更传统的稳健性属性，使其能够抵御许多实际的噪声源和不准确性。
使用高κ门...
摘要：有能力以能量的方式处理数据，建议神经形态计算来克服传统的von Neumann计算系统的问题。神经形态计算由神经元和突触的两个关键特征组成，其中神经元整合了所有电荷，而突触则保留了这些电荷。在本文中，我们制造和分析了模仿单个基于Si的金属氧化物半导体fimect-eect-ectect晶体管（MOSFET）结构中神经元和突触的设备。我们制定和分析2 O 3/Si 3 N 4（A/N）和Al 2 O 3/HFO 2/Si 3 N 4/SiO 2（A/H/N/N/O）设备，以使A/N设备建议用作神经元设备，因为它可以用作快速电荷发射特征，而将其用作a/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/h/长期收费。我们建议通过在MOSFET中采用不同的栅极绝缘体堆栈结构来制造神经元和突触的可能性。关键字：神经形态计算，突触设备，神经元设备，场效应晶体管，保留，高κ，HFO 2，SI 3 N 4 4■简介
Kingspan 门部件
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