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ywhae功能丧失会导致罕见的神经发育疾病，人类和小鼠的脑异常
18医学遗传学，意大利锡耶纳大学，锡耶纳大学医院19医学遗传学，锡耶纳大学，意大利锡耶纳大学20 Med Biotech Hub和能力中心，医学生物技术系，锡耶纳大学，锡耶纳大学，意大利锡耶纳大学，意大利21分子与发展学系， 53100，意大利锡耶纳
胶体锡卤化物钙钛矿纳米结构的结构动力学和可调性
以铅（Pb 2 +）[1,2]为二价阳离子的金属卤化物钙钛矿纳米晶体（NC）由于其尺寸和形貌可调、光学性能增强和化学稳定性，在光伏、[3]光发射和检测、[4,5]激光[5]和水分解[6]等应用方面具有吸引力。然而，据报道，当用毒性较低的[7,8]二价金属（如Sn 2 +）[9,10–12,13]取代铅时，所得NC的化学稳定性较差，缺乏可调性，光学性能也不太理想。相比之下，自50多年前首次被探索以来，Sn卤化物钙钛矿块体[14,15,16]和薄膜[17]已经得到了强有力的发展。 [18] 它们在光伏电池中的性能提高是由于使用添加剂（如SnF2 [19]和离子液体[20]）或通过从三维结构转换为二维混合钙钛矿（Dion-Jacobson [8,21]和Ruddlesden-Popper（RP）[22,23]）成功稳定了活性层。由于两个主要挑战，块体材料中获得的稳定性增强不能简单地转化为纳米尺度：i）对于 L 1 = 10 nm 以下的 NC，表面体积比很高（其中 L 1 是长方体的最小横向尺寸），这会导致大量金属离子从 Sn 2 + 氧化为 Sn 4 + ，以及 ii）存在光学带隙相差多达 1.25 eV 的多晶型物 [15,16]（即具有强光致发光 (PL) 的高导电黑色立方相 (Pm3m)、γ-正交相 (Pnma) 和非导电黄色正交相 (Pnma)）。[15,16,24]
具有稀有四配位 Ca 中心的丁基锡 Keggin 离子
摘要：烷基锡簇在纳米光刻中用于制造微电子器件。烷基锡 Keggin 家族是整个元素周期表中 Keggin 簇中独一无二的一个，它们似乎更倾向于较低对称性的 β 和 γ 异构体，而不是高度对称的 α 和 ε 异构体。因此，烷基锡 Keggin 家族可能提供有关 Keggin 簇形成和异构化的重要基本信息。我们合成并表征了一种具有四面体 Ca 2+ 中心的新型丁基锡 Keggin 簇，其完整结构为 [(BuSn) 12 (CaO 4 )(OCH 3 ) 12 (O) 4 (OH) 8 ] 2+ (β-CaSn 12 )。合成是一个简单的一步法。广泛的溶液表征包括电喷雾电离质谱、小角度 x 射线散射和多核（ 1 H、 13 C 和 119 Sn）NMR，表明 β-CaSn 12 基本上是纯相并且稳定的。这与之前报道的 Na 中心类似物不同，后者总是形成 β 和 γ 异构体的混合物，并且容易相互转化。因此，这项研究澄清了之前对 Na 中心类似物的复杂光谱和晶体学表征的混淆。密度泛函理论计算表明稳定性顺序为 γ-CaSn 12 < γ-NaSn 12 < β-CaSn 12 < β-NaSn 12 ； 类似物总是比 稳定，这与实验一致。这项研究的显著成果包括罕见的四面体 Ca 配位、无 Na 烷基锡簇（对微电子制造很重要）以及对由不同金属阳离子构成的 Keggin 家族的更好理解。
非线性量子光子量，带有锡面中心与一维钻石波导
单光子和固态颜色中心之间的非线性相互作用是量子科学中许多应用的核心[1,2]，例如实现量子互联网[3,4]。尤其是，钻石中的彩色中心已启用了这个方向的高级演示，显示了多键量子网络操作[5,6]，内存增强的通信[7]和可扩展的芯片载荷混合动力集成[8]。Among the diamond color centers, the tin-vacancy center (SnV) has recently emerged as a promising qubit platform, as it combines the inversion symmetry of group-IV color centers [9,10] , allowing for integration in nanophotonic structures, with good optical properties [11 – 14] and above-millisecond spin coherence at temperatures above 1 K [15,16] .将光子整合与自旋和光学控制结合的设备可以用作实现自旋photon大门的未来可伸缩构建块[17]。在通往这种可扩展的片上整合的路径上，将发射剂掺入纳米光子波导中[12,18]，可以探索相干的发射极 - 光子相互作用，典型的波导 - 耦合系统[19,20]。与纳米光腔相比[21]，波导具有宽带的优势，消除了腔体调整的挑战，并且在制造中具有明显更高的误差耐受性。 在这封信中，我们提出了一个由SNV中心组成的设备，该中心与纳米型钻石波导搭配锥形纤维通道，如图所示 1（a）。 感谢有效的耦合，双面访问和实时与纳米光腔相比[21]，波导具有宽带的优势，消除了腔体调整的挑战，并且在制造中具有明显更高的误差耐受性。在这封信中，我们提出了一个由SNV中心组成的设备，该中心与纳米型钻石波导搭配锥形纤维通道，如图1（a）。感谢有效的耦合，双面访问和实时
