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World File Search System同质外延
(010)β-Ga2O3 的低温同质外延 ...
摘要 — 在本文中，我们报告了高迁移率 β -Ga 2 O 3 同质外延薄膜的生长温度，该薄膜的生长温度远低于金属有机气相外延的传统生长温度窗口。在 Fe 掺杂的 (010) 块体衬底上以 600 ◦ C 生长的低温 β -Ga 2 O 3 薄膜表现出卓越的晶体质量，这从测量的非故意掺杂薄膜的室温霍尔迁移率 186 cm 2 /Vs 可以看出。使用 Si 作为掺杂剂实现 N 型掺杂，并研究了 2 × 10 16 - 2 × 10 19 cm −3 范围内的可控掺杂。通过比较二次离子质谱 (SIMS) 中的硅浓度和温度相关霍尔测量中的电子浓度，研究了 Si 的掺入和活化。即使在这种生长温度下，薄膜也表现出高纯度（低 C 和 H 浓度），且补偿受体浓度非常低（2 × 10 15 cm − 3）。此外，在较低温度下生长时，可以观察到突变掺杂分布，正向衰减速度为 ∼ 5nm/dec（与在 810 ◦ C 下生长的薄膜相比，提高了 10 倍）。
硅同质外延晶圆表面清洁... - DSpace@MIT
本论文的目的是研究使用 ECR（电子回旋共振）氢等离子体技术的低温原位清洗工艺和使用 HF 浸渍法的原位清洗工艺，用于低温硅同质外延生长。在 MS-CVD（多室化学气相沉积）反应器上安装了负载锁室，以降低将污染物引入系统的可能性。选择 ECR 等离子体系统是因为与传统的 RF（射频）系统相比，它可以以良好调节的方式输送更高密度的低能离子。选择氢气是因为氢气质量轻，并且能够与表面污染物发生化学反应。在原位清洗的晶圆顶部沉积外延层，并通过 XTEM（横截面透射电子显微镜）和 RBS（卢瑟福背散射光谱）技术研究外延层和外延层/衬底界面的结构质量。使用 SIMS（二次离子质谱）检测界面处的氧和碳污染物。
c 面 GaN 模板和蓝宝石衬底上 -Ga2O3 薄膜的晶体各向异性
β -氧化镓（β -Ga 2 O 3 ）的带隙约为4.9 eV [ 1 ]，作为一种新兴的超宽带隙半导体，近年来得到了广泛的研究。由于其具有成熟的块体材料制备、优异的Baliga 品质因数和高电子迁移率等优点[ 2 ]，β -Ga 2 O 3 被认为是一种很有前途的日盲紫外（UV）光电探测器、气体传感器、紫外透明导体和大功率电子器件的候选材料[ 3 ，4 ]。虽然块体β -Ga 2 O 3 是外延生长高质量β -Ga 2 O 3 薄膜的理想衬底，但其昂贵的成本和较差的热导率仍然阻碍了同质外延的商业化。因此，在低成本、大尺寸衬底上异质外延β -Ga 2 O 3 薄膜仍然具有重要意义。