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World File Search System周期性地
通过定期驱动交换相互作用来保护量子点自旋链中的量子信息
最近的研究通过周期性地驱动门定义量子点阵列中的最近邻交换相互作用，展示了量子自旋链中离散时间晶体物理的新途径 [H. Qiao 等人，Nat. Commun. 12，2142 (2021)]。在这里，我们对 GaAs 量子点小阵列中交换驱动的 Floquet 物理进行了详细分析，包括相图和其他诊断。我们还表明，新兴的时间晶体行为有利于多自旋态的保护和操纵。对于 GaAs 中典型的核自旋噪声水平，驱动和相互作用的结合将纠缠态的相干时间增加了几个数量级。对于其他量子点系统（例如 Si），也可以获得类似的结果。我们进一步展示了如何在单重态-三重态量子比特之间构建具有高保真度的时间晶体启发的 CZ 门。这些结果表明，周期性驱动交换耦合可以增强量子点自旋系统在量子信息应用中的性能。
![arXiv:2003.10638v1 [quant-ph] 2020 年 3 月 24 日](/simg/6\603a1a04c213b9819e986119793cefc0bce1408e.webp)
arXiv:2003.10638v1 [quant-ph] 2020 年 3 月 24 日
我们建议通过双音驱动来周期性地调制现场能量，这可以进一步用于设计人工规范势。作为示例，我们表明，使用这种双音驱动设计的人工规范势，可以通过超导通量量子比特构建穿透有效磁通量的费米子阶梯模型。在该超导系统中，由于腿间耦合强度和有效磁通量的竞争，单粒子基态可以从涡旋相变为迈斯纳相。我们还提出了通过相邻量子比特之间的单粒子拉比振荡来实验测量手性电流的方法。与以前产生人工规范势的方法相比，我们的建议不需要辅助耦合器的帮助，并且原则上只有当量子比特电路保持足够的非谐性时才有效。具有有效磁通量的费米子梯子模型也可以解释为一维自旋轨道耦合模型，从而为量子自旋霍尔效应的实现奠定了基础。
太空矿产勘探：那里有什么？我们能得到吗？
摘要：自从柯克船长指挥企业号以来，我们就知道太空是最后的边疆。地球上的矿产资源有限，我们是否想将采矿作业转移到以前没有人开采过的太空？蓬勃发展的金属市场和太空技术的进步激发了人们对这个问题的兴趣。在配套的背景论文中，我回顾了地球上的非燃料矿产市场，并注意到人们周期性地担心矿产资源耗尽。在每种情况下，需求和供应的调整都起到了拯救作用；更高的价格刺激买家寻找替代品、节约成本和减少购买，而更高的价格刺激卖家挖得更深、更努力地压榨边际资源并在前沿地区寻找。在这篇背景论文中，我考虑太空是否可能成为我们经济能力范围内的这样一个边疆。在任何大型采矿作业中，都有法律、社会、政治、经济、地质和技术方面的影响。我概述了其中一些，并最后对将小行星材料带回地球进行加工的成本竞争力进行了数值模拟。
热处理对选区激光熔化GH3536高温合金组织和残余应力的影响
镍基高温合金GH3536广泛应用于航空航天工业，具有良好的强度和抗高温氧化性能。本研究采用选区激光熔化 (SLM) 工艺制备GH3536试件，并进行热处理 (HT)，研究了SLM和SLM-HT试件的微观组织、残余应力、拉伸强度和硬度。实验结果表明，由于快速冷却，SLM试件处于过饱和固溶状态，残余拉应力沿制备方向周期性地存在于亚表面。热处理后，富钼碳化物从基体中析出，降低了固溶程度。此外，由于热处理，SLM引起的残余拉应力转化为压应力，亚表面残余应力的周期性分布消失。研究结果表明，热处理抑制了SLM试件的固溶强化和晶界强化，导致硬度和屈服强度降低，断裂伸长率增加53%。本研究可为SLM成形GH3536镍基高温合金的应用提供指导。
绝缘亚铁磁性和垂直的出现......