锡镀层厚度对表面贴装技术用电子引线连接器润湿性、可焊性和电连接的影响
摘要 焊料的润湿性对于实现电子元件和印刷电路板 (PCB) 之间的良好可焊性非常重要。锡 (Sn) 镀层被广泛用于促进焊料在基板上的润湿性。然而，必须考虑足够的锡镀层厚度才能获得良好的润湿性和可焊性。因此，本研究调查了电子引线连接器的锡镀层厚度及其对润湿性和电连接的影响。在电子引线连接器表面应用了两种类型的锡镀层厚度，~3 μm 和 5 μm。研究发现，~3 μm 的薄锡镀层厚度会导致电连接失败，并且焊点润湿性和可焊性不足。5 μm 的较厚锡镀层厚度表现出更好的润湿性和可焊性。此外，电连接也通过了，这意味着较厚的锡镀层厚度提供了良好的焊点建立，从而带来了良好的电连接。还观察到，较厚的锡镀层厚度实现了更好的焊料润湿性。场发射扫描电子显微镜 (FESEM) 的结果表明，对于较薄的锡镀层厚度 (~3 μm)，引线连接器表面的金属间化合物 (IMC) 层生长被视为异常，其中 IMC 层被消耗并渗透到锡涂层的表面。这导致薄锡镀层与焊料的可焊性较差，无法形成焊点。本研究的结果有助于更好地理解考虑足够的锡镀层厚度的重要性，以避免锡镀层处的 IMC 消耗，以及更好的润湿性、可焊性和焊点质量，这对于表面贴装技术 (SMT) 尤其适用于电子引线连接器应用。
性腺激素剥夺调节神经退行性途径中对锡龙的反应
性腺激素剥夺（GHD）和衰落（例如更年期和双侧卵巢切除术）与神经变性的风险增加有关。然而，激素疗法（HTS）显示出不同的功效，受到性，药物类型和相对于激素下降的治疗时间等因素的影响。我们假设大脑的分子环境在GHD后经历过渡，从而影响了HTS的有效性。在用蒂贝隆处理的小鼠中使用GHD模型，我们进行了蛋白质组学分析，并鉴定出对tibolone的反应反应，该化合物刺激了雌激素，孕激素和雄激素途径。通过全面的网络药理工作流程，我们确定了对蒂贝隆的重编程反应，尤其是在“神经变性的途径”中，以及包括“细胞呼吸”，“碳代谢”和“细胞稳态”在内的相互联系的途径。分析揭示了23种蛋白质，其提博龙反应取决于GHD和/或性别，这涉及诸如氧化磷酸化和钙信号的关键过程。我们的发现表明HTS的治疗功效可能取决于这些变量，这表明需要更高的精确医学考虑，同时突出了需要揭示未衍生的机制。
具有稀有四配位 Ca 中心的丁基锡 Keggin 离子
摘要：烷基锡团簇在纳米光刻中用于制造微电子器件。烷基锡 Keggin 家族是整个元素周期表中 Keggin 簇中独一无二的一个；其成员似乎倾向于低对称性的 β 和 γ 异构体，而不是高度对称的 α 和 ε 异构体。因此，烷基锡 Keggin 家族可能为 Keggin 簇的形成和异构化提供重要的基础信息。我们合成并表征了一种具有四面体 Ca 2 + 中心的新型丁基锡 Keggin 簇，其完整结构为 [(BuSn) 1 2 (CaO 4 )- (OCH 3 ) 12 (O) 4 (OH) 8 ] 2+ ( β -CaSn 12 )。该合成是一个简单的一步法。广泛的溶液表征包括电喷雾电离质谱、小角X射线散射和多核（ 1 H、 13 C 和 119 Sn）核磁共振，表明β -CaSn 12 基本上是纯相并且稳定的。这与之前报道的Na中心类似物不同，后者总是形成β和γ异构体的混合物，并且容易相互转化。因此，这项研究澄清了之前对Na中心类似物的复杂光谱和晶体学表征的混淆。密度泛函理论计算显示以下稳定性顺序：γ -CaSn 12 < γ -NaSn 12 < β - CaSn 12 < β -NaSn 12。β类似物总是比γ类似物更稳定，这与实验一致。本研究的显著成果包括罕见的四面体 Ca 配位、无 Na 烷基锡簇（对微电子制造很重要）以及对由不同金属阳离子构成的 Keggin 家族的更好理解。■ 简介
多种mRNA-1273疫苗接种造血细胞移植受者中尖峰特异性记忆B细胞反应：一项纵向观察性研究
1分子微生物学和生物技术实验室，锡耶纳大学医学生物技术系，意大利锡耶纳53100； annalisa.ciabattini@unisi.it（A.C。）; firino4@unisi.it（F.F.）; jacopo.polvere@student.unisi.it（j.p。）; gabiria.pastore@unisi.it（G.P.）; donata.medaglini@unisi.it（d.m.）2卢姆大学医学和外科系“朱塞佩·德纳罗（Giuseppe degennaro），意大利巴里70010号3蜂窝治疗部门，创新，实验，临床和转化研究系，锡耶纳大学医院，意大利53100锡耶纳； m.tozzi@ao-siena.toscana.it（M.T。）; g.marotta@ao-siena.toscana.it（G.M.）; Alessandro.bucalossi@ao-siena.toscana.it（A.B。）4锡耶纳大学医学生物技术系，意大利锡耶纳53100； francesca.montagnani@unisi.it 5感染和热带疾病部门，锡耶纳大学医院医学系，意大利锡耶纳53100 *通信 *通信：pettini5@unisi.it
幻灯片——倒装芯片凸块电迁移可靠性的比较——铜柱、高铅、SnAg 和 SnPb 凸块
倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块） 倒装芯片凸块电迁移可靠性比较（铜柱、高铅、锡银和锡铅凸块）