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JST12 系列三端双向可控硅具有很强的承受大电流冲击负载的能力,提供高 dv/dt 率,具有很强的抗电磁干扰能力。三象限产品具有高换向性能,特别推荐用于电感负载。JST12A 提供额定绝缘电压为 2500V RMS,JST12F 提供额定绝缘电压为 2000V RMS,从所有三个端子到外部散热器
注意 在没有设备规格表确认的情况下,夏普对使用目录、数据手册等中所示的任何夏普设备的设备可能出现的任何缺陷概不负责。除非特别说明,本页列出的型号符合欧盟 RoHS 指令*。有关详细信息,请联系夏普。 *欧盟 RoHS 指令:欧盟立法限制使用铅、镉、六价铬、汞、特定溴化阻燃剂 (PBB 和 PBDE) 和邻苯二甲酸酯 (DEHP、BBP、DBP、DIBP)。在使用任何夏普设备之前,请联系夏普以获取最新的设备规格表。
可控硅整流器 (SCR) 因其对 ESD 应力的高稳定性而成为最具吸引力的 ESD 防护元件 [1]。然而,传统 SCR 器件具有较高的触发电压 (Vt1) 和较低的维持电压 (Vh) [2,3]。因此,它无法在大多数电路中提供有效的 ESD 防护。为了解决这些问题,许多基于局部的改进 ESD 防护方案被提出,例如改进型横向 SCR (MLSCR)、低触发 SCR (LVTSCR) 和二极管串触发 SCR (DTSCR) [4,5]。其中,DTSCR 能够实现非常低且灵活的触发电压,近年来许多基于 DTSCR 的改进结构被提出。例如,Chen、Du 等人提出了一种称为 LTC-DTSCR 的新型 DTSCR [6]。 LTC-DTSCR通过抑制DTSCR寄生SCR的触发,进一步降低了触发电压。但DTSCR结构相对较高的过冲电压和较慢的导通速度限制了其在充电器件模型(CDM)保护中的应用[7]。此外,DTSCR不适用于2.5 V及以上电路的ESD防护,因为触发二极管数量的增加会因达林顿效应而导致较大的漏电和闩锁风险。LVTSCR与传统SCR存在同样的问题:触发电压过高,难以调整以适应先进CMOS工艺的ESD设计窗口。目前,[8,9]中已提出了几种改进的LVTSCR结构,但它们均侧重于提高保持电压,这些器件的触发电压仍然较高(~8 V)。此外,还有许多新型SCR结构被提出。 Lin 等通过在 SCR 中引入两个栅极,实现了低触发电压、低漏电、低寄生电容的新型 SCR 器件 [10],但需要外部 RC 电路辅助触发,会造成巨大的额外面积消耗。P. Galy 等将 SCR 嵌入 BIMOS 中 [11],实现了超紧凑布局、低触发电压、低导通电阻,但其保持电压较低,如果施加的电压域较高,会增加闩锁风险。
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6月12日2024年 — 杰杰微电子有限公司BTA04/BTB04系列/T4系列4A三端双向可控硅。描述:采用双台面技术,电流密度高;玻璃钝化...
用于切换电路或连接电路或在电路中工作的电压不超过 1000 V 的电气设备(不包括保险丝、自动断路器和其他保护电路的装置、继电器和其他开关、灯座、插头和插座) 8541.10 二极管,除光敏或发光二极管(LED)之外 8541.21 晶体管,除耗散率小于 1 W 的光敏晶体管之外 8541.29 除光敏晶体管之外的其他晶体管 8541.30 晶闸管、双向二极管和三端双向可控硅开关元件(不包括光敏半导体器件) 8541.49 光敏半导体器件(不包括光伏发电机和电池) 8541.51 其他半导体器件:基于半导体的换能器 8541.59 其他半导体器件 8541.60 已装配的压电晶体
C21 是 1/32 DIN 尺寸面板安装控制器。C91 是 1/16 DIN 尺寸面板安装控制器。这些设备由 11-26 或 90-250 VDC/VAC 电源供电,标配 2 安培控制继电器输出。第二个输出可用作冷却控制、警报或停留定时器。两个输出都可以选择三端双向可控硅开关、5V 逻辑输出、线性电流或线性电压来驱动外部设备。第二个输出可以配置六种类型的警报和一个停留定时器。这些设备完全可编程用于 PT100 和 J、K、T、E、B、R、S、N、L 型热电偶,无需修改设备。输入信号使用 18 位 A 到 D 转换器进行数字化。其快速采样率使设备能够控制快速过程。