灵敏度 - 数字成像 - 像素 - 量子效率 - 复位 - 正向偏置 - 区域板 - 通道电位 - 全帧成像器 - PPD - 采样频率 - 光子散粒噪声 - VGA - 产量 - 暗固定模式噪声 - 反向偏置二极管 - 收集效率 - 逐行扫描 - 动态范围 - 薄膜干涉 - 固定光电二极管 - 光谱灵敏度 - 饱和电压 - 双线性成像器 - 光子传输曲线 - 行间传输图像传感器 - 电荷耦合器件 - 微透镜 - 暗电流散粒噪声 - E SD - 条纹滤波器 - 数码相机 - 拼接 - 高斯分布 - 硅 - 热噪声 - 传感器结构 - 亮度 - 浮动扩散放大器 - 转换因子 - 闪烁 - MOS 电容 - 辐射单位 - 移位寄存器 - 带隙 - 黄色 - 补色 - 光电门 - 列放大器 - 纹波时钟 - 反转层 - CMOS 成像器 - 对数响应 - 普朗克常数 - 电荷泵 - 阈值电压 - 埋通道 CCD - 暗电流 - 噪声等效曝光 - MSB - 转换因子 -缺陷像素校正 - 边缘场 - 分辨率 - 双相传输 - 正透镜 - 角响应 - PRNU - 波长 - 帧传输成像器 - 电荷注入装置 - 测试 - 通道定义 - 摄像机 - 光晕 - 隔行扫描 - 彩色滤光片 - 自动白平衡 - 虚拟相位 - 拖尾 - 单斜率 ADC - 表面电位 - 耗尽层 - 垂直防光晕 - 多相钉扎 - 电子快门 - PAL - 埃普西隆 - 相关双采样 - 蓝色 - CIF - 洋红色 - 填充因子 - 延迟线 - 线性响应 - 规格 - 结深 - 复位噪声 - 线性图像传感器 - 光学低通滤波器 - 二氧化硅 - 光电二极管 - 勒克斯 - 闪光 ADC - 定时抖动 - 拥有成本 - 封装 - 光刻 - 有源像素传感器 - DSP - 积分时间 - 三相传输 - 光子通量 - 晶圆级封装 - 电荷泵 - 滤光轮 - 有效线时间 - 吸收深度 - 玻尔兹曼常数 - 弱反转 - LSB - 水平消隐 - 光栅滤波器 - 帧抓取器 - 原色 - 拜耳模式- 缩放 - 功耗 - 单色仪 - 模拟数字转换 - 光固定模式噪声 - 无源像素传感器 - 彩色棱镜 - SGA - 氮化硅 - 温度依赖性 - 负透镜 - sigma delta ADC - 混叠 - 插值 - 传输效率 - F 数 - 红色 - 动态像素管理 - 栅极氧化物 - 热漂移 - 热噪声 - 扩散 MTF - 有源像素传感器 - 泄漏器 - 1/f 噪声 - 青色 - 信噪比 - 孔径比 - 奈奎斯特频率 - 非隔行扫描 - 像素内存储器 - 四相传输 - 技术 - kTC 噪声 - 辐射损伤 - 离子注入 - MOS 晶体管 - 内透镜 - 光度单位 - 表面通道 CCD - 延时和集成成像器 - 宽高比 - 绿色 - NTSC - 单芯片相机 -可见光谱 - 调制传递函数 - 同步快门 - 马赛克滤光片 - 背面照明 - 色彩串扰 - 量化噪声 - 逐次逼近 ADC - 压缩 - 漏极 - 多晶硅 - 堆叠 - 光子转换 - 飞行时间 - 吸收系数 - DIL - 收集体积 - 孔 - 四线性成像器 - 单相传输 - 填充和溢出 - 收集效率 - 垂直消隐 - 源极跟随器 - 雪崩倍增 - 辐射 - 横向防晕 - 晶圆上测试 - 自感场 - 自动曝光 - 泊松分布 - 电荷复位 - 伽马
of GaN/p-Si based solar cells N. S. Khairuddin a , M. Z. Mohd Yusoff a,* , H. Hussin b a School of Physics and Material Studies, Faculty of Applied Sciences, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah Alam, Selangor, Malaysia b School of Electrical Engineering, College of Engineering, Universiti Teknologi MARA, 40450 Shah阿拉姆(Alam),马来西亚雪兰莪(Selangor),在这项研究中,我们使用PC1D模拟器来证明基于硝酸盐(GAN)的太阳能电池模型的性能分析。