图 1(a) 显示了使用脉冲激光沉积 (PLD) 的 LSMIO 薄膜顺序双靶沉积过程的示意图。在生长过程中，LSMO 和 SIO 靶材会周期性地反复旋转。在每次重复中，都会沉积亚单层 0.3 晶胞 (uc) LSMO 和 0.2 uc SIO，确保两个陶瓷靶材在原子尺度上均匀混合。LSMIO 薄膜的标称化学计量为 La 0.4 Sr 0.6 Mn 0.6 Ir 0.4 O 3 。LSMIO 薄膜的晶体取向可以通过改变基底取向来控制。如图 1(b) 所示，通过 X 射线衍射 (XRD) 2 θ-θ 扫描表征晶体结构。LSMIO 薄膜的峰已被标记，位于 SrTiO 3 (STO) 基底的左侧。该结果表明薄膜被轻微压缩（<0.1%）并且为不含杂质相的高质量单晶。为了进一步表征界面质量和结构均匀性，对 (001) 取向的 LSMIO 薄膜进行了扫描透射电子显微镜 (STEM) 测量，如图 1（c）-1（h）所示。图 1（c）中 LSMIO 和 STO 基板之间的鲜明对比，结合图 1（d）中 LSMIO 薄膜的高角度环形暗场 (HAADF) STEM 图像，表明薄膜具有较高的结晶质量。图 1（e）-（h）显示了 La、Sr、Mn 和 Ir 元素相应的能量色散 X 射线谱 (EDS) 映射。所有测量的元素在复合薄膜中都以原子级均匀分布，没有可观察到的聚集区域。
二维材料在非线性光子学和光纤激光器中的最新进展
早在1959年，理查德·费曼在题为“底部有足够的空间”的演讲中就提到了层状材料的概念。[1] 然而直到几十年后的今天，我们似乎才通过坚持不懈的努力，对二维材料这个神秘的物种有了更清晰的认识。[2] 对于具有纳米结构的二维材料，在平面上确定传热和电荷时会出现独特的物理奇异性，这使得它们引起了从超快光子学[3–9]电子/光电子器件[10–22]高性能传感器[23–30]生物医学[31–42]到光调制[43–51]等领域的广泛关注。 在过去的几年中，二维材料的整体格局不仅得到了极大的扩展，而且在其开发和应用方面也得到了很大的创新。 其中最引人注目的应用是非线性光学，它掀起了激光创新的狂潮。在众多现有的超短脉冲产生技术中，基于可饱和吸收体（SA）的被动锁模光纤激光器（MLFL）由于具有光束质量好、结构紧凑、成本低廉、兼容性好等优点，成为实现超短脉冲最有效的途径之一。虽然可饱和吸收体的发展经历了染料、半导体可饱和吸收镜（SESAM）等，但自从石墨烯材料的成功制备和应用以来，在光纤激光器中掀起了基于二维材料的可饱和吸收体制备研究的热潮。由于二维材料的光学非线性，基于二维材料的可饱和吸收体可以周期性地调制激光腔内环流光场，引起大量纵模发生相位振荡，从而在时间域上形成有规律的短脉冲串。非线性吸收机理主要由泡利不相容原理引起，使得材料在强光作用下，当有大量电子处于上激发态时，瞬间吸收较小。自石墨烯问世以来，更多的二维材料被认可并在激光领域得到应用。到目前为止，研究热点主要集中在几种代表性材料或与它们相关的一些异质结材料上，包括1）石墨烯；2）拓扑绝缘体（TIs）；3）黑磷
益生元，益生菌和共生药物对肠道菌群的影响，
摘要简介：2型糖尿病（DM2）是一种慢性代谢疾病，其特征是胰腺β细胞的胰岛素分泌缺陷高血糖水平以及对这种激素的残疾反应。它具有全球流行率，并且能够随着许多相关的并发症的发展能力，导致死亡率的增加显着影响患者的生活质量。其发病率的增加是由遗传因素，久坐的生活方式和肥胖的驱动的，对公共卫生的威胁代表了需要预防策略的威胁，这些策略着重于生活方式的改变和维持健康习惯，以减少疾病发展的风险。此外，与DM2相关的胰岛素抵抗（RI）在多囊卵巢综合征（SOP）中也起着至关重要的作用，突出了代谢监测的重要性，尤其是在女性中。SOP是一种内分泌病，其特征是形成卵巢多激素失衡，其病因仍然未知。配置了公共卫生的重要主题，因为它会显着影响生活质量和女性生殖健康。荷尔蒙变化研究具有不育症，并增加了出现肿瘤（例如子宫内膜癌）的风险。流行病学上，SOP在绝经后妇女中更为普遍，大约达到了世界女性的10％和20％。此外，内分泌疾病易于代谢综合征的发展，在这种情况下，许多携带者发展了DM2。目的：探讨PCOS对DM2诊断和预后的临床影响之间的相关性，以及验证DM2对PCOS对生殖时代女性PCOS预后的影响。方法论：在Medline和Scielo数据库中进行了系统搜索，使用战略描述符来指导我们的研究。