XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System受激发射
聚合物中的双光子吸收和受激发射...
通过材料厚度非线性传输和 Z 扫描技术，研究了用 775 nm、1 kHz 飞秒激光脉冲激发的多晶硒化锌 (ZnSe) 的光学非线性。测得的双光子吸收系数 β 与强度有关，推断 ZnSe 在高强度激发下也与反向饱和吸收 (RSA) 有关。在低峰值强度 I < 5 GW cm –2 时，我们发现 775 nm 处的 β = 3.5 cm GW –1。研究了宽蓝色双光子诱导荧光 (460 nm-500 nm) 的光谱特性，在带边附近表现出自吸收，而上能级寿命测得为 τ e ~ 3.3 ns。在光学腔内泵浦 0.5 毫米厚的多晶 ZnSe 样品时观察到受激辐射，峰值波长 λ p = 475 nm 时，谱线明显变窄，从 Δ λ = 11 nm（腔阻塞）到 Δ λ = 2.8 nm，同时上能级寿命也缩短。这些结果表明，在更优化的泵浦条件和晶体冷却下，多晶 ZnSe 可能通过 λ = 775 nm 的双光子泵浦达到激光阈值。
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'