已经发现,当GAN底物的层厚度生长时,太阳能电池的效率会降低。这是通过比较GAN和硅底物上的掺杂浓度和层厚度来发现的。随着P掺杂SI层的厚度升高,细胞效率恰好增加。GAN和P -Silicon的最佳掺杂浓度分别为1x10 18 cm -3和1x10 17 cm -3。与其他设计相比,GAN/P-Silicon太阳能电池的效率最高25.26%。(2023年6月21日收到; 2023年9月1日接受)关键字:太阳能电池,甘恩,氮化碳,硅,硅,pc1d1。简介硝酸盐(GAN)设备自然会获得市场份额。gan收入将以75%的累积年增长率扩大。电力电子专家目前面临与电路设计技术,被动组件选择,热管理和实验测试有关的问题,这是由于其高开关速度和操作开关频率[2]。gan合金具有可调的直接间隙,这就是光伏使用它们的原因。用于光电和微电子学中的应用,III-V硝酸盐(如氮化岩(GAN),氮化铝(ALN)和硝酸铝(Innride)及其合金及其合金都特别吸引人。他们的带盖是最初[3]最诱人的地方之一。si还旨在在低温血浆增强化学蒸气沉积(PECVD)方法中作为N型掺杂剂掺入,因为它是高温GAN中的众所周知的供体掺杂剂[4]。由于其直接带隙(例如〜3.4 eV),整个可见光谱中的透射率超过82%,高电子迁移率(〜1,000 cm2/vs)[5] [5],高导热率和出色的化学稳定性和出色的化学稳定性[6],氮化物(GAN)具有出色的光学和电气性能。Ingan材料系统的带隙现在跨越了红外线到紫外线。INGAN材料系统对于光伏应用是有利的,因为它可用于制造第三代设备,例如中型太阳能电池,除了高效的多官方太阳能电池外,由于其直接和宽的带隙范围[7]。氮化物具有有利的光伏特性,例如低有效的载体,高迁移率,高峰值和饱和速度,高吸收系数和辐射耐受性,除了宽带间隙范围[8]。IIII-V硝酸盐技术能够生长高质量的晶体结构并创建光电设备的能力证实了其高效光伏的潜力[9]。上述情况使我们能够控制费米水平显然随着gan厚度的上升而向上移动,并减少传导带最小值(CBM)值和价值最大(VBM)值[10]。压缩应力的松弛和较厚的GAN层的载体浓度增加是依赖厚度依赖性带结构的初步解释[11]。
酒精掺杂Safranin O Dye(PVA/SO)薄膜F. Bahrani *,I。K. Jasim,A。Q. A. Q. Abdullah物理系,巴斯拉大学,巴斯拉 - 伊拉克 - 伊拉克的光学特征,多乙烯基酒精/safranin o dye(pva/so so thee films)已通过铸造技术进行了调查。通过X射线衍射分析研究了PVA/薄膜的组成和晶体特征。紫外线 - 可见光谱已被用于测量薄膜的吸收和透射性能通过300-900 nm的波长范围。可以在与直接带间隙相关的吸收系数中识别两个区域,该系数约为基本能量间隙的3.93 eV和发作间隙的2.11EV。已经执行了理论上的挥之不良模型,以量化除振荡能(E O)之外的静态折射率N和分散能。结果表明,该模型中折射率分散的数据服从了单个振荡器,该振荡器用于推断分散体和高频介电常数。在所检查的波长范围内,已经研究了PVA/SO染料薄膜的复杂介电常数。已经估计了载体浓度与有效质量的比率。振荡能值。PVA/SO薄膜具有用于太阳能电池应用的有趣的物理特性。由于这些有机材料的稳定性和光漂白,它们的应用通常在设备中受到限制。(2023年12月18日收到; 2024年2月19日接受)关键词:光学性质,聚乙烯醇,折射率,safranin o Dye,Wemple-Didomenico单振荡器1.引入聚合物和染料组合(在功能性大分子中)在高性能材料方面具有巨大的潜在研究领域。基于此,近年来有色聚合物对于许多技术应用和生活方式的基本组成部分已变得显着巨大。如今,含染料的聚合物的不同应用用于绘画行业,药物,气体分离过程[1],DSSC [2],非线性光学元件(NLO)[3],光发射二极管(LED)[4]和光学存储设备[5]。