关键字包括“多囊卵巢综合症”，“胰岛素抵抗”，“代谢”，“激素”，“糖尿病”。从精选的精选文章开始，目的是仅包括2019年至2023年之间的原始英语研究。结果：根据PCOS固有的卵巢变化，代谢综合征有助于维持卵巢功能障碍，并周期性地促成疾病的进程。因此，建议PCO与个体与一组外在和内在因素相关联，从而阻止了条件限于特定的特定因素。中，肥胖和久坐的生活标准使血脂异常易患性疾病，这种情况可能导致RI的增加，而RI则与激素因子触发的高胰岛素血症一起，可能导致糖尿病的发展。高胰岛素血症通过所描述的不同机制有助于雄激素依赖性的动脉，例如对肝脏抑制性激素（SHBG）抑制性激素的影响。这增加了血液中游离睾丸激素的生物利用度，从而触发雄激素活性的增加。此外，注意到胰岛素会增加作用于卵巢柚木细胞中雄激素的激素（LH）的刺激作用。已经发现，胰岛素刺激前GnRH介导的GnRH GNRH的释放，并积极调节下丘脑GNRH神经元中的GnRH表达，这可以有助于提高卵巢雄激素androgens androgens androgens androgens的生物合成和造成卵巢功能。此外，DM2的影响是对SOP的预后进行的，其中PCS患者与其他新陈代谢并行并联，与β-胰细胞的功能障碍有关，与葡萄糖耐受性，双血管血症，心血管疾病的风险有关。讨论：PCO与肥胖和笑声等代谢疾病有关，在肥胖和瘦女性的代偿性高胰岛素血症中表现出来，这证明了SOP患者患有代谢综合征和II型糖尿病的风险更大的事实。风险因素包括怀孕期间的荷尔蒙和环境暴露
用于集成太阳能和储能系统的 5 种转换器拓扑
• 拓扑 2：T 型拓扑因晶体管围绕中性点 (VN ) 排列的方式而得名。Q1 和 Q2 连接直流链路，Q3 和 Q4 与 VN 串联。滤波器看到的纹波频率等于施加到开关 Q1 至 Q4 的 PWM 频率。这定义了滤波器元件的大小，以实现交流线路频率下所需的低总谐波失真。Q1 和 Q2 看到全总线电压，并且需要额定为 1,200 V，才能在系统中为 800 V 直流链路电压。由于 Q3 和 Q4 连接到 VN ，它们只看到一半的总线电压，并且在 800 V 直流链路电压系统中可以额定为 600 V，这节省了这种转换器类型的成本。请参阅 10 kW 双向三相三级 (T 型) 逆变器和 PFC 参考设计。 • 拓扑结构 3：在有源中性点钳位 (ANPC) 转换器拓扑结构中，VN 与有源开关 Q5 和 Q6 连接，并将 VN 设置在直流链路电压的中间。与 T 型转换器一样，滤波器看到的纹波频率等于定义交流线路滤波器大小的 PWM 频率。这种架构的优点在于，所有开关的额定电压都可以是最大直流链路电压的一半；在 800-V 系统中，您可以使用额定电压为 600-V 的开关，这对成本有积极影响。关闭此转换器时，重要的是将每个开关上的所有电压限制为直流链路电压的一半。换句话说，控制微控制器 (MCU) 需要处理关机排序。TI 的 TMS320F280049C 和 C2000™ 产品系列中的其他设备具有可配置逻辑，允许在硬件中实现关机逻辑，以减轻 MCU 的软件任务负担。请参阅基于 GaN 参考设计的 11kW、双向、三相 ANPC。• 拓扑 4：中性点钳位 (NPC) 转换器拓扑源自 ANPC 拓扑。此处，VN 通过二极管 D5 和 D6 连接，并将 VN 设置在 DC 链路电压的中间。滤波器看到的输出纹波频率等于定义 AC 线路滤波器大小的 PWM 频率。与 ANPC 拓扑一样，所有开关的额定电压都可以是最大 DC 链路电压的一半，但不是另外两个开关，而是两个快速二极管。与 ANPC 拓扑相比，NPC 拓扑的成本略低，但效率略低。关断排序的要求也与 ANPC 拓扑相同。可以很容易地从上面提到的 ANPC 参考设计中派生出 NPC 拓扑。• 拓扑 5：飞行电容拓扑已经告诉您此转换器中发生的情况；电容器连接到由 Q1 和 Q2 以及 Q3 和 Q4 实现的堆叠半桥的开关节点。电容器两端的电压被限制为直流链路电压的一半，并在 V+/V– 之间周期性地变化；变化时，功率传输。此拓扑在正和负正弦波期间使用所有开关。在此拓扑中，滤波器看到的输出纹波频率是飞跨电容器每个周期移位的 PWM 频率的两倍，从而导致交流线路滤波器尺寸较小。同样，所有开关的额定电压均为最大直流链路电压的一半，这对成本有积极影响。