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快噪声对囚禁离子量子门保真度的影响
高保真度的单量子比特和多量子比特操作构成了量子信息处理的基础。这种保真度基于以极其相干和精确的方式耦合单量子比特或双量子比特的能力。相干量子演化的必要条件是驱动这些跃迁的高度稳定的本振。在这里，我们研究了快速噪声（即频率远高于本振线宽的噪声）对离子阱系统中单量子比特和双量子比特门保真度的影响。我们分析并测量了快速噪声对单量子比特操作的影响，包括共振π旋转和非共振边带跃迁。我们进一步用数字方式分析了快速相位噪声对 Mølmer-Sørensen 双量子比特门的影响。我们找到了一种统一而简单的方法，通过量子比特响应频率下的噪声功率谱密度给出的单个参数来估计所有这些操作的性能。虽然我们的分析侧重于相位噪声和离子阱系统，但它也适用于其他快速噪声源以及其他量子比特系统，在这些系统中，自旋类量子比特通过共同的玻色子场耦合。我们的分析可以帮助指导量子硬件平台和门的设计，提高它们对容错量子计算的保真度。
网格形成技术
随着逆变器资源 (IBR) 在北美的普及率不断提高，电网动态和控制策略也在近年来不断调整和进步。其中一种正在获得发展势头的技术是电网形成 (GFM) 逆变器技术。GFM 逆变器已在电池储能系统 (BESS)、风力发电厂、太阳能光伏 (PV) 发电厂和混合 1 发电厂中得到广泛研究。此外，还有几个已安装的项目成功测试了 GFM 功能，包括响应频率事件在惯性时间范围内的极快速功率注入、无同步发电的孤岛运行能力、黑启动能力以及与电网跟踪 (GFL) 资源和同步机器的并行运行。对 GFM 控制及其对 BPS 性能的影响的广泛理解仍处于早期阶段；然而，该技术显示出巨大的前景。从具有高 IBR 普及率的系统条件进行的研究结果显示了 GFM 控制的好处，并且设备供应商拥有可提供 GFM 功能的商用产品。虽然 GFM 逆变器仍需要研究和调整以适应特定的系统条件（类似于 GFL 控制），但与目前几乎所有现有 IBR 中应用的 GFL 控制方案相比，它们确实具有优势。GFM IBR 有望提高 IBR 渗透水平，并可能在未来高 IBR 渗透条件下对 BPS 的稳定性和可靠性发挥重要作用。目前业界尚无普遍认可的 GFL 和 GFM 逆变器控制定义。本白皮书建议采用以下定义：
范围 3 提案摘要
简介 温室气体议定书秘书处在 2022 年 11 月至 2023 年 3 月期间征求了利益相关方关于使用企业价值链（范围 3）会计和报告标准（“范围 3 标准”或“标准”）和计算范围 3 排放的技术指南（“范围 3 技术指南”或“技术指南”）的反馈，以了解用户需求，确定可能需要更新或指导的主题，并征求对具体更新或新指南的建议。 大约 350 名个人和/或组织对范围 3 调查提供了回复。请参阅此处的范围 3 利益相关方调查回复详细摘要（“范围 3 调查回复详细摘要”）。 除了范围 3 调查之外，受访者还有机会提交提案。本文档总结了范围 3 提案提交内容。大约提交了 100 份与范围 3 标准和技术指南相关的提案。本文件总结了每个提案提交者提供的反馈。在某些情况下，如果一个或多个提交者提出了类似或相同的建议，则多个提案可能会被归为一组。许多提案提交者也提供了调查回复。通过提案提交的许多反馈与通过调查提供的反馈相似或重复。本文件中包含反馈并不表示将实施给定的建议或提案或将其反映在范围 3 标准或范围 3 技术指南的更新中。本文件不是计划更新的工作范围，而是通过调查收到的反馈报告。本文件的脚注中引用了要求注明出处的每位提案提交者的所属机构和文件名，以及每个文档可在网上公开获取的通用 Dropbox 文件夹链接。一些提案提交者要求匿名。本文件的目录按主题组织。反馈和建议未按优先级或响应频率列出或排序。为了方便交叉引用，本文件中的各节与范围 3 调查回复详细摘要中的各节相对应。本摘要中总结的所有反馈、建议和要求均未按优先顺序列出或排序。