因此,设计新的潜在杂种系统需要更稳定的染料,例如凝胶宿主中封装的染料分子。显然,这些应用与与相同聚合物结合的染料的性质相关。特定的聚合物亲和力投资于废水工作。Dyes are colored due to the selective absorption of light in the visible spectrum region (400-700 nm), possess at least one chromophore, and have a conjugated system, such as molecules structure with single and double alternating bonds (C-C and C=C bonds) which prepare the material with the π-electron delocalization, However, it is also linked to the intensity of light, as well as exhibit electrons共振[6]。如果缺少分子结构中的任何特征,则可能会丢失颜色。除了发色团外,许多染料中还存在酸性植物基团(颜色助手),例如羟基1基,氨基,磺酸和羧酸。虽然它们的存在不负责颜色,但它们确实会变化,并且通常用于影响染料的溶解度。许多研究已将其嵌入到聚合物中,以获取薄膜,使我们能够利用聚合物的良好性能,例如机械性能以及对有机溶剂和温度的耐药性。在不同的聚合物中使用了合适的宿主材料PVA,因为它具有出色的特征,例如水溶性,化学稳定性,完美的膜形成特征,电荷存储
近十年来,卤化物钙钛矿得到了广泛的研究,部分原因是钙钛矿基太阳能电池的能量转换效率得到了前所未有的快速提高。除了太阳能电池之外,基于钙钛矿的光电器件如光电探测器和发光器件也已展示出令人印象深刻的性能,这得益于大的吸收系数、可调的带隙、缺陷容忍度和长的载流子扩散长度。尽管这些领域已经取得了重大进展,但是包括长期稳定性和铅的毒性在内的一些挑战极大地限制了它们的商业化。人们已经付出了巨大的努力,从光物理的基本理解、材料工程和性能优化等方面来解决这些长期存在的问题。本期特刊以“卤化物钙钛矿:从材料到光电器件”为主题,包括一条评论、四篇综述和五篇原创研究文章,涵盖了所有提到的主题。在本期特刊中,熊等人。来自新加坡南洋理工大学的李建军等 [1] 深入评述了基于钙钛矿的激子极化玻色-爱因斯坦凝聚态的研究现状和未来的研究方向。Koleilat 等 [2] 详细总结了维度工程包括形态工程和分子工程如何影响它们的带隙、结合能和载流子迁移率,从而影响光电探测器和太阳能电池的性能。李等 [3] 综述了二维钙钛矿中自陷激子的研究进程,包括自陷激子的起源,如何检测和控制自陷激子以及自陷激子的存在如何影响钙钛矿基光电器件的性能。唐等 [4] 详细评述了自陷激子在钙钛矿中的研究进展,包括自陷激子的起源,如何检测和控制自陷激子以及自陷激子的存在如何影响钙钛矿基光电器件的性能。 [4] 收集了钙钛矿基发光二极管的外量子效率、亮度和稳定性状态等性能矩阵,向读者简要而全面地介绍了该领域。陈等 [5] 总结了下一代硅基串联太阳能电池的可能顶部电池,并进一步提出了有希望的候选顶部电池。梅等 [6] 通过一种简单的一步滴涂法探索了前体浓度如何影响可印刷无空穴导体介观钙钛矿太阳能电池的性能;游等 [7] 通过使用无掺杂聚合物聚(3-己基噻吩-2,5-二基)(P3HT)作为空穴传输层,研究了无机钙钛矿太阳能电池的性能和热稳定性。钟等[8] 采用刮刀涂布法制备宽带隙甲脒溴化铅薄膜,并研究表面活性剂种类对基于所制备薄膜的太阳能电池性能的影响。魏等。[9] 展示了如何通过复合工程制造高效的钙钛矿基发光二极管。Mu 等人 [10] 提出了一种电晕调制装置结构,以在电子束激发下实现钙钛矿量子点中的随机激光发射。本期特刊中出现的十篇文章仅涵盖了这个快速发展的钙钛矿社区最新进展的一小部分。我们希望本期特刊能为卤化物钙钛矿社区提供有用的参考,并激发这些研究领域的更多研究。